Достигает максимальных

Другой характерной особенностью р — n-перехода с вырожденными полупроводниками является то, что уровень Ферми для полупроводника n-типа лежит в зоне проводимости, а для полупроводника р-типа — в валентной зоне, поэтому контактная разность потенциалов [см. уравнение (3.2)] близка к ширине запрещенной зоны и достигает значительной величины. Однако эта разность потенциалов не является достаточной для того, чтобы вызвать туннельное прохождение электронов сквозь р — «-переход. При приложении внешнего напряжения в обратном (запирающем) направлении напряженность поля достигает критического значения, при котором наступает пробой, обусловленный туннельным переходом электронов через барьер.

скорость истечения не достигает критического значения и потому определяется по формуле (3-21). По уравнению (1-15) находим:

Темный разряд может возникнуть при неоднородном электрическом поле в тех местах, где напряженность поля достигает критического значения. Если заряженные проводники имеют выступающие «заостренные» части, то вблизи них напряженность поля имеет наибольшее значение; в этих местах начинается разряд, сопровождаемый свечением — короной.

нение устойчивости при переходе от режима/к режиму //, так и ее нарушение. Уверенность в устойчивости перехода будет, очевидно, в случаях, когда при колебаниях ротор не достигает критического положения (точка d'), в котором может начаться прогрессирующее увеличение угла. Такой заведомо устойчивый переход был показан на 5.5; вся энергия, полученная при ускорении ротора (площадка Луск — abca), уравновешивалась энергией торможения (площадка Лторм = cdec) до подхода к критической точке d'. Площадка возможного торможения Лвозм..горм= cdd'ec здесь больше, чем площадка ускорения, на АЛ = Лвозм.торм—Луск. По знаку АЛ можно определить, устойчив или нет данный переход.

С ростом напряженности электрического поля энергия, приобретаемая электронами на длине свободного пробега, начинает в среднем превышать потери при рассеянии. Следовательно, средняя скорость электронов увеличивается и время свободного пробега, а значит, и подвижность уменьшаются [см. (1.14)]. Теоретический анализ показывает, что подвижность снижается на 10 %, когда напряженность электрического поля достигает критического значения (§нр =1,4уфо„/ц0, где ц0 — подвижность в слабых полях (<§ <ифон/Цо).

Напряженность поля у электродов в условиях неравномерного поля достигает критического разрядного значения при относительно невысоком значении напряжения, приложенного к электродам.

В кристалле существуют избранные плоскости S и направления, по которым протекает процесс скольжения. Совокупность их образует систему скольжения ( 1.29). Многочисленные исследования показали, что сдвиг в кристалле по данной системе скольжения происходит лишь тогда, когда напряжение сдвига т, действующее в этой системе, достигает критического значения тк. Для металлических монокристаллов тк = 105—106 Н/м2 (доли кгс/мм2).. Так,Дцля кристаллов Ag тк « 6 • 108 Н/м2 (0,06 кгс/мм2), для кристаллов золота тк « 9 • 108 Н/м2 (0,09 кгс/мм2).

гией 500 кзВ при температуре 450° С уменьшение интенсивности потока в 10 раз (/Q = 2 • 10~3 с/а • с; К2 = 2 • Ю"4 с/а • с) сопровождается изменением типа образующихся вакансионных скоплений (в первом случае наблюдается образование вакансионных петель, во втором —: пор). В серии опытов по облучению меди ионами Си+с энергией 500 кэВ получен аналогичный результат [97]. Указанные данные свидетельствуют о том, что сдвиг температурного интервала порообразования обусловлен ;не только влиянием скорости смещения атомов на вакансионное-., рересыщение, но и деталями механизма зарождения вакансионных скоплений. Предполагается [68], что зародыши пор возникают как результат конкуренции скорости скопления вакансий и скорости притока газовых атомов к скоплениям. Если tp — время, за которое зародыш достигает критического размера, a tr — время, за ,которое газовый атом достигает скопления, то лгсловие формирования пор имеет вид /р»*г. " .............'

Характерной особенностью всех трех схем является наличие специальных разрядников, представляющих собой искровой промежуток с последовательно включенным активным сопротивлением ( 6.2). В момент, когда напряжение в точке подключения такого разрядника достигает критического, пробивается искровой промежуток и происходит разряд через активное сопротивление R. После срабатывания искрового промежутка включается выключатель В, нормальное положение которого - отключенное. Критическое напряжение принимается равным 1.8?/ф.тах. В связанной схеме разрядники включаются на каждом переключательном пункте, в блочной и полублочной - в семи равноотстоящих друг от друга точках линии.

Основными типами пробоя, который может происходить в обратное -мещенном переходе тиристора, являются эффект смыкания объемного заряда, лавинный и поверхностный пробой Смыкание объемного заряда наступает, когда граница слоя объемного заряда через базовую область доходит до противоположного перехода При этом, как правило, не возникает никаких повреждений, если анодный ток поддерживается в разумных пределах. Лавинный пробой в кремниевой структуре наступает при условии, если электрическое поле достигает критического значения При этом свободные носители в слое объемного заряда разгоняются до такой скорости, что при их столкновении с решеткой кристалла образуются электронно-дырочные пары Новые носители также ускоряются, сталкиваются и образуют новые пары и т.д. Процесс принимает лавинообразный характер и способен повредить структуру. Пробой по поверхности также обусловлен эффектом лавинообразования, однако для этого процесса требуется меньшее электрическое поле. Из-за несовершенства кристаллической решетки у поверхности ячейки, разного рода дефектов и загрязнений пробой по поверхности носит локальный характер и может наступить уже при небольшой мощности, выделяющейся в обратносмещенном переходе. Для предотвращения поверхностного пробоя используют специальные конструкторские приемы, позволяющие внутреннее поле в структуре делать гораздо большим, чем на периферии Среди наиболее часто применяемых отметим метод косой фаски (среза) на поверхности монокристалла, применение защитного кольца из полупроводникового материала с более высоким удельным сопротивлением по периферии перехода, а также методы расширения областей р-л-переходов с помощью материалов с высокой диэлектрической постоянной ( 2.46).

Как только поле достигает критического значения, начинается лавинный процесс. При этом значительно увеличивается число носителей, но, поскольку v'>vs, поле продолжает возрастать, т. е. распределение носителей не может изменяться настолько быстро, чтобы тотчас же изменилось поле. Следовательно, поле быстро достигает уровня, значительно превышающего

да начинают работу предприятия, включается освещение в квартирах, приводится в движение городской транспорт, потребление электроэнергии значительно возрастает, т. е. наступает так называемый утренний максимум нагрузки. Днем нагрузка в системе уменьшается (обеденные перерывы, окончание работы смен) в связи с некоторым снижением производительно- р.мвт сти труда. Вечером нагрузка в системе, как правило, достигает максимальных значений, так как в это время напряженно работает городской электрифицированный транспорт, включается уличное освещение, зажигается свет в квартирах и включаются многочисленные электроприборы — телевизоры, радиоприемники, нагревательные устройства и т. д. В эти же часы продолжают работать некоторые предприятия. Ночью большая часть потребителей электроэнергии не работает, и наступает глубокий «провал» нагрузки.

Анализируя аналогичным образом второе уравнение системы (15-52), найдем, что на линии есть также точки, в которых ток всегда равен нулю, т. е. узлы тока, я точки, в которых ток достигает максимальных значений, т. е. пучности тока.

При частотах coj и со" сопротивление цепи оказывается минимальным и равным Гц, а ток It достигает максимальных значений: /х =

Индукция магнитного поля по оси фазовой обмотки достигает максимальных значений, когда ток этой фазы имеет амплитудные значения. Амплитудные значения в фазах чередуются в заданном порядке, что и определяет вращение поля. Амплитудное значение индукции магнитного поля складывается из амплитуды индукции рассматриваемой фазы Вт и значений индукций двух других фаз. Учитывая

зи с некоторым снижением производительности труда. Вечером нагрузка в системе, как правило, достигает максимальных величин, так как в это время напряженно работает городской электрифицированный транспорт, включается уличное освещение, зажигается свет в квартирах и включаются многочисленные электроприборы •— телевизоры, радиоприемники, нагревательные устройства и т. д. В эти же часы продолжают работать некоторые предприятия. Ночью большая часть потребителей электроэнергии не работает и наступает глубокий «провал» нагрузки.

"на угол 5 = % — фа. т- е- э- Д- с- ея достигает максимальных (а так-

При частотах со'о и со'о сопротивление цепи оказывается минимальным и равным гь а ток /[ достигает максимальных значении: /( = V\/rx.

Если напряжение VDS < VorP, где 1/Огр — напряжение ограничения, при котором ОПЗ достигает максимальных границ, отсечка определяется уравнением:

Для микросхем семейства АРЕХ20К/КЕ разработано soft-ядро процессора Nios — RISC-процессора с изменяемой архитектурой, конфигурируемым файлом регистров, 16-разрядными командами и шиной данных на 16 или 32 разряда по выбору проектировщика. Производительность процессора может достигать 50 MIPS. Микросхемы семейства АРЕХ20КЕ имеют настолько высокий уровень интеграции, что процессор Nios занимает небольшую долю их логической емкости. Например, для микросхемы ЕР20К200Е ядро процессора Nios занимает 12% логических ресурсов кристалла. При стоимости кристалла около 80 долларов (в единичных поставках) на ядро процессора приходится приблизительно 10 долларов, а при массовых поставках стоимость снижается приблизительно в два раза. Для микросхемы ЕР20К1500Е с 1,5 млн. вентилей доля расхода ресурсов на процессор Nios снижается до 1,5%. Изменяемая архитектура ядра Nios, как и других разработанных soft-ядер, придает SOPC высокую степень гибкости. Однако быстродействие soft-ядер не достигает максимальных значений и в сравнении с быстродействием аппаратных ядер остается умеренным.

Большинство элементов сети имеет максимальную нагрузку при прохождении годового максимума нагрузки энергосистем — чаще всего в 18—19 ч рабочего дня в середине недели последней декады декабря (в некоторых энергосистемах в 10—11 ч), когда возникают потоки мощности, связанные с наибольшим потреблением электроэнергии и наиболее полном использовании мощности электростанций. Однако по многим линиям электропередачи и AT нагрузка достигает максимальных значений в других характерных режимах:

3. Добротность достигает максимальных -значений в условиях