Импульсными источниками

1. Необходимо применять диоды по указанному в справочнике назначению, например в выпрямителе следует применять выпрямительные диоды, в импульсных устройствах — импульсные диоды и т. д.

использовании полупроводниковых и электровакуумных приборов. Так, применение оптронов позволяет осуществить почти идеальную электрическую развязку между элементами устройства (сопротивление до 1016 Ом, проходная емкость до 10~4 пФ). Кроме того, могут быть эффективно использованы такие свойства оптронов, как однонаправленность информации, отсутствие обратной связи с выхода на вход, высокая помехозащищенность, широкая полоса пропускания (от нуля до сотен и даже тысяч мегагерц), совместимость с другими (полупроводниковыми) приборами. Это дает возможность использовать оптроны для модулирования сигналов, измерений в высоковольтных цепях, согласования низкочастотных цепей с высокочастотными и низкоомных с высокоомными. Оптроны могут быть использованы также в генераторах импульсов и других импульсных устройствах, в различных датчиках, устройствах позиционирования, тиристорных каскадах с оптическим управлением для переключений в высоковольтных цепях.

Биполярные транзисторы являются полупроводниковыми усилительными приборами универсального назначения и широко применяются в различных типах усилителей, генераторов, логических и импульсных устройствах.

В импульсных устройствах используют импульсы различной формы: прямоугольные, трапецеидальные, экспоненциальные, ко-локолообразные, ступенчатые, пилообразные и др. ( 8.1, а — е). Их называют видеоимпульсами в отличие от радиоимпульсов,

Главной особенностью ключевых режимов является неуправляемость коллекторного тока транзистора. Такие режимы работы транзистора используются в импульсных устройствах промышленной электроники.

длительность импульса измеряют на уровне 0,\ilm, считая от основания. В импульсных устройствах промышленной электроники длительность импульсов лежит в пределах 1СГ9 - 1 с.

В импульсных устройствах широкое применение находят генераторы, вырабатывающие напряжения, форма которых резко отличается от синусоидальной. Такие колебания носят название релаксационных и бывают пилообразной, прямоугольной или другой, более сложной формы.

Выходное сопротивление 2ът, как указывалось в § VI. 1, имеет комплексный характер [см. формулу (VI .9)] и является частотноза-висимым. Это обстоятельство вызывает в усилителях гармонических колебаний частотно-фазовые искажения, а в импульсных устройствах — искажения формы сигнала.

Искажения в импульсных устройствах

В импульсных устройствах период чередования импульсов Т„ ( VI. 11), как правило, значительно меньше периода собственных колебаний фильтра, а длительность импульса ти намного меньше четверти периода этих колебаний. Следовательно, можно считать, что за время ти конденсатор С1 не заряжается. Он успевает полностью зарядиться в промежутках между соседними импульсами. Временные диаграммы такого режима представлены на VI. И.

Формирователи импульсов используются в импульсных устройствах автоматики и вычислительной техники для формирования импульсов тока или напряжения с определенными показателями.

этим импульсом заряда Q. В замкнутом контуре, содержащем резисторы и конденсаторы, прохождение импульса тока через конденсатор изменяет его заряд на конечную величину г'(—> оо)Д?(-> 0) = AQ, В замкнутом контуре, состоящем из резисторов и индуктивных катушек, импульс ЭДС однозначно определяет изменение потокосцепления ЧУ контура, т. е. суммы потокосцеплений индуктивных катушек, на конечную величину е(-> ao)At(—> 0) = Д^. Согласно фарадеевской формулировке закона электромагнитной индукции (см. § 1.10) ДТ = rAQ, импульс ЭДС в замкнутом контуре приводит к появлению импульса тока, зависящего от сопротивления г контура. Следовательно, расчет цепей с импульсными источниками тока и ЭДС сводится к нахождению распределения площадей импульсных токов и напряжений ветвей цепи. В резистивных цепях токи и напряжения ветвей можно рассчитать при помощи известных методов расчета цепей имея в виду, что они однозначно характеризуются их конечными площадями. Для резистивных цепей токи и напряжения в цепи равны нулю во всем интервале времени, кроме интервалов At(—> 0) воздействия импульсных ЭДС и токов.

В цепях с индуктивными катушками и конденсаторами импульсные токи и напряжения скачкообразно на конечную величину меняют токи индуктивных катушек и напряжения конденсаторов. Эти изменения происходят в первой, длящейся в течение времени Д?(-> 0), импульсной фазе процесса. Этот процесс приводит также к скачкообразному изменению энергии магнитного поля индуктивных катушек и электрического поля конденсаторов. Спустя время At(—> 0) наступает вторая фаза процесса, в течение которой участки цепи с источниками импульсных ЭДС оказываются как бы короткозамкнутыми, поскольку на этих участках ЭДС и, соответственно, падение напряжения равны нулю, а участки цепи с импульсными источниками тока — разомкнутыми, поскольку токи в них равны нулю. Во второй фазе импульсные ЭДС и токи равны нулю и процесс в цепи поддерживается скачкообразно появившейся после первой фазы энергией магнитных полей индуктивных катушек и электрических полей конденсаторов. Эта энергия определяет вектор начальных значений переменных состояний цепи х(0), а также свободные токи и напряжения матрицы х(?). При наличии резистивных элементов процесс в цепи носит затухающий характер и свободные токи и напряжения могут быть рассчитаны по формуле x(t) = [ехр (At)] х(0). Сказанное относилось к случаю одиночного импульса. Если импульсы источников ЭДС и токов повторяются во времени по некоторому закону, то такой процесс может быть рассчитан при помощи правого преобразования Лапласа.

Лекция 33. Интегральные микросхеы управления импульсными источниками

Автор при написании этой книги постарался устранить указанные недостати, ограничив объем числом лекций и включив в книгу лекции по силовым полупроводниковым приборам и предельным режимам их работы, современным микросхемам аналоговой и цифровой электроники: аналоговым перемножителям, микросхемам управления импульсными источниками питания и корректорами коэффициента мощности, цифровым запоминающим устройствам и др.

Лекция 33. Интегральные микросхемы управления импульсными источниками электропитания

Лекция 33. Интегральные микросхемы управления импульсными источниками электропитания

импульсными источниками электропитания

Лекхщя 33. Интегральные микросхемы управления импульсными источниками электропитания

Лекция 33. Интегральные микросхемы управления импульсными источниками электропитания

Лекция 33. Интегральные микросхемы управления импульсными источниками электропитания

Лекция 33. Интегральные микросхемы управления импульсными источниками электропитания