Интегральные солнечные

1 Днткин В. А., Прудников А. П. Интегральные преобразования и операционное исчисление, СМБ.— М.: Физматгиз, 1961.

7. Диткин В. А., Прудников А. Т. Интегральные преобразования и операционное исчисление. Госиздат, 1961.

Глава тринадцатая. Интегральные преобразования Фурье и Лапласа . . . 22.0

13-2. Спектр апериодических функций; интегральные преобразования Фурье . 221

13-7. Интегральные преобразования Лапласа............. 231

ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ФУРЬЕ И ЛАПЛАСА

13-2. СПЕКТР АПЕРИОДИЧЕСКИХ ФУНКЦИЙ; ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ФУРЬЕ

Интегральные преобразования (13-16) и (13-18) называют прямым и обратным интег-

13-7. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЛАПЛАСА

Подобно тому как для решения дифференциальных уравнений применяются интегральные преобразования Лапласа и Карсона, так и для решения разностных уравнений используются дискретные преобразования. Наиболее распространены два вида дискретных преобразований:

5.5. Из каких вращающихся векторов состоят векторные диаграммы, отображающие интегральные преобразования Фурье (5.47) и (5.49)?

5.2. Кувано Ю., Охниши М. Интегральные солнечные модули на основе аморфного кремния............................... 235

/ - элементы p-i-n малой площади; // - то же, большой; III — МДП-элементы малой площади; IV — каскадные солнечные батареи на a-SiC гетеропереходах; V - порог экономической выгодности производства наземных солнечных батарей; VI — a-Si гомопереход; VII - интегральные солнечные батареи на гетеропереходах из a-SiC; 1-4 - данные фирмы RCA (X - неопубликованные данные; / - оксиды индия-олова/ p-i-n a-Si:H; 2 - Pt/a-Si:H; 3- р a-SiC:H/;-« a-Si:H; 4 - обратная p-i-n a-Si:H структура); .5-7 - данные Университета в Осаке (3 - оксиды нндия-олова или SnOj/p-i-и a-Si:H; 6 - каскадная батарея из двух элементов; 7 - р a-SiC:H/ i-n a-Si:H; 8-11 - данные фирмы "Sanyo" (S - оксиды нндия-олова/ p-i-n a-Si:H; 9 - интегрированный элемент; 10 - обратная p-i-n a-Si:H структура; 11 - р a-SiC:H/ i-n a-Si.H); 12-14 - данные фирмы "Fuju" (12 - Pt/a-Si:Hj 13 - обратная p-i-n a-Si:H структура; 14 - n мк-Si/i-p a-Si:H); /5 - данные Университета в Данди (обратная p-i-na-Si:H структура); 16, 17 - данные фирмы ECD (16- AuPd/NbO/a-Si:H:F; 17- a-Si:F:H); 18, 19 - данные фирмы "Mitsubishi" (18- каскадная батарея на основе a-SiGc:H; 19 - обратная p-i-n a-Si:H структура); 20 - данные фирмы NEC (оксиды индия-олова/ p-i-n a-Si:H); 21 ~ данные фирмы "Teijin C.R.L." (оксиды индия-олова/р-/-и/ реактивно распыленная нержавеющая сталь/полиамид); 22-23 - данные Токийского технологического университета (22 - Аи// a-Si:F:H/« a-Si:H; 23 -окснды нндия-олова/ p-i-n a-Si:H); 24 - данные Университета в Хиросиме (Pt/i-n химически осажденный a-Si/и к-Si); 25 - данные фирмы "Sumitomo" (p a-SiC:ft/ i-n a-Si:H); 26, 27 - данные фирмы "Shaip-ECD" (26 - каскадная батарея на основе a-SiGe:F:H; 27 - a-Si:F:H); 28 - данные фирмы "Siemens" (оксиды индия-олова/ n-i-p a-Si:H/Ag); 29 - 31 - данные Университета в Осаке (29 - pa-SiC:H/i a-Si:H/M мк-Si/Ag. 30 - окснды нндия-олова/ п мк-Si/i-p a-Si:H/TiO2Ag/ нержавею-Щая сталь; 31 - оксиды индия-олова/и мк-Si/i-p a-Si:H/« к-Si/p поли-Si/Al

5.2. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СОЛНЕЧНЫЕ МОДУЛИ НА ОСНОВЕ АМОРФНОГО КРЕМНИЯ

Рассматриваются интегральные солнечные модули на основе аморфного кремния (a-Si), в которых каждый элемент с p-i-n- переходом соединяется сбоку последовательно. Эти модули интегрального типа были разработаны с целью увеличения их размеров при сохранении высокого к.п.д. Проводится расчет оптимального числа элементов на одной подложке интегрального модуля. На базе этих расчетов создан интегральный солнечный модуль на основе a-Si, состоящий из девяти элементов со структурой SnO2/p a-SiC/г-м a-Si. Наибольший к.п.д. для модулей размером 10 X X 10 см2 при освещении в условиях АМ-1 (100 мВт/см2) составляет 6,35 %. Описываются их достоинства.

В настоящей статье описаны причины размерного эффекта в солнечных элементах на основе a-Si со структурой стекло/оксиды индия-олова (ОЯО)/р-г-«/металл. В работе также представлены интегральные солнечные модули на основе a-Si с су-

Интегральные солнечные модули могут производиться следующим образом. Например, в модуле // типа ( 5.2.5, б) первыми на стеклянную подложку осаждается ряд разделенных прямоугольных прозрачных контактов. Далее на прозрачные контакты через соответствующую металлическую маску реально осаждаются р-, /'- и и-слои; затем на слои a-Si через соответствующую маску наносятся алюминиевые контакты. .Алюминиевый контакт первого элемента находится в соединении с прозрачным контактом второго элемента по всей боковой границе, таким образом эти два элемента соединены последовательно. При производстве интегральных модулей все соединения между элементами при использовании

Интегральные солнечные модули на основе a-Si обладают рядом преимуществ перед солнечными батареями на основе монокристаллического кремния.

1. Интегральные солнечные модули на основе a-Si, изготовленные на одной подложке, дают высокое выходное напряжение и нет необходимости в соединении каждого элемента с токоведущими проводами, как это делается в случае солнечных элементов на основе монокристаллического кремния [41].

Разработка таких солнечных батарей большой площади и непрерывное расширение их применения в различных исследовательских центрах мира находятся в прямой связи с повышением их к.п.д. [44]. Этот процесс также сопровождается попытками создания солнечных панелей, в которых используются интегральные солнечные модули большой площади [43].

5.2. Кувано Ю., Охниши М. Интегральные солнечные модули на основе аморфного кремния............................... 235

/ - элементы p-i-n малой площади; // - то же, большой; III — МДП-элементы малой площади; IV - каскадные солнечные батареи на a-SiC гетеропереходах; V - порог экономической выгодности производства наземных солнечных батарей; VI — a-Si гомопереход; VII - интегральные солнечные батареи на гетеропереходах из a-SiC; 1-4 - данные фирмы RCA (X - неопубликованные данные; / - оксиды индия-олова/ p-i-n a-Si:H; 2 - Pt/a-Si:H; 3- р a-SiC:H/;-« a-Si:H; 4 - обратная p-i-n a-Si:H структура); .5-7 - данные Университета в Осаке (5 - оксиды нндия-олова или SnO2/p-/-« a-Si:H; 6 - каскадная батарея из двух элементов; 7 - р a-SiC:H/ i-n a-Si:H; 8-11 - данные фирмы "Sanyo" (8 - оксиды нндия-олова/ p-i-n a-Si:H; 9 - интегрированный элемент; 10 - обратная p-i-n a-Si:H структура; 11 - р a-SiC:H/ i-n a-Si.H); 12-14 - данные фирмы "Fuju" (12 - Pt/a-Si:Hj 13 - обратная p-i-n a-Si:H структура; 14 - n мк-Si/i-p a-Si:H); /5 - данные Университета в Данди (обратная p-(-na-Si:H структура); 16, 17 - данные фирмы ECD (16- AuPd/NbO/a-Si:H:F; 17- a-Si:F:H); 18, 19 - данные фирмы "Mitsubishi" (18- каскадная батарея на основе a-SiGc:H; 19 - обратная p-i-n a-Si:H структура); 20 - данные фирмы NEC (оксиды индия-олова/ p-i-n a-Si:H); 21 - данные фирмы "Teijin C.R.L." (оксиды индия-олова/р-/-п/ реактивно распыленная нержавеющая сталь/полиамид); 22-23 - данные Токийского технологического университета (22 - Аи// a-Si:F:H/« a-Si:H; 23 -окснды индия-олова/ p-i-n a-Si:H); 24 - данные Университета в Хиросиме (Pt/i-n химически осажденный a-Si/и к-Si); 25 - данные фирмы "Sumitomo" (p a-SiC:ft/ i-n a-Si:H); 26, 27 - данные фирмы "Sharp-ECD" (26 - каскадная батарея на основе a-SiGe:F:H; 27 - a-Si:F:H); 28 - данные фирмы "Siemens" (оксиды индия-олова/ n-i-p a-Si:H/Ag); 29 - 31 - данные Университета в Осаке (29 - pa-SiC:H/i a-Si:H/H мк-Si/Ag. 30 - окснды нндия-олова/ п мк-Si/i-p a-Si:H/TiO2Ag/ нержавею-Щая сталь; 31 - оксиды индия-олова/и мк-Si/i-p a-Si:H/« к-Si/p поли-Si/Al