Импульсных переключающих

Изучение импульсных свойств и определение импульсных параметров сердечника являются важным фактором в оценке возможности и целесообразности применения фер-ритовых сердечников в тех или иных устройствах.

аппроксимации для обоих участков справедливы формулы (1-9) и (1-10), но различны значения импульсных параметров. Импульсные

2.5. ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫХ ПАРАМЕТРОВ

Сопротивления Ri и R2 ( 2.25,а) в сумме образуют сопротивление нагрузки. Значение /?2 обычно равно 50 или 75 Ом. При измерении импульсных параметров учитываются паразитные индуктивности и емкости, возникающие в измерительной установке и цепи. Для

2.25. Схема измерения импульсных параметров транзисторов при характеристических параметрах импульса порядка 10 не (а); порядка 10—100 не (б) и схема измерения времени рассасывания (s). -

При измерении импульсных параметров в наносе-«ундном диапазоне высокая блокировочная емкость и малая паразитная индуктивность достигаются при помощи схемы, показанной на 2.25,6, в которой коллекторная нагрузка заземлена, а к эмиттеру подключен 86

2.5. Основные методы измерения импульсных параметров 84

В качестве импульсных параметров используются также время

мени ti остается малым, накопленные носители экстрагируются в р-область и обратный ток диода резко спадает. Внутреннее поле базы помогает процессу экстракции дырок через переход, что резко сокращает длительность спада обратного тока tz. Для обеспечения высокостабильных характеристик и параметров ДНЗ его переход защищен диоксидом кремния SiO2 ( ЗЛ,е). Толщина n-слоя базы составляет несколько микрометров и значительно меньше толщины высоколегированного м+-слоя. Поэтому в ДНЗ сопротивление базы мало. Они находят применение в умножителях и делителях частоты, диодных усилителях, логических схемах, в схемах модуляторов, формирователей импульсов и др. Кроме известных импульсных параметров ДНЗ характеризуются временем жизни неравновесных носителей заряда тр — отношением заряда, переносимого переходным обратным током, к прямому току при его длительном протекании.

Пороговое напряжение мало отличается от напряжения прямого смещения эмиттерного перехода в статическом режиме ^БЭиг1С , последнее можно использовать в этой формуле для приближенной оценки времени задержки. Время задержки t3R, измеряемое при заданных значениях тока /Б1 и напряжения ?щ> является одним из основных импульсных параметров транзистора.

В качестве импульсных параметров используются также время

Туннельные диоды обладают усилительными свойствами и могут работать в схемах (на участке аба) как активные элементы. Они находят широкое применение в сверхбыстродействующих ЭВМ в качестве быстродействующих импульсных переключающих устройств (скорость переключения составляет доли наносекунды) и в генераторах высокочастотных колебаний. На туннельных диодах создают схемы мультивибраторов, триггеров, которые служат основой для построения логических схем, запоминающих устройств, регистров и т. д. Высокая скорость переключения объясняется тем, что туннельные диоды обычно работают на участке вольт-амперной характеристики с отрицательным дифференциальным сопротивлением, где механизм переноса зарядов связан с их туннельным смещением (через р-и-переход), скорость которого огромна. Туннельные диоды могут работать в широком диапазоне температур от 4 до 640 К, они просты по конструкции, малогабаритны. Туннельные диоды изготовляют на основе сильнолегированного германия или арсенида галлия, p-n-переход получают методом вплавления примесей.

Тлеющий разряд используется в ионных стабилизаторах напряжения — стабилитронах, а также в маломощных импульсных переключающих приборах -- тиратронах тлеющего разряда.

Тлеющий разряд используется в ионных стабилизаторах напряжения — стабилитронах, а также в маломощных импульсных переключающих приборах -- тиратронах тлеющего разряда.

Туннельные диоды обладают усилительными свойствами и могут работать в схемах (на участке абв) как активные элементы. Они находят широкое применение в сверхбыстродействующих ЭВМ в качестве быстродействующих импульсных переключающих устройств (скорость переключения составляет доли наносекунды) и в генераторах высокочастотных колебаний. На туннельных диодах создают схемы мультивибраторов, триггеров, которые служат основой для построения логических схем, запоминающих устройств, регистров и т. д. Высокая скорость переключения объясняется тем, что туннельные диоды обычно работают на участке вольт-амперной характеристики с отрицательным дифференциальным сопротивлением, где механизм переноса зарядов связан с их туннельным смещением (через p-n-переход), скорость которого огромна. Туннельные диоды могут работать в широком диапазоне температур от 4 до 640 К, они просты по конструкции, малогабаритны. Туннельные диоды изготовляют на основе сильнолегированного германия или арсенида галлия, p-n-переход получают методом вплавления примесей.

Диодные матрицы, состоящие из кремниевых эпитаксиально-планарных диодов. Предназначены для работы в импульсных переключающих схемах с малым временем обратного восстановления.

Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п триодные запираемые. Предназначены для работы в импульсных переключающих устройствах малой мощности.

Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные триодные запираемые. Предназначены для работы в импульсных переключающих устройствах средней мощности.

Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п триодные запираемые. Предназначены для работы в импульсных переключающих схемах средней мощности.

Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п триодные незапи-раемые. Предназначены для работы в импульсных переключающих устройствах большой мощности.

Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в импульсных, переключающих схемах наносекундного диапазона.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в импульсных, переключающих и усилительных высокочастотных схемах герметизированной аппаратуры.

Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в импульсных, переключающих каскадах наносекундного диапазона.