Используются соответствующие

В ЭВМ широко применяются два способа реализации программно-управляемого приоритета прерывающих программ, в которых используются соответственно порог прерывания (в малых и микроЭВМ) и маски прерывания (в ЭВМ общего

Для соединения РУ, сети которых работают с различными режимами нейтрали (например, НО и 35 кВ) или при малой нагрузке на стороне СН, используются соответственно трехоб-моточный трансформатор ( 2.24, в) или два двухобмоточ-ных трансформатора ( 2.24, г).

В мнемокодах команд условных переходов при сравнении чисел со знаком для обозначения условия «больше» используется буква G (Greater — больше), а для обозначения — «меньше» буква L (Less — меньше). Для аналогичных условий при сравнении чисел без знака используются соответственно буквы A (Above— над) и В (Below — под). Условие равенства обозначается буквой Е (Equal — равно), а невыполнение некоторого условия — буквой N (Not — не). Следует отметить, что допускается исполь-

В ИО защит часто в качестве Н\ и Я2 используются соответственно подобранные U и /; при этом

стабилизаторы серии К142 типа К142 ЕН1 и ЕН2 ( IX. 18). Штриховыми линиями показано соединение микросхемы с навесными элементами. В К142ЕН опорное напряжение выделяется на резисторе R2 и термокомпенсирующем диоде Д1 после его стабилизации простейшим транзисторным стабилизатором напряжен ия на транзистор еТ5 с высокоомным транзисторным двухполюсником 77 (полевой транзистор) в качестве балластного сопротивления к стабилитрону Ctnl. Усилительный элемент выполнен в виде дифференциального усилителя на транзисторах Т6 и 77 ( VIII.18, д). Полевой транзистор Т2 является нагрузочным для транзистора 77 ( VI.7, г), на который подается связь с выхода стабилизатора (на контакт 12). Регулирующим элементом является сдвоенный составной транзистор ТЗ и Т4. Транзисторы Т8 и ТЭ используются соответственно для выключения микросхемы внешним сигналом и для ее защиты. Для микростабилизаторов стабилизирующие свойства определяют относительной нестабильностью в процентах по формуле:

Реле тока обычно выполняется на электромагнитном или индукционном принципах, для работы реле используются соответственно первая или вторая составляющая магнитной энергии Эы(.

В ИО защит часто в качестве Hi и Яг используются соответственно подобранные U и /; при этом

вполне удовлетворит информация о том, что в приборе используются индуктивности и сердечники.) При измерении напряжения в вольтметре последовательно к основной схеме подключается резистор. Например, диапазон шкалы измерения напряжения, равный 1 В. обеспечивается последовательным подключением резистора С сопротивлением 20 кОм к схеме, рассчитанной на ток 50 мкА; для больших диапазонов напряжения используются соответственно резисторы с большими сопротивлениями. Такой вольтметр характеризуется как прибор на 20000 Ом/В. Это значит, что сопротивление его резистора, равное 20 кОм, умножается на полный размах напряжения в выбранном диапазоне измерения. Полный размах в любом диапазоне напряжения составляет 1/20000 В/Ом, или 50 мкА. Очевидно, что подобный вольтметр оказывает тем меньше влияния на схему, чем выше диапазон, так как играет роль резистора с большим сопротивлением (представим вольтметр в качестве нижнего плеча делителя напряжения, при этом верхнее плечо будет образовано эквивалентным выходным сопротивлением схемы, в которой подключен прибор). В идеальном случае вольтметр должен обладать бесконечным входным сопротивлением. В настоящее время применяются разнообразные измерительные приборы с небольшим усилением, входное сопротивление которых может достигать 10' Ом. К приборам такого типа относят большинство измерительных цифровых приборов и даже некоторые приборы с аналоговым отсчетом на полевых транзисторах (см. гл. 3). Замечание: иногда входное сопротивление измерительных приборов со входом на полевом транзисторе может быть очень большим в наиболее чувствительном диапазоне, а в других диапазонах оно может иметь меньшее значение. Например, типичными являются следующие значения: 109 Ом для диапазонов 0,2 В и 107 Ом для всех остальных диапазонов. Внимательно изучайте характеристики приборов! Для работы с транзисторными схемами подходит вольтомметр на 20 000 Ом/В, который создает для них небольшую нагрузку. В любом случае нетрудно оценить влияние измерительного прибора на работу схемы, если воспользоваться уравнением для делителя напряжения. Обычно универсальные измерительные приборы имеют диапазоны измерения напряжения от 1 В (и меньше) до 1 кВ (и больше) для полного размаха шкалы.

и равно 0,7-0,8. Однако при длинах волн, превышающих 700 нм, наблюдается резкое ее снижение, связанное с уменьшением оптического поглощения. На 7.4.13 показана зависимость падения потенциала поверхностного заряда от интенсивности света для конструкции, у которой СГЗ и СПЗ состояли из нелегированного a-Si : Н. Как и ожидалось, линейная зависимость сохраняется и при высоких интенсивностях света благодаря высокому произведению \п для электронов в случае отрицательного заряда, тогда как в случае положительных зарядов наступает насыщение благодаря малому произведению цт для дырок в высокоинтенсивной области. На основании этих результатов предложено [46-48] использовать для СПЗ иелегированный a-Si : Н п-типа с отрицательным поверхностным зарядом, необходимым для быстродействия. На 7.4.14 показаны разновидности многослойного фотоприем ника. В случае а в качестве ПС, СГЗ/СПЗ и БС используются соответственно a-SiC : Н "собственный" a-Si : Н, легированный бором, и />»-пере-ход, или a-SiC : Н. Удельное сопротивление слоя ПС (a-SiC : Н) достигало 10'5 Ом • см: уровень легирования бором СГЗ/СПЗ изменяли для регулирования высоты барьера для дырок в области перехода между

и равно 0,7-0,8. Однако при длинах волн, превышающих 700 нм, наблюдается резкое ее снижение, связанное с уменьшением оптического поглощения. На 7.4.13 показана зависимость падения потенциала поверхностного заряда от интенсивности света для конструкции, у которой СГЗ п СПЗ состояли из нелегированного a-Si : Н. Как и ожидалось, линейная зависимость сохраняется и при высоких интенсивностях света благодаря высокому произведению цг для электронов в случае отрицательного заряда, тогда как в случае положительных зарядов наступает насыщение благодаря малому произведению цт для дырок в высокоинтенсивной области. На основании этих результатов предложено [46-48] использовать для СПЗ нелегированный a-Si : Н п-тина с отрицательным поверхностным зарядом, необходимым для быстродействия. На 7.4.14 показаны разновидности многослойного фотоприем ника. В случае а в качестве ПС, СГЗ/СПЗ и БС используются соответственно a-SiC : Н "собственный" a-Si : Н, легированный бором, и />»-пере-ход, или a-SiC : Н. Удельное сопротивление слоя ПС (a-SiC : Н) достигало Ю15 Ом • см: уровень легирования бором СГЗ/СПЗ изменяли для регулирования высоты барьера для дырок в области перехода между

Устанавливается, откуда может быть получен перечень единиц совокупности. Это нужно для установления контура выборки. Здесь используются соответствующие справочники и материалы различных консультационных организаций.

При определении /Су и Иу используются соответствующие прейскуранты и ценники на приборы и нормативы на их обслуживание. Ввиду отсутствия нормативов на разработку, контроль и анализ норм расхода электроэнергии в настоящее время ЯНОрм и /СНорм можно определить лишь ориентировочно. Расчет /(норм и ЯНОрМ в каждом конкретном случае осуществляется исходя из требуемого объема работ по разработке и использованию научно обоснованной нормы расхода электроэнергии.

В качестве устройства, совмещающего функции формирования уставки и устройства сравнения, используются соответствующие реле, порог срабатывания которых устанавливается с помощью образцовых сигналов :(налример, опорных напряжений или воздействий, 'специфических для данного - релейного устройства). К такому классу устройств можно отнести релейные устройства, основанные на использовании ждущих генераторов (в том числе релаксационных блокинг-генераторов), одновиб-раторов {следящих триггеров), дифференциально-усилительных устройств с положительной обратной связью, электромеханических реле, магнитоупрявляемых контактов и т. п.

Преобразованные матрицы параметров выражаются через исходные соотношением (2-80), где вместо Ardq используются соответствующие матрицы преобразования Агн __ и АГрЬ.

Для проведения спектрального анализа вибрации вместо измерительного усилителя используются соответствующие анализаторы, которые делятся на спектрометры и частотные анализаторы. Спектрометры позволяют исследовать спектр в третьоктавном и октав-яом диапазонах частот. Частотные анализаторы отличаются узкой полосой пропускания, причем в отличие от спектрометров полоса пропускания остается постоянной во всем диапазоне частот.

Рассмотрим структурные схемы цифровых вольтметров ( 5.2 и 5.3,а,б). В цифровых вольтметрах переменного напряжения используется аналоговое преобразование измеряемого переменного напряжения в постоянное. В импульсных цифровых вольтметрах находят применение специальные АЦП — амплитудно-временные преобразователи, на которых остановимся при рассмотрении импульсных вольтметров. Поэтому здесь рассматриваются структурные схемы цифровых вольтметров постоянного напряжения. Различают цифровые вольтметры прямого и уравновешивающего преобразования. В вольтметрах с уравновешивающим преобразованием используются соответствующие АЦП.

Для проведения спектрального анализа вибрации вместо измерительного усилителя используются соответствующие анализаторы, которые делятся на спектрометры и частотные анализаторы. Спектрометры позволяют исследовать спектр в третьоктавном и октав-яом диапазонах частот. Частотные анализаторы отличаются узкой полосой пропускания, причем в отличие от спектрометров полоса пропускания остается постоянной во всем диапазоне частот.

*Обозначения для токов и других гармонических величин аналогичны. Для различения сходных параметров используются соответствующие индексы: Фи - фаза напряжения, ip/ — начальная фаза тока и т.д.

при построении многоуровневой схемы в некоторой ПЛМ (s, t, q) будет недостаточно выходных или промежуточных шин, используются соответствующие тривиальные методы расширения ПЛМ.

Постоянное связующее. Для резисторов используются соответствующие модификации стекол, применяемых для проводников. Свинцово-боросиликат-ные стекла иногда заменяются кадмиевыми или цинково-боросиликат-ными. Стекла играют большую роль в обеспечении стабильности электрических характеристик резисторов, в связи с чем их состав приобретает важное значение.

Для обозначения кратных и дольных единиц измерения по ГОСТ 8.417-81 используются соответствующие приставки (табл. 9.4).