Максимальная плотность

где 5Макс — максимальная передаваемая мощность (без потребителей III категории, которые в этом режиме можно отключать); п — число трансформаторов.

Пример 7.4. Найти оптимально-экономическую мощность двухобмоточного трансформатора 110 кВ с РПН на однотрансформаторной подстанции для I энергетического района при т=3000 ч/год (максимальная передаваемая мощность S=13 MB-A).

Пример 7.5. Найти оптимальную мощность трансформатора 10/0,4 кВ с учетом роста нагрузки для I энергетического района СССР при т=3000 ч/год. Максимальная передаваемая мощность в первом году Si = 100 кВ-А при ежегодном росте нагрузки а = 0,05 (5%). Расчетный срок эксплуатации Т = = 10 лет.

Пример 7.8. Найти оптимально-экономическую мощность двухобмоточных трансформаторов ПО кВ с РПН на двухтрансформаторной подстанции для 1 энергетического района при т=4000 ч/год. Максимальная передаваемая мощность подстанции Snc ""12 MB-А.

При подключении приемника с сопротивлением гя к источнику питания с заданной э. д. с. и заданным внутренним сопротивлением Ti максимальная передаваемая мощность соответствует условию ri=rB.

где 3 — приведенные затраты, тыс. руб/(год-км); ps — отчисления на ремонт и амортизацию сети, отн. ед./год; Е„ — нормативный коэффициент сравнительной эффективности капиталовложений, отн. ед./год; К — стоимость 1 км линии, тыс. руб/км; Р — максимальная передаваемая мощность, кВт; U — номинальное напряжение линии, кВ; г — активное сопротивление 1 км линии, Ом/км; т — время наибольших потерь тшщистн, ч/год; Ь — стоимость 1 кВт -ч потерь энергии по замыкающим затратам, руб/(кВт-ч) [2].

Если в нормальном режиме максимальная передаваемая мощность составляет Р^,= EU/x '2> то аварии без заземления нейтрали

Пусть линия выполнена бронированным или небронированным трех-жильным кабелем с алюминиевыми жилами с резиновой или пластмассовой изоляцией в свинцовой, поливинилхлоридной и резиновых оболочках. При прокладке в земле и при сечении токопроводящей жилы 185 мм2 (максимально допускаемое) и допустимом по ПУЭ длительном токе 385 А, среднем cos

где Рмакс — максимальная передаваемая полезная мощность, кВт; Т — время использования максимальной мощности, ч. Экономическое сечение проводников

а) максимальная передаваемая мощность, среднесуточный коэффициент нагрузки и перспектива роста нагрузок на ближайшие 10 лет;

Если в нормальном режиме максимальная передаваемая мощность составляет Р!т = = EU.'x'12, то при аварии без заземления нейтрали

Коэффициент полезного действия ФЭП малой площади (до 0,1 см2) составляет 8 — 12 %, а большой (более 100 см2) равен 4—8 %. При разомкнутой электрической цепи напряжение одной элементарной ячейки (напряжение холостого хода) составляет 0,7—0,8 В. Последовательное соединение элементарных ячеек в интегральных ФЭП позволяет получать напряжение холостого хода до 7—8 В. Максимальная плотность тока (ток короткого замыкания) ФЭП при освещенности 100 мВт/см'2 составляет 10—18 мА/см2.

Лед характеризуется более рыхлой молекулярной структурой с большим количеством пустот. Этим объясняется известная аномалия воды увеличивать объем при замерзании, т. е. лед имеет меньшую плотность по сравнению с жидкой водой. Максимальная плотность воды наблюдается при +4°С. Поэтому слошного промерзания водоемов не происходит даже в сильную стужу.

Разработка топологии кристалла осуществляется на уровне электрорадиозлементов (элементов). При этом топология каждого элемента оптимизируется по заданным критериям. Конструкторы-топологи осуществляют разработку топологии кристалла в основном вручную, используя на определенных этапах ЭВМ. При этом обеспечивается максимальная плотность размещения элементов, минимальная длина соединительных проводников и максимальное быстродействие. Разработка топологии кристалла методом полного проектирования характеризуется большой трудоемкостью и осуществляется в течение нескольких месяцев.

где fmax (k) — максимальная плотность горизонтальных (вертикальных) соединений в области k; К — число прямоугольных областей матрицы, в пределах которых возможна

— максимальная плотность связанных зарядов в точках 6 = 0 и 0 = 180° на поверхности шара.

Напряженности электрического поля Е0, Elt ?д, максимальная плотность зарядов на поверхности эллипсоида стсв. макс и коэффициент Nx связаны между собой формулами (9-60)— (9-62). Отсюда видно, что коэффициент деполяризации зависит только от формы эллипсоида и никак не связан с диэлектрическими свойствами среды и материала эллипсоида.

достигает 10'4—10асм 2, т.е. составляет величину порядка концентрации поверхностных атомов или ионов кристалла. При таком поверхностном состоянии полупроводниковой подложки формирование МДП-структур оказалось бы принципиально невозможным. Это нетрудно показать, если учесть, что максимальная плотность состояний, индуцируемая на поверхности полупроводника и определяемая напряженностью пробоя диэлектрика (106—107В/см), не превышает 10" — 102см~2. Следовательно, влияние индуцируемого заряда на модуляцию проводимости слоя полупроводника является пренебрежимо малым. Однако рассмотренный случай может иметь место лишь в условиях, близких к идеальным. В обычных условиях поверхность полупроводника покрыта толстым слоем оксидных соединений, а также слоями адсорбированных атомов и молекул. В результате искусственного окисления поверхности полупроводника или каких-либо других химических реакций можно получить диэлектрические слои с контролируемыми электрофизическими свойствами. Существенным является то, что поверхность, покрытая таким диэлектрическим слоем, имеет значительно меньшую плотность состояний, чем атомарно чистая поверхность. Этому можно дать сравнительно простое качественное объяснение, если учесть, что поверхностные состояния обусловлены обрывом валентных связей в кристаллической решетке, вследствие чего поверхностные атомы или ионы кристалла находятся в иных условиях по сравнению с атомами или ионами, расположенными в его глубине. При окислении или других поверхностных реакциях поверхностные атомы или ионы кристалла образуют химические связи с чужеродными атомами, например с атомами кислорода или азота. Вследствие этого для поверхностных атомов полупроводника и атомов, находящихся в глубине кристалла, различия становятся менее значительными. Этому способствует влияние ориентирующего поля полупроводникового кристалла, благодаря которому первые слои наращиваемого диэлектрика повторяют структуру полупроводника. В результате плотность поверхностных состояний на границе раздела полупроводник — диэлектрик уменьшается по сравнению с открытой поверхностью полупроводника.

где J — плотность тока на глубине х от поверхности, А/м2; Jmax — максимальная плотность тока на поверхности проводника; г0 — радиус проводника, м; Дэ — эквивалентная глубина проникновения тока от поверхности проводника в его глубину.

Максимальная плотность тока на поверхности проводника

Максимальная плотность тока наблюдается в точках, в которых у= = 0, т. е.

Максимальная плотность тока, а/см2 ......... 12 11 10 10 10 9 9 9 8 7