Элементов электрические

Замена треугольника резистивных элементов эквивалентной звездой должна производиться таким образом, чтобы после указанной замены токи в остальной части цепи, а также напряжения между точками ab, be и са остались без изменения.

Угол сдвига фаз между напряжением и током (р - ф — ф. зависит от параметров г и х элементов эквивалентной схемы замещения пассивного двухполюсника (см. 2.27) .

В настоящем параграфе на базе МПЗК дан алгоритм расчета индуктивностей и взаимной индуктивности обмоток ЭДН, магнитная цепь которого представлена эквивалентной схемой замещения с сосредоточенными параметрами. Схема замещения строится по методу вероятных путей замыкания магнитного потока. Не обладая высокой точностью расчета по сравнению с методами конечных элементов и др., этот метод расчета магнитных цепей позволяет осуществлять с достаточной для практических целей точностью расчет ЭДН на базе доступной вычислительной техники.

Насыщение стали учитывается введением нелинейных магнитных сопротивлений ферромагнитных элементов* эквивалентной схемы замещения. К ним относятся магнитные сопротивления ярм Rai, R,2 и полюсов Лв1, Ru2 статора и ротора. Замыкание магнитного потока рассеяния частично по зубу (полюсу) магнитопровода делает магнитные сопротивления Л,! и R,2 также нелинейными. Таким образом, задача расчета магнитных проводимостей потоков рассеяния и взаимной индукции ЭДН является линейной с нелинейными граничными условиями, зависящими от потоков в элементах. Изменение геометрических размеров участков магнитной цепи с изменением угла между магнитными осями обмоток статора и ротора ф = Q/p также влияет на магнитное

Угол сдвига фаз между напряжением и током у = фц - ф. зависит от параметров г и х элементов эквивалентной схемы замещения пассивного двухполюсника (см. 2.27).

Угол сдвига фаз между напряжением и током у = ф ~ ф. зависит от параметров г и х элементов эквивалентной схемы замещения пассивного двухполюсника (см. 2.27).

8-46. Имеется параллельное соединение реостата и батареи конденсаторов. При частоте 60 гц активное сопротивление равно 20 ом и емкостное 20 ом. Определить сопротивления элементов эквивалентной неразветвленной цепи.

1. Дайте определения следующим понятиям: нелинейный резистор, нелинейная электрическая цепь, статическое и дифференциальное сопротивления. 2. Дайте определение неуправляемых HP. 3. Качественно изобразите ВАХ известных вам типов неуправляемых и управляемых HP. 4. Для каких известных вам типов HP дифференциальное сопротивление может быть отрицательным? 5. Может ли для реальных HP статическое сопротивление быть отрицательным? 6. В чем заключается препятствие, затрудняющее применять метод контурных токов или метод узловых потенциалов для расчета сложных разветвленных нелинейных цепей? 7. Как заменить несколько параллельных ветвей с HP и источниками ЭДС на одну эквивалентную? Определите характеристики элементов эквивалентной ветви. 8. Перечислите этапы расчета нелинейных цепей (НЦ) методом двух узлов и методом эквивалентного генератора. 9. В чем ограниченность метода замены HP эквивалентным линейным сопротивлением и источником ЭДС? 10. Перечислите свойства, которыми при определенных условиях могут обладать НЦ и не обладают линейные цепи. 11. Охарактеризуйте свойства термисторов и позисторов, фото- и магниторезисторов. 12. Поясните идею расчета схем с применением диакоптики. 13. В чем отличие условий передачи активной мощности нагрузке от источника с нелинейным внутренним сопротивлением и от источника с линейным сопротивлением? 14. Решите задачи 2.4, 2.8,2.13,2.14,2.15,2.20,2.22.

Замена треугольника резистивных элементов эквивалентной звездой должна производиться таки^ образом, чтобы после указанной замены токи в остальной части цепи, а также напряжения между точками ah, be и са остались без изменения.

Для упрощения анализа связей параметров ДК и элементов эквивалентной схемы (макромодели) сигналы, которые усиливаются каскадом, разделяются на дифференциальный и синфазный. Тогда входное сопротивление для дифференциального сигнала в области нижних частот равно

Несмотря на отличие подходов к построению электрических и аналитических макромоделей, их этапы построения примерно одинаковы, только вместо аппроксимирующей функции выбирается структура эквивалентной схемы макромодели, а вместо расчета коэффициентов аппроксимирующей функции определяются параметры элементов эквивалентной схемы.

Различные преобразования, в частности амплитудную модуляцию сигналов, можно осуществить с помощью параметрических элементов, т. е. элементов, электрические параметры которых меняются под действием внешних воздействий

Другим выходом является построение микросхем на основе базового матричного кристалла (БМК), представляющего собой матрицу нескоммутированных (не соедин-ненных между собой) элементов, электрические связи между которыми формируются в соответствии с назначением микросхем на этапе формирования разводки. На основе одного БМК можно изготовить сотни функционально различных устройств.

Как видно из табл. 3.1, использование МДП-транзисторов позволяет реализовать полупроводниковые ИМС с более сложными электрическими функциями при одинаковых площадях исходных кремниевых подложек. С помощью МДП-транзисторов достигаются наивысшая сложность и плотность компоновки элементов, дешевизна при больших объемах производства, малая потребляемая мощность. Кроме того, в МДП-ИМС обычно используются только одна или две разновидности элементов, электрические свойства которых можно изменять путем изменения геометрической конфигурации соответствующего прибора.

В свою очередь оптимальная конфигурация каждого из пленочных элементов и всей пассивной части ИМС определяется совокупностью факторов, основными из которых являются требуемые выходные параметры ИМС, номинальные значения элементов и допуски на них, требуемая плотность размещения, свойства материалов пленочных элементов, электрические режимы и др.

В зависимости от состава (характеристик элементов)"электрические цепи подразделяются на линейные, нелинейные, активные и пассивные. В соответствии с этим развиваются и области синтеза: синтез линейных и нелинейных цепей, синтез пассивных и активных цепей.

По назначению испытания разделяют на электрические, механические и климатические. Перед испытаниями проводят проверку целостности всех деталей, узлов, элементов и отсутствия инородных (посторонних) предметов в приборе. Г Электрические испытания включают проверку соответствия выходных параметров аппаратуры (параметрические испытания), электрической прочности и электрического сопротивления изоляции (испытания на соответствие требованиям ТУ и конструкторской документации). Испытания проводят в нормальных условиях, без демонтажа аппаратуры путем подключения питающих напряжений, пробойной установки или прибора для измерения сопротивления изоляции в определенных точках схемы. При этом определяют точность и стабильность параметров при изменении частоты и амплитуды питающих напряжений в заданных пределах, устойчивость работы схемы после замены отдельных деталей и элементов. Электрические испытания включают в себя также проверку общей работоспособности аппаратуры. Эта проверка заключается в определении времени приведения прибора в действие, в контроле работы индикаторов, защитных устройств и т. д. Электрическую прочность изоляции определяют величиной испытательного напряжения, которое должна выдержать изоляция МЭА. Эта величина оговаривается в ТУ. При повышении влажности допускается некоторое снижение испытательного напряжения.

Проектирование гибридных ИМС должно быть направлено на получение оптимальной топологической структуры и конструкции ИМС в целом. Оптимальность топологической структуры гибридной ИМС заданной функциональной сложности достигается определением оптимальной конфигурации пленочных элементов и оптимальным размещением элементов и компонентов на плате заданного размера. В свою очередь оптимальная конфигурация каждого из пленочных элементов и всей пассивной части ИМС определяется совокупностью факторов, основными из которых являются требуемые выходные параметры ИМС, номинальные значения элементов и допуски на них, требуемая плотность размещения, свойства материалов пленочных элементов, электрические режимы и др.

Кроме рассмотренных основных элементов, электрические цепи содержат и другие необходимые для их эксплуатации элементы; к ним относятся коммутационная аппаратура, предназначенная для включения и отключения, — рубильники, выключатели, переключатели; аппаратура защиты — реле, плавкие предохранители и, наконец,

Базовый матричный кристалл (БМК) - матрица нескоммутирован-ных элементов, электрические связи между которыми формируются в соответствии с назначением микросхемы на этапе формирования разводки. Базовые матричные кристаллы являются универсальными кристаллами-заготовками, расположенными на полупроводниковой пластине. Для изготовления специализированных БИС на их основе (матричных БИС) проектируются и изготовляются 1-3 заказных фотошаблона (маски), с помощью которых на заключительных технологических операциях формируются электрические связи по заданной принципиальной электрической схеме. Метод вентильных матриц позволяет существенно упростить процессы проектирования и производства специализированных БИС, сводя их к трассировке и технологической реализации необходимых электрических соединений.

Набор параметров и характеристик БМК должен быть достаточно полным для потребителя. К типовым параметрам и характеристикам БМК относятся: технология изготовления; число ячеек на кристалле; структура (набор элементов) ячейки; наименование, типовые электрические параметры, схемы и фрагменты! типовых функциональных элементов, формируемых на основе элементов ячеек; параметры элементов ввода-вывода; число периферийных контактных площадок; требования к источнику питания; указания по расположению и использованию контактных площадок для цепей питания и заземления; число заказных фотошаблонов и конструктивно-технологические ограничения, накладываемые при проектировании и выполнении заключительных технологических операций.

Программируемая логическая матрица (ПЛМ) - матрица логических элементов, электрические связи между которыми определяются путем программирования.