Используемых транзисторов

ность, минимальные габаритно-массовые показатели, ремонтопригодность, защиту от внешних воздействий. В понятие надежность функционирования входят: вероятность безотказной работы, среднее время наработки на отказ, среднее время восстановления работоспособности, долговечность и т. д. Специфические условия обеспечения высокой надежности РЭА и заданных характеристик в условиях эксплуатации обусловливают высокие требования к качеству используемых материалов, оборудования, а также к ТП изготовления РЭА.

После пайки на поверхности плат остается некоторое количество флюса и продуктов его разложения, которые способны вызвать коррозию контактных соединений и ухудшить диэлектрические характеристики используемых материалов. Поэтому предусматривается очистка смонтированных ПП, способ проведения которой определяется степенью и характером загрязнений, требуемой надежностью выполнения операции. Обычно применяют отмывку в различных моющих средах. Технологически просто происходит удаление остатков водорастворимых флюсов путем промывки плат

Входной контроль направлен на совершенствование ТП и улучшение качества герметизации. Контролируются технологические и физико-механические свойства используемых материалов, качество деталей, применяемых для защиты от окружающей среды, и функционирование герметизируемых изделий. Наиболее важными технологическими свойствами материалов являются вязкость, текучесть, легкость извлечения изделий из формы, усадка, прочность сцепления с выводами, жизнеспособность, степень эк-зотермичности и др.

Физико-механические свойства используемых материалов, функционирование герметизируемых изделий определяются при необходимости в соответствии с существующими ТУ.

так как сокращается количество используемых материалов и циклов герметизации в общем производственном процессе изготовления радиоэлектронной аппаратуры.

В целом РЭА как объект автоматизирозанной сборки в ГПС должен отличаться минимальным количест юм элементов, их ти-пономиналов, типоразмеров, форм элементе в, вариантов их установки, методов соединения и закрепления, защиты от внешних воздействий, минимальным количеством и номенклатурой используемых материалов.

Заводские лаборатории играют важную роль в производственном процессе. От них в большой степени зависит качество продукции. В лабораториях проводят исследования, непосредственно связанные с производственным процессом, такие, как анализ свойств материалов, поступающих в производство, качество покрытий, электрические характеристики особо ответственных комплектующих изделий, а также деталей, производимых на заводе. В лабораториях устанавливают причины, вызывающие брак, проверяют допустимость внесения изменений в технологический режим, в состав используемых материалов.

где /С3 = 3-ьЮ— коэффициент запаса, обеспечивающий надежностные характеристики. Коэффициент запаса /С3 = Ю берется для расчета конденсаторов повышенной надежности. Добротность пленочного конденсатора Q зависит от его конструкции и используемых материалов:

где tgdn = соСУд — тангенс угла диэлектрических потерь в диэлектрике на частоте 1 МГц для большинства используемых материалов диэлектриков (tg6fl == Ю-2 -т- К)-3); tg6OB = = шС(гй + Л>) — тангенс угла потерь в обкладках и выводах. Сопротивление обкладок г0 зависит от конструкции конденсатора, проводимости материалов обкладок и их геометрических размеров, а также картины распределения линий тока в обкладках. Для конденсатора с двусторонним расположением выводов г0 « (гон + гов)/3, где гон, гов — сопротивления нижней и верхней обкладок, рассчитываемые по формуле (1.3). Добротность пленочных конденсаторов Q = = Ю-г-100.

В подсистеме оптимального проектирования предусмотрены признаки, указывающие на марки используемых материалов, варианты фрагментов конструкций электрических машин (например, фрагменты

К основным конструкторским методам обеспечения технологичности относятся: 1) использование наиболее простой и отработанной в производстве конструкторской иерархии (базовой конструкции); 2) выбор размеров и формы компонентов, деталей и узлов конструкции с учетом экономически целесообразных для заданных условий производства способов формообразования, при этом учитывается, что прогрессивные способы формообразования, используемые в массовом и серийном производстве, позволяют уменьшить материалоемкость изделий за счет уменьшения толщины элементов конструкции и сокращения отходов; 3) уменьшение числа уровней разукрупнения конструкций РЭС и выбор их формы и размеров с учетом унифицированной оснастки и стандартного оборудования; 4) уменьшение номенклатуры используемых материалов и полуфабрикатов; 5) уменьшение применения дефицитных или токсичных материалов, драгоценных металлов; 6) обоснованный выбор квалитета точности, шероховатости поверхности, установочных и технологических баз; 7) конструктивная и функциональная взаимозаменяемость узлов, минимизация числа подстроечных и регулировочных элементов (особенно с механической подстройкой); 8) контролепригодность и инструментальная доступность элементов, деталей и узлов (в том числе подстроечных), особенно при автоматизированном и механизированном изготовлении.

Для классификации цифровых ИМС могут быть использованы различные признаки: вид сигнала, тип основной логической схемы, тип используемых транзисторов, режим работы транзисторов, электрические параметры и др.

При необходимости создания мощных усилителей импульсных сигналов применяют специальные технические решения. Параллельное соединение усилительных приборов не решает задачи, так как несмотря на рост эквивалентной крутизны наблюдается и соответствующее увеличение эквивалентной емкости С0, что заставляет снижать Кэ. Избежать отмеченного недостатка удается в усилителе с распределенным усилением ( 19.2), использующем режим бегущей волны. В таком усилителе общая крутизна используемых транзисторов равна сумме крутизны отдельных транзисторов: S3 = nSnr.

В каскаде с ОЭ (см. 4.24, б) выходное сопротивление биполярного, транзистора часто оказывается малым и приходится использовать частичное включение контура в коллекторную цепь и понижающий трансформатор для связи с нагрузкой. Для перестройки резонансной частоты контура используется конденсатор переменной емкости С, который позволяет изменять ее более чем на порядок. Кроме одиночного параллельного контура часто используются связанные между собой резонансные контуры, которые позволяют при лучшей избирательности получить более широкую полосу пропускания. При построении избирательных усилителей широко используются каскадные схемы, описанные в 4.9, в особенности каскад ОЭ—ОБ, обеспечивающий высокий коэффициент усиления даже на частотах, близких к граничным частотам используемых транзисторов. Биполярные транзисторы как элементы, обеспечивающие больший коэффициент усиления на высокой частоте, используются чаще, чем полевые транзисторы.

Другими классификационными признаками логических элементов являются: конструктивный вариант исполнения (модульный, микромодульный, в виде интегральной схемы — полупроводниковой, тонко- или толсто пленочной), тип корпуса, в котором размещен логический элемент, тип используемых транзисторов (биполярные транзисторы о одним или несколькими типами проводимости, полевые транзисторы), а также потребляемая мощность и быстродействие.

Из данного соотношения следует, что время подготовки тем меньше, чем выше быстродействие используемых транзисторов (чем меньше ©бэк)' больше амплитуда запускающего импульса и меньше запирающее напряжение на базе запертого транзистора + (/д2. Последний вывод свидетельствует о том, что иметь большое запирающее напряжение на базе нецелесообразно: при большом +1/ба коллекторный ток запертого транзистора останется равным /К0, т. е. не уменьшается по сравнению со случаем малых запирающих напряжений, а время под-

Из данного соотношения следует, что время, подготовки тем меньше, чем выше быстродействие используемых транзисторов (чем меньше 8бэкв), чем больше амплитуда запускающего импульса и меньше запирающее напряжение на базе запертого транзистора + ?/ба- Последний вывод свидетельствует о том, что иметь большое запирающее напряжение на базе нецелесообразно: при большом +U^2 коллекторный ток запертого транзистора останется равным /К0, т. е. не уменьшается по сравнению со случаем малых запирающих напряжений, а время подготовки существенно возрастет, из-за чего увеличится время переключения и снизится быстродействие схемы. Поэтому напряжение смещения +?см, задающее уровень запирающего напряжения на базе, берут в пределах 0,1 ч- 0,2? , т.е. малым.

Другими классификационными признаками логических элементов являются: конструктивный вариант исполнения (модульный, микромодульный, в виде интегральной схемы — полупроводниковой, тоикопленочной или толстопленочной), тип корпуса, в котором размещен логический элемент, тип используемых транзисторов (биполярные транзисторы с одним или несколькими типами проводимости, полевые транзисторы), а также потребляемая мощность и быстродействие.

На комплементарных транзисторах могут быть построены и регистры сдвига. Схемы на комплементарных МДП-транзисторах обеспечивают устойчивую работу при больших разбросах параметров используемых транзисторов, что существенно облегчает решение технологических задач в процессе изготовления таких схем.

В основу классификации цифровых ИМС могут быть положены, различные признаки: вид сигнала, тип основной логической схемыг тип используемых транзисторов, режим работы транзисторов, основные параметры схем и др.

микросхема представляет собой законченную конструкцию. Тип конструкции определяется полупроводниковым материалом, основанным технологическими методами создания локальных областей и формирования в вих элементов, методами изоляции в кристалле, а также типом ;и структурой используемых транзисторов. 'Как уже указывалось, большинство полупроводниковых микросхем изготовляют «а основе монокристаллического кремния, хотя в отдельных случаях используют германий. Зто объясняется тем; что кремний имеет перед германием ряд физических и технологических преимуществ, важных для создания 'элементов интегральных микросхем. Основные физические преимущества кремниевых микросхем следующие:

Несмотря на малую необходимую амплитуду входного тока следующего транзистора, возьмём ток покоя цепи коллектора рассчитываемого каскада /;,о порядка 2 ми, так как при таком токе площадь усиления транзисторов П402 и П403 близка к максимальной; это увеличит усиление каскада. Напряжение коллектор—эмиттер Uкя для используемых транзисторов достаточно иметь порядка 4—5 в; учитывая падение напряжения Uэ на стабилизирующем сопротивлении Ra рассчитываемого каскада порядка 1 в, найдём, что величина RK должна быть равной