Граничное напряжение

Если электропроводность сред не равна нулю, то вдоль граничной поверхности раздела сред будет распределен поверхностный

Влияние граничной поверхности на область, ограниченную ею, можно учесть системой токов, создающих то же распределение магнитной напряженности в заданном пространстве при удаленной границе раздела областей в бесконечность. Этот метод называется методом отображений [3, 4]. На 17.4, а параллельно бесконечной плоскости, ограничивающей ферромагнитную среду, расположен проводник с током /. Картина магнитного поля показывает, что линии напряженности поля перпендикулярны поверхности ферромагнитной среды, которая является поверхностью равного магнитного потенциала. Аналогичная картина поля в левой полуплоскости имеет место в случае, когда поле образовано двумя проводниками е равными токами, протекающими в одном направлении, при расстоянии между осями проводников 11 ( 17.4,6).

2я (х*+ у*4- «i2)3'1 Можно показать, что весь заряд, индуцированный на граничной поверхности проводящей среды, равен фиктивному заряду. Для этого надо произведение сг„нд dS проинтегрировать по всей плоскости хоу: -}-00 СО СО С ГС Уинд = <*ннд«ю = 4 1 ЛУ I °инд dx = J J J -оо 00 СО СО 2Qd f f dx

Электростатическое поле в ди.--, электрике при отсутствии .свободных объемных зарядов .описывается уравнением Лапласа. Поэтому если две одинаково .ограниченные области — проводящая (без сторонних э. д. с.) и диэлектрическая (без свободных зарядов) имеют на граничной поверхности одинаковое распределение потенциала, то внутри каждой из этих областей распределение потенциала будет также одинаковым. с>то обстоятельство позволяет пользоваться формулами, полученными при: расчете электростатических полейь в случае поля постоянного тока. При этом емкость необходимо заменить проводимостью, абсолютную диэлектриче-

Если по граничной поверхности течет ток конечной величины с поверхностной плотностью т, то

где tip проекция вектора г] на направление нормали к А1. Нормаль эта должна совпадать с плоскостью, касательной к граничной поверхности.

На границе двух сред касательная составляющая вектора напряженности магнитного поля претерпевает скачок, равный плотности поверхностного тока, протекающего по границе. Если т]°в=0, т. е. по граничной поверхности ток не протекает, то Я1т =Я2т , т.е. касательная состав-

При решении конкретных задач должны быть учтены начальные и граничные условия. Например, в момент / = 0 должны быть заданы значения векторов Е и Н во всех точках объема V, в котором исследуется поле; кроме того, должны быть известны значения этих векторов на граничной поверхности S в течение всего промежутка времени от 0 до /.

с для среды с Е = const, u = const и если на поверхности раздела нет const-свободных зарядов, то сг = 0. Если на ' граничной поверхности нет тока, то rotH = vE 4- е — •

так как в любой точке граничной поверхности 5 направление Е2 совпадает с нормалью. Теорема Умова — Пойнтинга примет вид <

она убывает в е2* раз на расстоянии, равном половине длины волны. Следовательно, формулы, полученные в предложении, что проводящая среда не ограничена в направлении распространения, справедливы и в том случае, когда область // ограничена с двух сторон: при 2 = 0 и при г > К/2. При приближенных расчетах эти формулы могут быть применены в том случае, когда граница не плоская. Необходимо только, чтобы длина нолны в проводнике была во много раз меньше радиуса кривизны граничной поверхности.

чественные транзисторы используют параметры предельно допустимых напряжений на электродах. Граничное напряжение при отключенной базе UK3O регламентируемое ТУ, является по сути дела единственным параметром, соответствующим смыслу пробивного напряжения перехода коллектор — эмиттер.

При изготовлении транзисторов по единой технологии в силу разброса электрофизических параметров исходных полупроводниковых материалов, разброса технологических режимов и наличия большого числа случайных факторов изготавливаемые транзисторы, как правило, имеют существенный разброс основных параметров. Поэтому транзисторы классифицируются (подразделяются на группы) по интервальным значениям параметров или их сочетанию. Параметры, по которым производится такое подразделение, называются классификационными. Система классификационных параметров может быть различной для транзисторов различных функциональных назначений. Наиболее часто в систему классификационных параметров входят: постоянное граничное напряжение коллектор — эмиттер ?/кэ ГР — аналог ил (см. §2.2.4) (или другие предельно допустимые напряжения), коэффициент передачи тока базы для большого /i2iэ и малого Л2Э сигналов, постоянный обратный ток коллектора /КБО при разомкнутой цепи база — эмиттер. В состав классификационных параметров могут входить граничная частота и коэффициент шума транзистора (для малошумящих транзисторов).

Для мощных транзисторов в справочниках приводят ряд специфических параметров. К ним относятся граничное напряжение ?/кэогр (для /в =0), при котором ток эмиттера достигает заданного значения. Для высокочастотных и сверхвысокочастотных мощных транзисторов вместо граничной частоты иногда указывают критический ток эмиттера /,ф при заданной граничной частоте, которая на 3 дБ меньше максимально возможной частоты при оптимальном токе. Кроме того, для этих транзисторов приводят максимальную отдаваемую мощность высокочастотного сигнала при заданных напряжении t/кэ и частоте f, а также коэффициент полезного действия по коллекторной цепи (см. §4.8).

1/кэ — напряжение коллектор-эмиттер; t/кэо.гр — граничное напряжение биполярного транзистора; ?/КЭо — постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе

Граничное напряжение при /э = 5 мА не менее . . . . 15В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при/к = 10 мА,

Граничное напряжение при /Эи = 25 мА не менее:

Граничное напряжение при /э = 10 мА, ти < 30 мкс, скважности > 100 не менее:

Граничное напряжение при /эи = 3,5 мА не менее:

Граничное напряжение при (7кб = '2 В, /э = 10 мА, хи = 100 мкс и Q > 10 не менее ......... 12 В

Граничное напряжение при /Эи = 5 мА, ?/КБ =15 В,

Граничное напряжение не менее: