Напряжение создающее

На 8.27 приведена схема такого элемента И — НЕ. Транзистор Т3 выполняет функции эмиттерного повторителя с нагрузкой в виде транзистора Tt. При воздействии сигнала «1» на все входы транзистор Т2 насыщен, как показано ранее. Следовательно, транзистор Tt также насыщен из-за высокого потенциала на его входе (точка а), создаваемого эмиттерным током транзистора Т2 на резисторе R3. Благодаря низкому потенциалу коллектора транзистора Т2 (точка б) транзистор Т3 закрыт. При воздействии сигнала «О» хотя бы на один из входов транзистор Г2 закрывается, а транзистор Т3 открывается из-за повышения потенциала точки б и работает как эмиттерный повторитель. Диод Д служит для обеспечения режима смещения транзистора Т3, т. е. для того, чтобы этот транзистор был закрыт при насыщенном транзисторе Тг. Прямое напряжение на диоде Д составляет около 0,5 В и служит для запирания транзистора Т3. Это напряжение создается даже при очень малых (порядка микроампер) токах закрытого транзистора Т3.

Зисторе Т — 3". Эталонное напряжение создается на стабилизаторе Cm, который питается от выпрямителя В. Измерительный элемент 2'' представляет собою промежуток база — эмиттер транзистора Г. Управляет предварительным стабилизатором напряжение UK на регулирующем транзисторе ТР — /, действующее встречно с напряжением URl ( UK > URi ). Последнее создается арифметической суммой двух напряжений: t/CT + UK. Элементы 1, 2 к 3 типичны для транзисторного стабилизатора и их назначение подробно рассматривалось выше. Работает стабилизатор следующим образом. Пусть в результате действия какого-нибудь дестабилизирующего фактора возросло С/вих- Это приведет (по цепи обратной связи оконечного стабилизатора 2— 3—1) к росту UK на ТР. База транзистора Т станет более отрицательной по отношению к эмиттеру, увеличится его коллекторный ток, являющийся также и током управления Д. Н. Рост тока управления (при его отрицательном направлении — кривая 2 на проходной характеристике на VIII.5, а) приведет к падению рабочего тока /р, уменьшению переменного напряжения на первичной стороне трансформатора и падению напряжения ?/вых.

Следует иметь в виду, что если выходное напряжение создается рядом последовательно включенных устройств, то важна лишь сумма внутренних сопротивлений всех устройств. Поэтому значительное уменьшение сопротивления одного из устройств без уменьшения остальных неэффективно.

Схема на 3.23 неудобна для практического использования, так как она содержит незаземленный источник смещения ?ф [17]. В схемах 3.25, а, б фиксирующее напряжение создается при помощи резис-тивного делителя Rl R2 в цепи базы. В схеме 3.25, в резистор

Распространенная схема двухполупериодного кольцевого фа-зочувствительного демодулятора показана на 15.8, б. Входной сигнал и опорное напряжение подаются через трансформаторы 77 и Т 2- с выводами от средних точек. Резисторы Rl — R4 ограничивают токи диодов, предохраняя их от перегрузки. Выходное напряжение создается на сопротивлении R,,, включенном между средними точками трансформаторов, одна из которых заземлена. Под воздействием опорного напряжения в один из полупериодов, когда полярность напряжения на вторичной обмотке Т2 такова, что плюс будет в точке А, а минус в точке Б, диоды VD3 и VD4 открываются, а диоды VD1 и VD2 запираются. Обмотка Wl оказы-йается отключенной от схемы. Через сопротивление нагрузки пройдет ток, направление которого определяется только полярностью напряжения t/2 в данный полупериод, т. е. фазой напряжения ?/„*• Для полярности, показанной на схеме, ток через Ru будет проходить сверху вниз и далее его цепь замыкается через W3, R4 и VD4. В последующий полупериод полярности всех напряжений изменяются на противоположные (обозначения в скобках). Теперь открываются диоды VD1 и VD2, а закрываются диоды VD3n VD4. Отключенной от схемы будет обмотка W2, а ток в нагрузке будет создаваться напряжением U1. Как видно из 15.8, б, направление тока через Ra не изменится, но теперь цепь замкнется через W4, R2 и VD2.

Если это напряжение создается под воздействием тока, проходящего между указанными точками, то его называют также падением напряжения.

Существует ряд схем для испытания витковой изоляции, в большинстве которых высокочастотное испытательное напряжение создается при разряде емкости на испытываемую обмотку. На 133 представлена принципиальная схема аппарата

Линия нагрузки графически соответствует уравнению выходной цепи каскада t/си = Ес — /с(/?с + /?и) и пересекает оси /с и f/си в точках /с = Ес/(/?с + /?и) и ЕС. Рабочая точка А (р. т) под действием сигнала UBX не должна смещаться за пределы рабочего участка БВ линии нагрузки, так как в ином случае резко увеличатся нелинейные искажения. В режиме покоя рабочую точку выбирают как при отрицательном напряжении на затворе (Узи т<0 (в этом случае транзистор работает в режиме обеднения), так и при положительном ?/зир.т>0 (в этом случае транзистор работает в режиме обогащения). Пусть напряжение f/зир.т составляет 0,2 В, т. е. транзистор работает в режиме обеднения. Это напряжение создается только на резисторе /?и, включенном в цепь истока ( 97, а), и резистор R1 в схеме не нужен, так как напряжение истока выше напряжения корпуса на ?//?„, а напряжения затвора и корпуса равны. Для перевода транзистора в режиме обогащения резистор R1 нужен. Сопротивление резисторов делителя R1R2 выбирают такими, чтобы напряжение U3 на затворе было больше напряжения UKt, на истоке. В этом случае ?/зи>0.

т. е. угол отклонения определяется гх и не зависит от напряжения U. Конструктивно омметры с логометром выполняют весьма разнообразно в зависимости от требуемого предела измерения, назначения (щитовой или переносный прибор) и т. п. Так, например, в переносном мегомметре, предназначенном для измерения больших сопротивлений порядка десятков и сотен мегом, напряжение создается генератором, ротор которого приводится во вращение от руки со скоростью 92-120 об/мин.

Напряжение создается путем воздействия на электрические заряды в таких устройствах, как батареи (электрохимические реакции), генераторы (взаимодействие магнитных сил), солнечные батареи (фотогальванический эффект энергии фотонов) и т.п. Ток мы получаем, прикладывая напряжение между точками схемы.

Основу регулятора составляет микросхема, выполненная на кристалле кремния, которая содержит входной делитель А1, параметрический стабилизатор напряжения А2, усилитель-интегратор A3, источник опорного напряжения А5, бистабильный триггер А6 и выходной усилитель А7. Вне микросхемы в регуляторе располагаются балластный резистор RI параметрического стабилизатора источника питания микросхемы и токоограничиваю-щий резистор R2, а также выходной транзистор VT1 и гасящий диод VD1. Питание элементов микросхемы стабилизируется стабилизатором А2, а эталонное опорное напряжение создается источником А5.

Чтобы разобраться в преобразовании координат в электрических машинах, рассмотрим коллекторную машину с вращающимися щетками ( 2.5). В этой машине на статоре расположена трехфазная или многофазная обмотка /, к которой подводится переменное напряжение, создающее в зазоре вращающееся поле. К фазам А, В, С трехфазной обмотки статора подводится трехфазное напряжение, создающее вращающееся поле с синхронной угловой скоростью юс. На роторе 2 имеется многофазная обмотка, секции которой подключены к коллектору. Машина имеет вращающиеся щетки, укрепленные на траверсе 3. Ротор вращается с угловой скоростью (ог, частота токов в роторе ^2=i/is, при этом поля статора И ротора неподвижны относительно друг друга.

дающее в зазоре вращающееся поле. К фазам А, В, С трехфазной обмотки статора подводится трехфазное напряжение, создающее вращающееся поле с синхронной угловой скоростью шс. На роторе 2 имеется многофазная обмотка, секции которой подключены к коллектору. Машина имеет вращающиеся щетки, укрепленные на траверсе 3. Ротор вращается с угловой скоростью со„ частота токов в роторе fi - f\s, при этом поля статора и ротора неподвижны относительно друг друга.

После подачи измеряемого напряжения ?/вх ЭДС ?тгн начинает нарастать и на выходе усилителя постоянного напряжения У2 появляется напряжение, создающее ток в нагревателе второго термопреобразователя ТП2. Электродвижущая сила, развиваемая термопарой ТП2, равна:

Пусть к аноду тиратрона подведено положительное напряжение, значение которого превышает напряжение зажигания дугового разряда. На сетку подано отрицательное напряжение, создающее потенциальный барьер, непреодолимый для эмигрировавших из катода электронов. В таком состоянии тиратрон погашен, анодный ток равен нулю. При подаче на сетку управляющего сигнала, компенсирующего отрицательный потенциал, электроны устремляются от катода к аноду, ионизируя по пути молекулы газа. Вспыхивает дуговой разряд, ток которого практически ограничивается только сопротивлением нагрузки в цепи анода. Возрастание тока от нуля до номинального значения происходит очень быстро, за 10~8 с. Таким образом,

Пусть на однородно легированный кристалл арсенида галлия ( 8.2), имеющий два невынрямляющих электрических перехода с электродами катода и анода, подано постоянное напряжение, создающее в кристалле напряженность электрического поля, несколько меньшую порогоаой напряженности. При этом все свободные электроны в кристалле являются «легкими» и плотность тока через кристалл имеет максимальное значение:

Просте"йшая схема двухтактного L-генератора, являющегося основным элементом преобразователя напряжения, показана на 5.125, а. Все обмотки генератора имеют одно и то же направление витков (начала их отмечены точками). Если транзистор Т1 насыщен, то на обмотке w\ действует напряжение, близкое к напряжению питания Е, а на обмотке w3 — напряжение, создающее отрицательное значение напряжения на базе 7\, которое поддерживает этот транзистор в насыщенном состоянии. В то Же время на обмотке wt действует напряжение, обеспечивающее положительное напряжение на базе Т2 и вызывающее его запирание. При запирании транзистора Т] отпирается транзистор Г2, так как напряжение на его базе отрицательно. Таким образом, транзисторы схемы включаются попеременно: если транзистор Tj насыщен, то транзистор Т2 заперт, и наоборот.

Двухбазовые диоды — неудачное название приборов, представляющих собой полевые транзисторы с р — n-переходом, в которых на затвор подается напряжение, создающее ток в прямом направлении. В основание прибора инжектируются неосновные носители, которые благодаря выбору веществ и подбору количества примесей имеют значительно большую подвижность, чем основные, и это приводит к резкому увеличению проводимости основания. Изменение гроводимости за счет инжектировалных неосновных носителей заряда может быть сделано очень большим, так что процесс нарастания тока в основании носит лавинный характер. Чаще двухбазовые диоды включаются при запирающем потенциале на затворе, но при обратном потенциале стока. При повышении потенциала стока сверх некоторого предельного р — «-переход открывается и процессы в приборе развиваются так, как это было описано выше. Схематическое обозначение двухбазового диода приведено на 4.23, в.

На 6.13 показан магнитострикционный преобразователь стержневого типа. Здесь магнитострикционный стержень 2 подмаг-ничивается маг.нитом /. К обмотке 3 подводится переменное напряжение, создающее переменное намагничивание стержня. При отсутствии подмагничи- 7/ вания магнитострикционный стержень при смене направления тока в катушке удлиняется или укорачивается'в направлении поля в зависимости от материала преобразователя, в результате чего он начинает колебаться с удвоенной частотой относительно частоты переменного тока ( 6.14, а). При подмагничивании колебания стержня происходят с частотой переменной составляющей поля ( 6.14, б). Если частота переменного поля близка к собственной частоте продольных колебаний магнитострикцион-ного стержня, то амплитуда его колебаний максимальна. Иначе говоря, если частоты растяжения и сжатия стержня за счет магнитострикционного эффекта совпадают с собственной частотой его продольных колебаний, то последние имеют максимальную амплитуду.

Устройство магнетрона показано на 234. Цилиндрический активированный подогревной катод 4 располагается в центральном отверстии массивного медного анода 3. Вокруг центрального отверстия анода расположено четное количество отверстий меньшего диаметра — резонаторы 2, связанные с ним узкими прорезями — щелями /. На анод подается положительное по отношению к катоду напряжение, создающее между ними ускоряющее электрическое поле напряженностью Е. Силовые линии магнитного поля, которое создается постоянным магнитом или электромагнитом, параллельны оси прибора (перпендикулярны плоскости рисунка). Таким образом, силовые линии электрического и магнитного полей в зазоре между анодом и катодом взаимно перпендикулярны.

Схема распыления на постоянном токе — схема катодного распыления диодного типа, в которой катодом служит испаряемый материал, а на заземленном аноде помещается подложка. Между электродами поддерживается высокое напряжение, создающее тлеющий разряд. Предварительно в рабочем объеме создается разрежение до 1,3- Ю-3—1,3.10~4 Па, затем в камеру напускается соответствующий инертный газ до давления 10-—1 Па. Метод применяется в основном для распыления металлов и сплавов.

Весьма перспективным является использование в диссекторе так называемого канального электронного умножителя. Канальный электронный умножитель представляет собой трубку из специального полупроводящего стекла, имеющего высокий коэффициент вторичной эмиссии. К концам трубки подводится напряжение, создающее внутри канала трубки продольное электростатическое поле.