Элементов структуры

При групповом способе построения аппаратуры каналы объединяются в группы, линейный спектр которых образуется с помощью групповой модуляции. Поэтому число разнотипных генераторов и фильтров в этом случае определяется числом каналов в группе. По сравнению с индивидуальными системами в групповых сокращается число разнотипных элементов (общее число элементов становится даже больше), что упрощает производство аппаратуры, ее настройку, сокращает число запасных изделий и обеспечивает взаимозаменяемость оборудования.

В ГОСТ 23501.001—83 подсистемы САПР определяются как выделенные по некоторым признакам части САПР, обеспечивающие получение законченных проектных решений и соответствующих проектных документов. Компонентом САПР называют элемент средства обеспечения, выполняющий определенную функцию в подсистеме САПР. С помощью этих элементов становится возможным определить структуру подсистемы. Компоненты как структурные объекты — это элементарные «кирпичики», из которых синтезируются, строятся подсистемы. Важно отметить, что основным признаком, по которому классифици-

Схемы диодной логики строят на полупроводниковых диодах, обычно в комбинации с резисторами. Однако таким способом можно реализовать только два элемента — И и ИЛИ (см. рис, 4,2 и 4.4). Для получения функционально полной системы логических элементов в дополнение к ним в состав устройства- включают транзисторные каскады, выполняющие операцию инверсии. Только в совокупности с этими инвертирующими каскадами система элементов становится функционально полной. Кроме выполнения операции инверсии транзисторные каскады осуществляют и операцию нормирования уровней выходных сигналов. Дело в том, что при передаче сигналов через диодные цепи амплитуда сигнала падает и при прохождении сигнала через несколько последовательно включенных диодных логических схем становится недопустимо малой. Включение промежуточных транзисторных каскадов позволяет устранить это снижение амплитуды перепадов напряжения. Одновременно транзисторный каскад повышает и нагрузочную способность логической схемы.

Теперь после рассмотрения конкретных элементов становится ясной и возможность их классификации по общим свойствам, которые упоминались выше:

Для получения функционально полной системы логических элементов в дополнение к этим элементам в состав устройства включают транзисторные каскады, выполняющие операцию инверсии. Только в совокупности с этими инвертирующими каскадами система элементов становится функционально полной. Кроме выполнения операции инверсии транзисторные каскады выполняют и операцию нормирования уровней выходных сигналов. Дело в том, что при передаче сигналов через диодные цепи амплитуда сигнала падает и при прохождении сигнала через несколько последовательно включенных диодных логических схем становится недопустимо малой. Включение промежуточных транзисторных каскадов позволяет устранить это снижение амплитуды перепадов напряжения. Одновременно транзисторный каскад повышает и нагрузочную способность логической схемы.

2. Податливость из-за зазоров между пластинками. Она вызывается тем, что при сборке между кварцевыми элементами (пластинками) образуются не идеальные плоские, а квазиточечные сопряжения из-за погрешностей обработки, и тем, что на пьезоэлементы наносятся слои металла в качестве электрических контактов. Из-за этого стопка элементов становится податливее и приобретает нелинейную жесткость. Важнейшим следствием этого является то, что становится нелинейной градуировочная характеристика датчика, на которую влияет разделение силы между податливос'тью стопки кварцевых пластинок HK. и податливостью пр устройства, создающего необходи-' мое предварительное сжатие (преднатяг) стопки, или набора, пластинок ( 3.90,а).

Если выполняются условия: L=sCs, B^q, но N>t, т. е. выходов ПЛМ (s, t, q) либо ПЗУ (s, t) не хватает для назначения на них всех выходных переменных yi,...,yn, система 6 может быть тривиально реализована на нескольких ПЛМ (Is, t, q) либо ПЗУ (s, t) за счет расширения ПЛМ или ПЗУ по выходам. В этом случае одноименные входные шины ПЛМ или ПЗУ, число которых равно k\, объединяются между собой так, что число входов k\ элементов становится равным s (здесь k\=}N/t[). На s входов k\ элементов назначаются входные переменные из множества [х\, . . ., XL}, L^s.

Перемещения и усилия в сопряжениях претерпевают разрыв на неизвестную величину (табл. 3.3). Такими сопряжениями являются места соединения конструкции с опорными и подкрепляющими элементами. К ним относятся также типовые особенности разъемных фланцевых соединений (см. гл. 4). Краевая задача для подконструкции с такими разрывными сопряжениями элементов становится многоточечной. Неизвестные разрывы искомых величин в сопряжениях определяются с помощью дополнительных соотношений, как указано в табл. 3.4. Здесь приняты обозначения: и, w, v — осевые, радиальные и угловые перемещения; М, Q, Р — изгибающий момент, поперечное и осевое усилия. Примерами дополнительных соотношений являются задание нулевого изгибающего момента в идеальном шарнирном сопряжении, линейная зависимость опорной реакции от прогиба упругой опоры. Здесь возможны два различных варианта дополнительных соотношений: а/ т^Оиа/ =0.

Коэффициент а можно определить исходя из условия, что по достижении предельного (максимального) значения межэлементной разности потенциалов t/др разность токов белого и черного элементов становится равной 2гч:

При уменьшении глубины залегания перехода и сокращении размеров элементов становится невозможным не учитывать сопротивление стока. Для уменьшения его отрицательного влияния разрабатывается технология нанесения тугоплавких металлов и силицидов металлов на поверхность затвора, а также поверх областей истока и стока. Примеры таких конструкций приведены на 5.28.

перестановочных моделей конкретную струк-структур ТП или элементов структуры а элементов сете-"рафом, не имеющим множество структур элементов структуры за элементов переста-содержащего ори-модели приме-и индивидуаль' проектных реше-связь рассмотренных кого проектирования

Данной структуре присвоено имя PARMBLOCK и она является блоком параметров, который включает указатель задания ТР размерностью 4 байт, параметр COMMAND (1 байт), параметр RESULT (1 байт), два параметра BUFFER1 (4 байт) и BUFFER 2 (2 байт). Имя структуры указывается перед директивой STRUC и перед директивой ENDS, определяющей конец структуры. Важно отметить, что задание структуры, не распределяет конкретные адреса памяти, а лишь определяет взаимное расположение ее элементов. Программа-ассемблер использует имена элементов структуры для определения величины смещения адреса соответствующего элемента от начального адреса структуры. Так, если начальный адрес структуры находится в регистре-указателе параметров РР,

В отличие от гибридных ИМС в полупроводниковых ИМС выделяют следующие элементы конструкции, характеризующиеся определенными значениями интенсивности отказов: кристалл, корпус, соединения. Однако активные и пассивные элементы полупроводниковых ИМС формируются в объеме и (или) на поверхности кристалла с помощью определенного числа технологических операций и не могут считаться самостоятельными (дискретными) при расчете надежности. Их надежность во многом будет зависеть от сложности технологического процесса. Анализ отказов полупроводниковых биполярных и МДП-ИМС позволяет выявить наиболее часто встречающиеся отказы, обусловленные различного рода дефектами, и определить их интенсивность. Так, для полупроводниковых ИМС, в зависимости от вида дефекта, установлены такие значения интенсивности отказов элементов структуры и конструкции:

ный коэффициент, учитывающий влияние окружающей температуры и электрической нагрузки; kt = kik2k3— поправочный коэффициент, учитывающий механические воздействия,относительную влажность и изменение атмосферного давления; Яг — интенсивность отказов элементов структуры (транзисторов, диодов, резисторов), металлизации, кристалла и конструкции (соединений, корпуса).

Принцип регулярности структуры синтезируемой схемы применяют при проектировании ДУ из МИС/ СИС, но наибольший эффект от его применения наблюдается при использовании БИС. Этот принцип предполагает закономерную повторяемость элементов структуры и связей между ними.

7. Выполняют разработку топологического чертежа фильтра, который определяет взаимное расположение всех элементов и их соединение на звукопроводе согласно синтезированной структуре. Исходными данными для разработки топологии фильтра являются: результаты расчета структуры фильтра; конструкторские ограничения, вызванные проектированием и размещением элементов структуры на подложке; технические требования к электрическим параметрам пленочных элементов; технологические ограничения, обусловленные процессом изготовления фильтра, и др.

В процессе разработки топологии акустоэлектронного фильтра выделяют четыре этапа: 1) размещение элементов структуры и электрических соединительных проводников; 2) выполнение эскизного чертежа на миллиметровой бумаге в масштабе 10: 1; 20 : 1 или другом, кратном 10, соблюдая технологические, конструкторские требования и ограничения, которые изложены в [5, 71; 3) выполнение топологического чертежа платы фильтра; 4) оценка качества разработанной технологии.

нивают ее качество, т. е. определяют реактивные параметры элементов структуры фильтра и паразитные связи между ними. Собственные емкость Спп(пФ) и индуктивность 1пп(мкГн) пленочного проводника прямоугольной формы могут быть рассчитаны по формулам:

электрик обладает, как правило, спектром значений времени релаксации и вероятностным распределением числа релаксирующих элементов структуры по времени релаксации [7]. Если спектр дискретный, то очевидно, что

Устройство управления управляет работой АЛУ и всех других элементов структуры МП. Поступающие в УУ из памяти команды преобразуются в двоичные сигналы, непосредственно воздействующие на все элементы структуры и стимулирующие выполнение данной команды. Кроме того, УУ, синхронизируемое таймером, распределяет процесс выполнения команды во времени. Команда представляет собой двоичное слово из 8, 16, 24 и более разрядов (до 64), часть которых представляет собой код опера-

Блоки АЛУ, УУ, Р образуют центральный процессор (ЦП), входящий в состав любой ЭВМ: выделенный на 21.2 штриховой линией. В состав МП может входить таймер (Т), использующий навесной времязадающий конденсатор или кварцевый резонатор. Таймер—сердце МП, поскольку его работа определяет динамику всех информационных, адресных и управляющих сигналов и синхронизирует работу УУ, а через него и других элементов структуры. Частота синхронизации, называемая тактовой, выбирается максимальной и ограничивается только задержками прохождения сигналов, определяемыми в основном технологией изготовления БИС. Скорость выполнения микропроцессором программы прямо пропорциональна тактовой частоте.