Используют несколько

Потребители электроэнергии на компрессорных и насосных станциях получают электроэнергию на напряжение 6—10 и 0,4/0,23 кВ. К потребителям на напряжение 6—10 кВ относятся электродвигатели привода нагнетателей на электроприводных КС и магистральных и подпорных насосов на НПС. Силовые потребители на напряжение 0,4 кВ — это различные электродвигатели механизмов и аппаратов, обеспечивающих нормальную работу газоперекачивающих агрегатов и магистральных насосов, электродвигатели вспомогательных механизмов КС и НПС, щиты контрольно-измерительных приборов и автоматики (КИПиА). На напряжение 0,4/0,23 кВ работают все осветительные сети в зданиях и сооружениях КС и НПС, устройства электро-химзащиты, наружного освещения. В качестве защитного на КС и НПС используют напряжение 24 или 36 В, получаемое от специальных трансформаторов.

Указанные виды анодно-механической обработки требуют источников питания постоянного тока с напряжением от 2 до 16 В, и лишь для черновой анодно-механической обработки используют напряжение до 36 В. В качестве источников питания ранее использовались механические выпрямители и низковольтные машинные генераторы постоянного тока. В последнее время получили распространение полупроводниковые выпрямители.

Все микросхемы серии выполнены по технологии ТТЛШ, используют напряжение питания 5В±5 % и имеют допустимый диапазон рабочих температур —10 ... + 70°С. Они совместимы со всеми серийными интегральными микросхемами типа ТТЛ (серии К155Д555 и др.), т. е. не требуют устройств согласования при передаче выходных сигналов на входы микросхем типа ТТЛ либо при передаче выходных сигналов микросхем типа ТТЛ на входы микросхем микропроцессорного комплекта.

тельный орган (ИО) на объект. Например, в случае, приведенном на 11.17, одна секция батарей конденсаторов включена постоянно, а вторая может включаться автоматически на время ti с помощью временного программного устройства. В качестве параметра регулирования кроме времени используют напряжение или ток рассматриваемого участка сети. Такое управление режимом компенсирующего устройства применяют в основном для одно- или двухсекционных батарей конденсаторов, когда работа их осуществляется в режиме включена — отключена (или включена — отключена одна секция).

Установки собственных нужд питаются, как правило, от генераторов станции, что обеспечивает надежность их работы. Для крупных двигателей мощностью 200 кВт и выше применяют напряжение 6 кВ, для остальных двигателей — 380 В. На 1.8 приведена схема питания механизмов собственных нужд ТЭЦ, на которой установлены турбогенераторы Г1 и Г2 напряжением 6—10 кВ и три паровых котла (один резервный). Для питания мощных электродвигателей Д1 используют напряжение 6 кВ, для питания остальных двигателей и осветительных установок — 380/220 В.

Напряжение асинхронных электродвигателей выбирают в зависимости от их единичной мощности и номинального напряжения системы собственных нужд. Обычно на станциях имеются два напряжения с. н.: высшее (6 или 3 кВ) и низшее (0,4/0,22 кВ) при заземленной нейтрали трансформаторов. В отдельных случаях для питания отдельных автономных потребителей используют напряжение 0,66/0,38 кВ.

Фильтрация в источниках питания. Обычно, говоря о фильтрации в источниках питания, имеют в виду накопление энергии. Практически при фильтрации происходит шунтирование сигналов. В электронных схемах обычно используют напряжение постоянного тока, которое

фа используют напряжение исследуемого сигнала или специально сформированный сигнал, частота которого равна (кратна) частоте исследуемого сигнала.

Для получения магнитного потока в современных мощных генераторах применяют исключительно электромагниты. Для питания обмотки электромагнита в некоторых специальных случаях пользуются вспомогательным источником (машины с внешним возбуждением). Однако гораздо чаще строят машины с самовозбуждением, в которых для создания тока в электромагните (обмотке возбуждения) используют напряжение, развиваемое самой машиной.

Хотя для транзисторных телевизоров разработаны кинескопы, для модуляции которых достаточно напряжение видеосигнала с амплитудой 20—40 В, в видеоусилителях приходится применять специальные транзисторы, которые могут работать при напряжении на коллекторе 50^—100 В. В переносных транзисторных телевизорах, где напряжение питания всех остальных транзисторов обычно равно 12 В, для питания видеоусилителя используют напряжение, полученное от отдельного импульсного выпрямителя на диоде Дг. подключенного к повышающей обмотке ТВС.

Оперативная память является наиболее дефицитным ресурсом в вычислительных системах, которым надо пользоваться экономно и эффективно. Проблема усложняется при переходе к мультипрограммным системам, так как в ник ОП одновременно используют несколько программ (заданий). В таких системах необходимо исключить несанкционированное воздействие одних программ на другие. Это достигается с помощью механизма защиты памяти.

Широкий диапазон измеряемых параметров и различные требования к их точности обусловливают применение для тонкопленочных ИМС различных измерительных приборов. Нередко для измерения параметров только одной микросхемы используют несколько приборов.

При наращивании емкости ОЗУ используют несколько микросхем. Так; для построения ОЗУ 4К х 8, т.е. на 4К 8-разрядных слов, нужна совместная работа восьми микросхем КР541РУ2, для организации которой служат входы CS (выбор микросхемы, кристалла). При подаче "О" на вход CS микросхема ОЗУ работает, как описано, а при подаче "V информационные внешние выводы 0—3 отключаются (изолируются) и микросхема ОЗУ не взаимодействует с внешними устройствами.

При выполнении второй части задания используют несколько кусков лент, проволоки или тонких стержней.

Измерение больших токов и напряжений. Шунтирование магнитоэлектрических приборов дает возможность измерять постоянные токи до нескольких тысяч ампер. Отдельные шунты на токи свыше 10 кА не изготовляются вследствие их больших размеров и большой стоимости. Поэтому для измерения больших токов часто используют несколько шунтов, соединенных параллельно ( 10.3),

Несколько одинаковых шунтов подключают в разрыв шины, а проводники от потенциальных зажимов всех шунтов подводят к одному и тому же прибору. При равенстве сопротивлений R шунтов и сопротивлений /?<> потенциальных проводников наличие переходных сопротивлений в местах присоединения щунтов к шинам #ц, #12, #21, #22, #3i и #32 не отражается на показаниях прибора, а ведет лишь к неравномерному распределению токов между шунтами. Ток /у, протекающий через прибор, определяется только сопротивлениями шунтов, потенциальных проводников и прибора, т. е. точно так же, как и при измерении тока с помощью одного шунта. Практически используют несколько однотипных шунтов.

В современных ИМС на приборах с зарядовой связью используют несколько способов создания потенциальных ям вблизи поверхности полупроводника. В частности, разработаны способы

Планарная технология обеспечивает изготовление разнотипных элементов в полупроводниковой пластине с расположением их выводов в одной плоскости. Это позволяет выполнять межсоединения элементов в едином технологическом цикле с помощью металлических полосок. При разработке сложных ИС для обеспечения необходимых межсоединений иногда используют несколько слоев металлических пленок, разделенных между собой диэлектрическими слоями.

Термоэлемент представляет собой тонкий металлический диск с зачерненной поверхностью, к которой касается рабочий спай термоэлектрического преобразователя (термопары). При попадании на зачерненную поверхность диска лучистой энергии он нагревается, вследствие чего э. д. с. термопары будет мерой падающего на приемную площадку излучения. При хорошем качестве зачерненной поверхности относительная спектральная чувствительность в видимой области спектра практически не зависит от длины волны. Для повышения чувствительности приемника используют несколько последовательно включенных термопар.

Термоэлемент представляет собой тонкий металлический диск с зачерненной поверхностью, к которой касается рабочий спай термоэлектрического преобразователя (термопары). При попадании на зачерненную поверхность диска лучистой энергии он нагревается, вследствие чего э. д. с. термопары будет мерой падающего на приемную площадку излучения. При хорошем качестве зачерненной поверхности относительная спектральная чувствительность в видимой области спектра практически не зависит от длины волны. Для повышения чувствительности приемника используют несколько последовательно включенных термопар.

Существует большое разнообразие форм не только рабочих зазоров, но и путей рассеяния, для которых удобно пользоваться методом определения проводимости по вероятным путям потока (Ро-терса), разбивая поле на элементарные участки (фигуры), представляющие собой наиболее простые геометрические тела, для которых с тем или иным приближением удается определить проводимость. Для каждого из таких путей про-водимо'сть определяется как частное от деления средней величины поперечного сечения Scp на пути потока по рассматриваемому элементу на длину средней линии магнитной индукции /ср, т. е. Л = = До5ср//ч;, или через объем V фигуры Л = Ц()Кср//~р2. На практике в большинстве случаев в качестве элементарных вероятных путей потока используют несколько стандартных геометрических форм, формулы для которых могут быть выведены на осноиании рассмотрения упрошенной картины поля между двумя призмами ( 1.9,а). Для этого нужно принять во внимание грани, обозначенные прописными буквами, ребра, обозначенные двумя буквами, соответствующими тем граням, которые, пересекаясь, образуют это ребро, и наконец углы, обозначенные тремя буквами. Путь между гранями А—А' принимаем за прямую призму,-проводимость которой вычисляем по формуле (1.19). Пути между параллельными ребрами АВ—А'В', АС—А'С' и т. д. представляют собой полуцилиндрические объемы. Пути между гранями В—В', С- С' и т. д., лежащие в одной плоскости, принимаем за полукольца. Пути между углами, например АВС—А'В'С', будут тогда представлять собой сферические квадранты (четверть тара), а пути между ребрами ВС—В'С', лежащими на одной прямой, представляют собой квадранты сферической оболочки (четверть полого шага). Все эти элементарные пути приведены в табл. 1.4, где также даны расчетные формулы для определения их проводимо-стей.