Диэлектрическая восприимчивость

где е — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; Ze — заряд ионизированной примеси.

где е — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; ев — электрическая постоянная вакуума; Фг = kTle — температурный потенциал; е — заряд электрона.

где вг — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; «о — электрическая постоянная.

где t/K6 — напряжение смещения коллекторного перехода; Na — концентрация акцепторных атомов в базовой области для случая их равномерного распределения; е — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; е0 — диэлектрическая проницаемость вакуума.

где Ej — Ef— абсолютное значение разности между положением уровня Ферми в объеме полупроводника и серединой запрещенной зоны; е„ — диэлектрическая проницаемость полупроводника; Nu — концентрация примесных атомов в подложке; Со — удельная емкость между затвором и каналом.

а ?/Пр. пл — напряжение пробоя плоского р — п перехода; гко — радиус кривизны металлургического перехода; Lp'_n — ширина плоского р — п перехода при U = ?/пр. пл; е/- — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; сркК— контактная разность потенциалов на коллекторном переходе; УУдк — концентрация доноров в коллекторе.

где Е — напряженность электрического поля вдоль координаты к; е0 — диэлектрическая постоянная; гг — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника.

где еп — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; е0 — диэлектрическая постоянная; q — заряд электрона; Мл— концентрация доноров в л-подложке.

где гг~,\ — диэлектрическая проницаемость полупроводника (кремния).

где 8л — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; е0=8,86- 10~12 Ф-м-1; <р — электростатический потенциал.

где е — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника; S — площадь р-п перехода; d — ширина р-п перехода.

За исключением специального класса веществ — сегнетоэлек-триков, обладающих способностью спонтанной поляризации, диэлектрическая восприимчивость не зависит от напряженности поля вплоть до значений напряженности, близких к пробивной прочности диэлектрика. У неоднородных диэлектриков величина а является функцией координат; для анизотропных диэлектриков, у которых направления векторов Р и Е могут не совпадать, поляризуемость оказывается тензорной величиной.

Процесс смещения связанных зарядов диэлектрика под действием сил электрического поля имеет определенную длительность, и поэтому в переменном гармоническом поле вектор поляризации будет запаздывать по фазе относительно вектора напряженности поля. В переменном поле диэлектрическая восприимчивость оказывается комплексной величиной а = Р/(е0Е) и соответственно

— индуктивность 65 Дифференциальное сопротивление 19 Диэлектрическая восприимчивость 153

— — — — электрического 122 Диэлектрическая восприимчивость

В анизотропных кристаллических телах диэлектрическая восприимчивость по различным главным осям имеет различные значения, и если вектор Е не направлен по одной из главных осей кристалла, то вектор Р уже не совпадает по направлению с вектором Е.

Физически это объясняется тем, что заряженные элементарные частицы в мо-гекулах кристаллов смещаются не в сторону действия внешнего поля, а несколько уклоняются в том направлении, в котором противодействующие смещению межмолекулярные силы наиболее слабы и диэлектрическая восприимчивость наибольшая. При произвольном, но заданном расположении осей OX, OY и OZ по отношению к главным осям кристалла связь между составляющими векторов Р и Е по осям OX, OY и 07. может быть записана в виде

т. е. диэлектрическая восприимчивость (как абсолютная, так и

Дерево графа схемы 137 Диаграммы круговые 426 Дифференцирующие цепи 419 Диэлектрики 33 Диэлектрическая восприимчивость 33

k3 — диэлектрическая восприимчивость; Е — напряженность электрического поля. Диэлектрическая восприимчивость определяет практически важный параметр диэлектриков — относительную диэлектрическую проницаемость. Связь между ними определяется формулой

Диэлектрическая восприимчивость

Таким образом, диэлектрическая восприимчивость в данном случае является тензорной величиной ( т. е. не имеет характера скаляра и зависит от направления поля).