Физическими параметрами

• Температура ограничивается физическими, химическими и электрическими свойствами материала.

Свойства пленочных элементов определяются материалом, конфигурацией и способом нанесения пленок, а следовательно, их физическими, химическими, механическими и электрическими свойствами. Обычные требования к электрическим параметрам, значениям параметров и точности пленочных элементов должны быть связаны с такими конструктивными факторами, как типы используемых пленок, их относительное расположение, толщина, форма и применяемая технология. Поэтому процесс проектирования гибридных ИМС носит комплексный характер, где решающую роль играют свойства пленок, возможности технологии, характеристики элементов и их влияние на выходные параметры ИМС.

Слюда, керамические материалы, стекло, кварц или их комбинации, применяемые без связующих или с неорганическими и элемеитоорганическими связующими _ составами. Температура применения этих материалов оп-' ределяется их физическими, химическими, механическими и электрическими свойствами

С Свыше 180 Слюда, керамические материалы, стекло, кварц или их комбинации, применяемые без связующих или с неорганическими и элементо-органическими составами. Температура применения этих материалов определяется их физическими, химическими, механическими и электрическими свойствами

С Свыше 180 Слюда, керамические материалы, стекло, кварц или их комбинации, применяемые без связующих или с неорганическими и элементо-органическими составами. Температура применения этих материалов определяется их физическими, химическими, механическими и электрическими свойствами

простые сочетания материалов, для которых на основании практического опыта или соответствующих испытаний установлено, что они могут работать при температуре, соответствующей данному классу. Температура применения этих материалов определяется их физическими, химическими, механическими и электрическими свойствами.

Свойства пленочных элементов определяются материалом, конфигурацией и способом нанесения пленок, а следовательно, их физическими, химическими, механическими и электрическими свойствами. Обычные требования к электрическим параметрам, значениям параметров и точности пленочных элементов должны быть связаны с такими конструктивными факторами, как типы используемых пленок, их относительное расположение, толщина, форма и применяемая технология. Поэтому процесс проектирования гибридных ИМС носит комплексный характер, где решающую роль играют свойства пленок, возможности технологии, характеристики элементов и их влияние на выходные параметры ИМС.

Слюда, керамические материалы, стекло, кварц или их комбинации, применяемые без связующих или с неорганическими и элементо-органическими составами. Температура применения этих материалов определяется их физическими, химическими, механическими и электрическими свойствами

Слюда, керамические материалы, стекло, кварц или их комбинации, применяемые без связующих или с органическими и элементоорганиче-скими составами. Температура применения этих материалов определяется их физическими, химическими, механическими и электрическими свойствами

П класс С — слюда, стекло, кварц, керамические материалы с неорганическими связующими составами или без них, (0тт >180°С), ограничивается физическими, химическими или электрическими свойствами материала).

С Свыше 180 Слюда, керамические материалы, стекло, кварц или их комбинации , применяемые без связующих или с неорганическими и элементоорганическими составами. Температура применения этих материалов определяется их физическими, химическими, механическими и электрическими свойствами

С Свыше 180 Слюда, керамические материалы, стекло, кварц или их комбинации, применяемые без связующих или с неорганическими и элементоорганическими составами. Температура применения этих материалов определяется их физическими, химическими, механическими и электрическими свойствами

Регулировкой называют совокупность технологических операций, в результате которых параметры прибора приводят в соответствие с техническими требованиями. Необходимость регулировки вызвана погрешностями изготовления деталей, разбросом физических параметров, а также неточностью взаимного расположения деталей и узлов прибора. Физические параметры от прибора к прибору меняются также под действием таких факторов, как время, температура, взаимное электромагнитное влияние элементов друг на друга. Точное определение этого влияния расчетным путем в настоящее время пока еще невозможно. Между физическими параметрами и размерами деталей и сборочных единиц часто не существует строгой зависимости: при достаточно жестких допусках на размеры деталей и сборочных единиц колебания в значениях их физических параметров так велики и непостоянны, что не мотут

Параметры Т-образной эквивалентной схемы называются внутренними (физическими) параметрами, так как они отражают физические процессы

Для переменных сигналов малой амплитуды, приводящих к незначительному изменению электрического режима в линейной части ВАХ, биполярный транзистор можно представить эквивалентным линейным четырехполюсником, параметры которого принято называть /г-параметрами. К ним относятся: hll — входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе; Л12 — коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе на входе; /г21 — коэффициент усиления (передачи) по току при коротком замыкании на выходе; /?22 — выходная проводимость при холостом ходе на входе. Основное преимущество /г-параметров заключается в легкости их непосредственного измерения. Отметим, что существуют специальные таблицы формул, связывающих /г-параметры различных схем включения транзистора между собой, а также с физическими параметрами и другими системами параметров.

схема широко используется в инженерной практике (при расчетах токораспре деления в сложных цепях, при анализе режима работы и т.п.) . Сопротивления г б' г э' гк и коэффициент усиления /3 являются физическими параметрами транзистора. Важно подчеркнуть, что для разных режимов работы указанные параметры не постоянны. В то время как сопротивление базы г g изменяется незначительно, сопротивления переходов г и г * обратно пропорциональны протекающим токам [см. формулы (3.5) и (З.о)]. Наиболее заметно прояв ляется непостоянство коэффициента усиления /3, величина которого зависит от многих факторов. В частности?ранее отмечалось, что наклон выходных характеристик увеличивается при повышении напряжения на коллекторе, что ука зывает на возрастание /3 вследствие модуляции толщины базы.

Т-образная эквивалентная схема транзистора с физическими параметрами ( 2.14, б) для схемы включения транзистора ОЭ (см. 2.12, б) может быть получена из схемы 2.14, а путем изменения входных зажимов и введением эквивалентного источника тока hz\J&, характеризующего передачу тока из базовой цепи в коллекторную с коэффициентом передачи тока базы П2\б- Однако при /б = const изменения коллекторного тока равны изменениям эмиттерного тока, которые в (/izu+l) раз больше соответствующих изменений тока базы. Поэтому параллельно генератору тока /121э/б следует включить сопротивление гк = гк/(/121э + 1) и емкость Ск = Ск(/121э + 1).

Физическими параметрами транзистор а, не зависящими от схемы его включения, являются:

Модель Эберса — Молла. Моделирование ставит своей задачей установление связей между физическими параметрами и электрическими характеристиками приборов. Особенно необходимо моделирование при разработке интегральных микросхем, когда по простым и точным моделям приборов удается определить поведение сложной схемы.

Таким образом, модели Линвилла составляются без учета инерционности изменения концентрации носителей в базе при изменениях напряжений на р—п переходах. Эти модели относятся к физическим, так как они позволяют связать внешние электрические характеристики схемы с физическими параметрами диодов и транзисторов.

Для проведения расчетов цепей с транзисторами находит применение схема замещения транзистора в физических параметрах, в которой все ее элементы связаны с внутренними (физическими) параметрами транзистора. Такая схема наглядна и удобна для анализа влияния параметров прибора на показатели схем с транзисторами.

Между мощностью, рассеиваемой в блоке, температурой отдельных частей, геометрическими и физическими параметрами конструкции и условиями эксплуатации должна существовать зависимость. Задача состоит в том, чтобы найти эту зависимость.

С помощью Т-образной схемы замещения транзистора эквивалентную схему каскада приведем к виду, показанному на 3.37, где гвх = ивх /f'BX- В данной схеме гвх = («Уб + ^эУ'б = гй + (В + 1)гэ> гДе Лвх = 'вха = йна. т. е физическая эквивалентная схема транзистора позволила установить связь между параметром А1)а, получаемым при линеаризации входных характеристик, и физическими параметрами транзистора.