Частичная рекомбинация

— 1,5 = 2,7 МГц), и спектры СЯ и СЦ будут перекрываться (1,3— 4,2 МГц) и в области более низких частот. В результате заметность взаимных перекрестных помех увеличится, совместимость ухудшится. Поэтому в стандарте США частота поднесущей взята по условию (3.23) равной 3,579545 МГц. При таком значении цветоразностные сигналы могут быть переданы либо в более узкой полосе частот О—0,6МГц (/„± 0,06МГц), либо в полосе (/„—1,3) — (/„ + 0,6) МГц, т. е. с частичным подавлением верхней боковой полосы (ЧП ВВП) сигнала цветности. Сокращение полосы ведет к ухудшению цветовой четкости, что нежелательно. Передача с ЧП ВВП обоих сигналов является причиной перекрестных помех между цветоразностными сигналами. Они возникают при синхронном детектировании, так как векторы V я U (см. 3.21) при такой передаче приобретают паразитную фазовую модуляцию и при детектировании дают проекцию одновременно на обе оси детектирования.

Более сложное преобразование осуществляется при передаче газетных полос ( 4.2). Поскольку (FK.B — РК.Я)/(РС.В— FC.H) < 2, невозможно использовать ЧМ или двухполосную AM. Единственное решение — применить AM с частичным подавлением одной из боковых (верхней или нижней) полос частот. На 4.2, б приведен

AM с частичным подавлением одной боковой полосы применяется также при преобразовании полного цветового ТВ сигнала в линейный спектр кабельных систем передачи ( 4.3), однако в отличие от предыдущего случая процесс модуляции (и демодуляции) осуществляется двумя ступенями, а не одной, поскольку спектры модулирующего ( 4.3, а) и модулированного ( 4.3, б) сигналов имеют общую область частот.

дулируется полным цветовым ТВ сигналом по амплитуде с частичным подавлением нижней боковой полосы.

Используя выражения (4.18), можно определить требуемые характеристики канала передачи. Например, при точном синхронном детектировании (6=0) AM сигнала с частичным подавлением одной боковой полосы и линейной ФЧХ канала передачи (^(ы) = 0) АЧХ канала должна иметь симметричную форму склона вблизи несущей (о о ( 4.7, характеристика 3), причем

Сигнал ИГП по наземным линиям связи обычно передается по стандартным вторичным (реже первичным) групповым трактам в полосе 312—552 кГц путем AM сигнала несущей частоты 500 кГц с частичным подавлением одной боковой полосы. Такие тракты образуются с помощью аппаратуры многоканальных систем передачи по кабельным и радиорелейным линиям связи. Для своевременной доставки газет в самые отдаленные участки нашей страны необходимо проложить туда соответствующие линии передачи. При этом возникают трудности, о которых уже говорилось ранее в связи с проблемой широкого охвата ТВ вещанием. Одним из кардинальных методов решения этой проблемы является одновременная передача ТВ и ИГП по спутниковым линиям связи на приемные станции распределительных ТВ систем «Орбита» и «Москва». От этих станций сигнал ИГП по соединительной линии поступает в пункты приема газетных полос, расположенные в типографиях. Стандартный сигнал ИГП, сформированный в передающей части аппаратуры «Газета-2», в полосе 312— 552 кГц поступает на вход передающей СЗ, где он подвергается частотному преобразованию в блоке сопряжения с помощью несущей частоты 550 кГц. В результате преобразования сигнал ИГП пере-

Применяя ФАПЧ, можно выбирать частоту генератора /0 из условия f0^2FB, если используется двухполосная AM, и /гв
лектором 6 из выходного ТВ сигнала и сформированных формирователем импульсов 5. Система передачи, описанная выше, позволяет осуществлять передачу AM с частичным подавлением как нижней (см. 6.4, б), так и верхней (см. 6.4, в) боковой полосы частот. В первом случае минимальное значение несущей частоты fo может быть 9—10 МГц (с учетом реальных характеристик ПФ), во втором —14—15 МГц. С точки зрения обеспечения максимально возможной длины линии связи первый вариант выгоднее.

тоделенные ТВ сигналы R и В от камеры передаются поочередно через строку путем двухполосной AM на несущей частоте />(В) = 4,4 МГц, сигналы ЗС и служебной связи телеоператора — на несущей частоте f3 = 8,8 МГц, сигнал яркости W (или сигнал зеленого G) — путем AM с частичным подавлением верхней боковой полосы на несу-

ние позволяет строить универсальный линейный тракт. Для уменьшения полосы частот, занимаемой в ЛСЧ ТВ сигналом, последний передается путем AM с частичным подавлением одной боковой полосы и занимает полосу частот AfTB= (1,1 — \,\5)Fe. Полоса ЛСЧД/л = — fa — fn выбирается из условия Af^,^AfTB. Кроме того, Л/л ЭЁ N X X 4 кГц, где Л/ — максимальное число телефонных каналов, передаваемых в ЛСЧ данной системы. Следовательно, ТВ сигнал можно пе-

Поскольку спектры частот исходного и преобразованного (линейного) ТВ сигналов перекрывают друг друга, необходимо использовать две ступени модуляции-демодуляции ( 6.14). На первой ступени модуляции ( 6.14, а) используется AM сигнала несущей частоты fi с частичным подавлением верхней боковой полосы. На

ионов и установившиеся потенциальные барьеры обоих переходов поддерживают динамическое равновесие, а токи через переходы равны нулю. При наличии источников смещения ?э и Ек указанной полярности (нормальное включение) создаются условия для инжектирования дырок из эмиттера в базу и перемещения электронов из базы в эмиттер. Поскольку концентрация электронов в базе во много раз меньше концентрации дырок в слое эмиттера, то встречный поток электронов значительно меньше. Поэтому при встречном перемещении дырок и электронов произойдет их частичная рекомбинация, а избыток дырок внедряется в слой базы, образуя ток эмиттера /э.

Инжектированные через эмиттерный переход электроны проникают вглубь базы, для которой они являются неосновными носителями. В базе происходит частичная рекомбинация электронов с дырками. Однако если база тонкая, то преобладающая часть электронов достигает коллекторного перехода, не успев рекомби-нировать. При этом электроны попадают в ускоряющее поле коллекторного перехода. В результате экстрации электроны быстро втягиваются из базы в коллектор и участвуют в создании тока коллектора.

электронов в базу. Происходит частичная рекомбинация электронов, но основная их часть поступает к коллекторному переходу и за счет экстрации достигает коллектора. Сопротивление транзистора резко уменьшается, а ток коллектора /к-»/кнас-

Хотя вп-области при этом и происходит частичная рекомбинация положительных и отрицательных зарядов, однако благодаря малой толщине n-слоя большая часть дырок успевает продрейфовать к переходному слою между базой и коллектором. В переходном слое между базой и коллектором носители положительных зарядов оказываются под воздействием сильного электрического поля, образованного источником ЭДС ?н (обычно Ен^>Еу). Под действием этого поля дырки втягиваются в область коллектора и движутся к электроду коллектора. Таким образом, большая часть дырок, вышедших из эмиттера и прошедших в л-область, устремляется к коллектору (потенциал коллектора отрицателен по отношению к потенциалу базы и потенциалу эмиттера).

нои короны ионы разных знаков движутся навстречу друг другу. Если бы на границе нулевого потенциала /—1 происходила полная рекомбинация ионов, биполярная корона состояла бы из двух не зависящих друг от друга униполярных коронных разрядов. В действительности на границе раздела происходит лишь частичная рекомбинация ионов, и значительная их часть проникает во внешнюю зону провода противоположной полярности, уменьшая суммарный объемный заряд этой зоны, а следовательно, и Диоб. Для того чтобы восстановить нормальное значение Аы0б, обеспечивающее сохранение начальной напр я- _ - -_ ~ женности поля на поверх- -_-_ _ _ -ности провода, ионизация в _^ri\V-i . " -~ ^*_ , Л^УГУЛ.^ чехле короны должна возра- •? l^Sr - Г~ сти и из чехла короны должен - I -- ~_-выделяться больший заряд, " --^ часть которого тратится на - -

исходит их частичная рекомбинация, а избыток дырок инжектируется в базу, образуя ток эмиттера lv

Хотя в /г-области при этом и происходит частичная рекомбинация Положительных и отрицательных зарядов, однако благодаря малой толщине /г-слоя большая часть носителей положительных зарядов успевает продрейфовать к переходному слою между базой и коллектором. В переходном слое между базой и коллектором носители положительных зарядов оказываются под воздействием сильного электрического поля, образованного источником э. д. с. ?„ (обычно ?„^>?у). Под действием этого поля носители положительных зарядов втягиваются в область коллектора и движутся к электроду коллектора. Таким образом, большая часть носителей положительных зарядов, вышедших из эмиттера и прошедших в n-область, устремляется к коллектору (потенциал коллектора отрицателен по отношению к потенциалу базы и потенциалу эмиттера).

При нарушении парноэлектронных связей в кристалле одновременно возникает одинаковое число свободных электронов и дырок. Если, с одной стороны, с повышением температуры происходит образование пар электрон — дырка, с другой стороны, происходит их частичная рекомбинация. При заданной температуре число пар в единице объема полупроводника в среднем остается постоянным. Например, при температуре 20° С концентрация электронов и дырок у германия п »2,5-1013, а у металлических проводников п z& 1022—1023. Таким образом, из сопоставления концентрации следует, что проводимость германия при нормальной температуре значительно меньше проводимости

Концентрация атомов примесей в области базы во много раз меньше концентрации атомов примесей в области эмиттера. Благодаря этому дырочный ток через p-n-переход эмиттер—база много больше электронного тока. При сниженном потенциальном барьере между эмиттером и базой энергетический уровень основных носителей зарядов достаточен, чтобы от эмиттера к базе, соединенной с минусом э.д.с. ?у, двигались дырки. В области базы происходит частичная рекомбинация их с электронами. Но большая часть дырок благодаря малой толщине /г-слоя успевает продрейфовать к p-n-переходу между базой и коллектором. В этом слое дырки оказываются под воздействием сильного электрического поля, образованного источником Е„, в результате чего дырки движутся

Инжектированные через эмиттерный переход электроны проникают вглубь базы, для которой они являются неосновными носителями. В базе происходит частичная рекомбинация электронов с дырками. Однако если база тонкая, то преобладающая часть электронов достигает коллекторного перехода, не успев рекомби-нировать. При этом электроны попадают в ускоряющее поле коллекторного перехода. В результате экстрации электроны быстро втягиваются из базы в коллектор и участвуют в создании тока коллектора.

электронов в базу. Происходит частичная рекомбинация электронов, но основная их часть поступает к коллекторному переходу и за счет экстрации достигает коллектора. Сопротивление транзистора резко уменьшается, а ток коллектора /к^Лснас-