Изменение управляющего

и далее получаем относительное изменение удельного расхода тепла в процентах:

Соответствующая величина по [1-35] равна — 0,29%. Определим для той же установки изменение удельного расхода тепла при повышении Тя на ЛГВ=10 К-Использовав (1-36), найдем:

Расчеты показывают, что изменение удельного расхода условного топлива составило —4,99 г/(кВт-ч), и все станции системы улучшили свои показатели. Однако хотя станция 2 и снизила удельный расход условного топлива, рост доли ее выработки дал ухудшение структурной составляющей, так как ее удельный расход условного топлива был выше системного удельного расхода и тем самым снизил суммарный эффект от улучшения работы на других КЭС энергосистемы.

Для измерения деформаций применяются полупроводниковые приборы — тензометры, в основу работы которых положен тензо-эффект. Этот эффект заключается в том, что при приложении давления к полупроводнику с кристаллической структурой происходит изменение его удельной проводимости. Это изменение характеризуется тензочувствительностью т, равной пг= (Др/р)/(Д///), где Др/р — относительное изменение удельного сопротивления полупроводника; Д/// — относительная деформация полупроводника. Тензометры делятся на два типа: тензорезисторы и тензоди-оды. Полупроводниковый прибор, величина сопротивления которого меняется при деформации, называется тензорезистором (табл. 10.1).

ление образцов 'и контактов к ним. Для быстрого измерения удельного сопротивления используют четырехзондовый метод, метод сопротивления растекания точечного контакта, а также метод Ван-дер-Пау. Указанные методы удобны, позволяют выполнять измерения ле только на однородных образцах, но и на диффузионных, эпитаксиальных и ионно-легированных слоях, а также исследовать пространственное изменение удельного сопротивления. Для зондо-вых методов силовые линии напряженности электрического поля

2.3.2.Изменение удельного сопротивления ПМ при деформациях

ные атомы ионизированы. Поэтому изменение удельного сопротивления связано только с зависимостью \лр = \JLP(Т), которая при малых концентрациях примесных атомов определяется рассеянием основных дырок на тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки. При более высоких концентрациях атомов акцепторной примеси существенным становится их влияние на подвижность дырок. В области температур, для которой справедливо условие Pi ж Na, знак температурного коэффициента сопротивления резистора может измениться на отрицательный. При р, < jVa коэффициент TK.R с дальнейшим повышением температуры всегда остается отрицательным.

где (—— I — относительное изменение удельного сопротивления для

Относительное изменение удельного сопротивления полупроводников с атомной решеткой и одним знаком носителей заряда, которые наиболее часто используются при изготовлении преобразователей Гаусса, описывается выражением

Медь является одним из наиболее распространенных проводниковых материалов, применяемых для контактов аппаратов, благодаря ряду преимуществ сравнительно с другими металлами (изменение удельного сопротивления меди при изменении температуры, окисление и влияние других факторов на условия работы медного контакта).

а — изменение удельного электрического сопротивления по длине ионокри* стаяла германия; б, в — полосы роста в продольном и поперечном сечениях монокристалла арсенида галлия. XI

Связь управляющего параметра п с углом управления осу = со ty определяет математическая модель системы управления, которая имеет устройство синхронизации с напряжением переменного тока. При моделировании изменение управляющего параметра п производит математическая модель системы управления, которая не рассматривается в настоящем учебном пособии.

Следует отметить, что постоянная времени транзистора зависит не только от параметров транзистора, но и от параметра каскада, в частности от коллекторной нагрузки RK. Рассмотрим каскад с указанной нагрузкой ( 3.39). Генератор напряжения ывх(0 создает изменение управляющего напряжения с амплитудой Umsx ( 3.40, а). При Rt ^> ftlla базовый ток транзистора i6(t) = Im0 = const ( адх 3.40, б) и по форме повторяет изменение напряжения ывх(0- При „ большом значении У?г- можно считать, ^ что база транзистора подключена 1 к генератору тока /тб так же, как в рассмотренном ранее случае. В от- О

положение Лив схеме не восстановится исходный режим. Аналогично точкой устойчивого равновесия будет и точка Я. Для перехода схемы из одного состояния устойчивого равновесия в другое требуется уже не малое случайное отклонение входного напряжения и4, а значительное изменение управляющего напряжения «вх. Такое изменение входного напряжения приводит к смещению прямой (6.1). Когда эта прямая станет касательной к характеристике ы2 = /(«(), точка пересечения Л переходит в точку касания Л„ ( 6.10, б) и перестает быть устойчивой. Коэффициент усиления в данной точке К = 1. Входной сигнал вызвал переход усилителя в активный режим работы и обеспечил возможность переключения триггера. Если на входе триггера (см. 6.8, а) был статический уровень напряжения Ulo, то на его выходе напряжение равно U2_i ( 6.10, б). Минимально необходимое напряжение входного сигнала, обеспечивающее переключение триггера, соответствует пороговой амплитуде входного сиг-

На стадии формирования плоской вершины переходный процесс определяется постоянной времени накопления т„, которая характеризует продолжительность установления рекомбинации носителей заряда, и временем перезаряда паразитных емкостей. В ключе на биполярном транзисторе эта стадия начинается после насыщения транзистора. В диодных ключах эта стадия начинается тогда, когда прекращается изменение управляющего сигнала. Длительность времени установления заряда в базе транзистора или диода можно оценить по формуле /уст = = (2 ... 3) т„. В ключевых элементах на униполярных транзисторах стадия формирования плоской вершины наступает после того, как транзистор начинает работать в крутой области вольт-амперной характеристики. Длительность времени установления определяется временем перезаряда паразитных емкостей.

Разработанная система не только наилучшим образом уменьшает влияние случайного момента статических сопротивлений М0 (t) на :табилизацию скорости ИО, но и обеспечивает демпфирование упругих свойств объекта при переводе системы с одной скорости зращения на другую. На 4-13 показана реакция системы на скачкообразное изменение управляющего воздействия А«у = 0,1. При этом на входе системы (см. 4-12) для обеспечения единичного коэффициента передачи по управлению реализован масштабирующий коэффициент WT1 (0) = 1 + k% + Й4 = = 6,4.

сти от коллекторной нагрузки ^к. Рассмотрим каскад с указанной нагрузкой ( 3.37). Генератор напряжения мвх(0 создает изменение управляющего напряжения с амплитудой UmJSX ( 3.38, а). При Ri^>hll3 базовый ток транзистора гб(t) = Im6 = const ( 3.38, б) и по форме повторяет изменение напряжения uBli(t). При большом значении R, можно считать, что база транзистора подключена к генератору тока 1т6, так же как в рассмотренном ранее

жеиие Uzd, а напряжению U2ct — новое значение входного сигнала, равное ULl. Напряжение (71; < с/1Л+ Д, т. е. отклонение от начального состояния равновесия не увеличилось, а уменьшилось. Процесс изменения значений иг происходит до тех пор, пока изображающая точка не возвратится в положение Лив схеме не восстановится исходный режим. Аналогично точкой устойчивого равновесия будет и точка В. Для перехода схемы из одного состояния устойчивого равновесия в другое требуется уже не малое случайное отклонение входного напряжения ult а значительное изменение управляющего напряжения мпх. Такое изменение входного напряжения приводит к смещению прямой (5.1). Когда эта прямая станет касательной к характеристике u2 = f(ul] ( 5.10,6), точка пересечения Л переходит в точку касания Л0 и перестает быть устойчивой. Коэффициент усиления в данной точке /С=1. Входной сигнал вызвал переход усилителя в активный режим работы и обеспечил возможность переключения триггера. Если на входе триггера (см. 5.8, а) был статический уровень напряжения U10, то на его выходе напряжение равно i/2_! ( 5.10, б). Минимально необходимое напряжение входного сигнала, обеспечивающее переключение триггера, соответствует пороговой амплитуде входного сигнала ивх.„. При амплитуде входного сигнала f/mBX < с/вх. „ переключение триггера в новое состояние равновесия невозможно; воздействие такого сигнала не приведет к изменению выходного напряжения ?/2_j. Запуск возможен только при c/OTBX > ?/„„. „. Будем считать, что для переключения триггера подается сигнал с амплитудой Uтщ, превышающей пороговый уровень на Е0, т. е. Uтвх=

§ 12.9. Введение к расчету переходных процессов в электрических цепях с управляемыми НЭ. Особенностью переходных процессов в электрических цепях с управляемыми НЭ является то, что в них происходит два неразрывно связанных и влияющих друг на друга процесса: изменение управляющего фактора и изменение управляемой величины.

Кроме того, приходится учитывать инерцию электронов, которые, несмотря на малые размеры и массу, не в состоянии мгновенно реагировать на изменение управляющего напряжения. Существует определенная для каждого типа ламп частота, на которой время преодоления электронами междуэлектродных пространств становится соизмеримым с периодом переменного напряжения, управляющего их полетом. Начиная с этой частоты, между анодным током лампы и управляющим напряжением на ее сетке появляется заметный фазовый сдвиг, искажающий форму импульса анодного тока.

то даже при т->-оо линия % перестает пересекаться с линиями ми и СИФУ вертикального действия не отрабатывают изменение управляющего сигнала до тех пор, пока

Гетеродин собран на транзисторе Тз по схеме емкостной трехточки с ОБ. Обратная связь между коллектором и эмиттером транзистора осуществляется через конденсатор Cig. Резисторы R-,, R^, Rg и R^ определяют режим транзистора Тз по постоянному току. Подаваемое на него напряжение стабилизируется при помощи резистора Rn и стабилитрона Дх (Д809). Частота гетеродина определяется параметрами контура L^, Ci, и емкостью варикапа Д^ (Д902), На варикап через резистор подается управляющее напряжение, что позволяет осуществить электронную подстройку частоты гетеродина. Изменение управляющего напряжения от 1 до 11 В вызывает изменение частоты в пределах ±1,5 МГц. Напряжение гетеродина, поступающее на смеситель через конденсатор С^, имеет зависимости от канала значение от 50 до 200 мВ.