Населенной местности

На 8.27 приведена схема такого элемента И — НЕ. Транзистор Т3 выполняет функции эмиттерного повторителя с нагрузкой в виде транзистора Tt. При воздействии сигнала «1» на все входы транзистор Т2 насыщен, как показано ранее. Следовательно, транзистор Tt также насыщен из-за высокого потенциала на его входе (точка а), создаваемого эмиттерным током транзистора Т2 на резисторе R3. Благодаря низкому потенциалу коллектора транзистора Т2 (точка б) транзистор Т3 закрыт. При воздействии сигнала «О» хотя бы на один из входов транзистор Г2 закрывается, а транзистор Т3 открывается из-за повышения потенциала точки б и работает как эмиттерный повторитель. Диод Д служит для обеспечения режима смещения транзистора Т3, т. е. для того, чтобы этот транзистор был закрыт при насыщенном транзисторе Тг. Прямое напряжение на диоде Д составляет около 0,5 В и служит для запирания транзистора Т3. Это напряжение создается даже при очень малых (порядка микроампер) токах закрытого транзистора Т3.

Состояние VT3 в статических режимах работы схемы ( 5.18) всегда противоположно состоянию VT4, а следовательно, VT2. При насыщенном VT4 транзистор FY3 закрыт. Диод VD повышает порог отпирания VT3, обеспечивая его закрытое состояние при насыщенном транзисторе VT4. Действительно,

Низкий уровень С/°х определяется падением напряжения коллектор — эмиттер на насыщенном транзисторе и составляет сотни милливольт.

С увеличением JV допускается больший технологический разброс и температурные изменения параметров транзисторов, повышается помехозащищенность и невосприимчивость схемы к колебаниям напряжения питания, однако ухудшается чувствительность, увеличивается мощность управления и несколько ухудшается быстродействие. Физически это связано с изменением состояния коллекторного перехода и снижением высоты его потенциального барьера, так как избыточный заряд подвижных носителей заполняет не только центральную, но и периферийные области базовой пластинки. При этом ток в нагрузке почти не зависит от напряжения на насыщенном транзисторе ([/к э „ас ~ *0,1—0,2 В) и всецело определяется параметрами внешней цепи (/K^i/K/RK). В этом же режиме напряжение на переходе база-эмиттер может достигать 1— 1,5 В, т.е. UQ э нас » UK с, за счет падения напряжения в базовой области вблизи внешнего вывода. В режиме насыщения цепь транзистора можно считать замкнутой.

рованию схемы золотом. Однако тран- схемы ттл зисторы Т1' и ТУ работают в активном режиме при насыщенном транзисторе Т2 и любом режиме работы Т1. При этом несколько уменьшается напряжение между коллектором и эмиттером основного транзистора Т2, но это не ухудшает характеристики схемы, а уровень логического нуля на выходе схемы понижается. Транзистор Т Г работает в активном режиме при нулевом и единичном сигналах на воде, т.е. база транзистора 77 постоянно связана с подложкой.

На насыщенном транзисторе г(к«0. К обмотке wi приложено напряжение ?к, которое трансформируется в нагрузочную обмотку и обмотку Шос. Напряжение на обмотке шос "ос создает базовый ток, насыщающий транзистор:

на 3.27, а, б. Поскольку значения еоб, гбн и гкн малы, то падениями напряжения на входных и выходных зажимах насыщенного транзистора часто пренебрегают, представляя входную и выходную цепи короткозамкнутыми отрезками ( 3.28). Это соответствует ранее использованному представлению о насыщенном транзисторе как приборе, стянутом в точку.

конденсатора, плюс — на левой). После насыщения транзистора Т% правая обкладка конденсатора оказывается связанной с корпусом устройства через малое выходное сопротивление каскада на насыщенном транзисторе Га; напряжение на левой обкладке, равное t/m, приложено к базе 7j. Конденсатор C^ начинает разряжаться. Цепь его разрядки показана на 6.30. Разрядка осуществляется через две параллельные цепи: /?cl, а также через резистор R$t, источник смещения Яом и участок «коллектор — эмиттер» насыщенного транзистора 7V Постоянная времени цепи разрядки конденсатора С,

Ждущие мультивибраторы относятся к классу моностабильных импульсных генераторов и имеют одно длительно устойчивое и одно квазиустойчивое состояния равновесия. Простейшая схема ждущего мультивибратора на биполярных транзисторах, имеющего одну ре-зистивную и одну емкостную коллекторно-базовые связи, приведена на 6.61. В отличие от триггера (см. 6.15) одна из резистив-ных связей заменена связью через конденсатор Ci. Благодаря связи базы Т2 с источником напряжения питания —Е через R52 в цепи базы Tz течет отпирающий ток, достаточный для насыщения этого транзистора. Транзистор T! заперт положительным напряжением, полученным в результате деления запирающего напряжения источника смещения +?см делителем R61RC. Таким -0-Е образом, после включения источников питания состояние схемы определено. Рассмотрим длительно устойчивое выход состояние равновесия схемы. В этом состоянии, т. е. при насыщенном транзисторе Т2, /С2 = (Е — ибя zVRez » « ElR§z- Как и в триггере, коллекторный ток транзистора Т2 является алгебраической суммой двух токов — тока, вытекающего через ^К2: Ii = (E — 6.61 — i/ки г)1К.к2= ElRvz, и встречного ему

3.3.1. Схемы на насыщенном транзисторе и расчетные формулы

12. Сопротивление резистора в эмиттерной цепи транзистора ТЗ можно выбрать, задав лишь одно условие: чтобы при насыщенном транзисторе 77 ток через транзистор ТЗ обеспечивал нормальный рабочий режим прибора. Выбираем /?4 = 3 кОм.

Для различных материалов провода и конструкции линий ПУЭ регламентируется минимально допустимая площадь сечения провода qmm с точки зрения механической прочности. Например, для воздушных линий электропередачи с алюминиевым проводом, проходящих в населенной местности, дт-ш равно 35 мм2. Выбранное сечение провода должно быть не меньше

Для различных материалов провода и конструкции линий ПУЗ регламентируется минимально допустимая площадь сечения провода <7тш с точки зрения механической прочности. Например, для воздушных линий электропередачи с алюминиевым проводом, проходящих в населенной местности, ^тш = 35 мм2. Выбранное сечение провода должно быть не меньше qmin.

недоступной местности; 15 кВ/м — для ненаселенной местности; 10 кВ/м — для пересечений с дорогами; 5 кВ/м — для населенной местности. При напряженности 0,5 кВ/м на границах жилых застроек допускается пребывание человека в электрическом поле по 24 ч в сутки в течение всей жизни.

Соотношение удовлетворяется при габарите линии Г =11,1 м. Соответствующими расчетами установлено, что допустимая напряженность под линией Елоп= = 15 кВ/м для ненаселенной местности достигается при значении Г=13,8 м, а допустимая напряженность ?ДОп = 5 кВ/м для населенной местности при Г= = 27 м.

Высота подвеса проводов над поверхностью земли должна быть в населенной местности не менее 6 м, в ненаселенной — 5 м, в труднодоступной местности не менее 4м. При пересечении улиц ответвлениями от ВЛ до 1000 В к вводам в здания высота подвеса проводов может быть снижена до 3,5 м.

Расстояние по вертикали от проводов ВЛ до поверхности земли должно быть в ненаселенной местности не менее 6 м для ВЛ до ПО кВ, а для ВЛ 150, 220, 330 и 600 кВ соответственно не менее 6,5; 7; 7,5; 8 м. Расстояние от крайних проводов ВЛ до ближайших выступающих частей сооружений должно быть не менее 10— 30 м для ВЛ от 20 до 500 кВ. В населенной местности ПУЭ установлены более высокие расстояния от проводов ВЛ до поверхности земли (для ВЛ 110 кВ не менее 7 м, для ВЛ 200 кВ и выше — 8 м).

Расстояния по вертикали от проводов воздушной линии до поверхности земли должны быть в ненаселенной местности не менее 6м-— для линий с напряжением до ПО кВ. В труднодоступной местности (недоступной для транспорта и сельскохозяйственных машин) указанное расстояние может быть уменьшено па 1 м.

Для воздушных линий, проходящих в ненаселенной местности, парках, заповедниках, лесах зеленых зон вокруг населенных пунктов, ценных лесных массивах, защитных полосах вдоль железных и шоссейных дорог, запретных полосах вдоль рек и озер ширина просек для воздушных линий определяется организацией, в ведении которой находятся указанные насаждения. При этом расстояния от проводов при их наибольшем отклонении до кроны деревьев должны быть не менее: 2м — для линий напряжением до 20 кВ, Зм — для линий 35—110 кВ. Если линии проходят над фруктовыми садами с насаждениями высотой не более 4 м вырубка просек необязательна.

Расстояния от проводов воздушной линии, проходящей в населенной местности, до поверхности земли должны быть не менее 7 м для линий до 110 кВ. Горизонтальное расстояние от основания опоры линии до кювета или бордюрного камня проезжей части улицы (проезда) должно быть не менее 1,5 м; до тротуаров и пешеходных дорожек расстояние не нормируется.

Обозначения: к —коэффициент загрузки провода; АР —потери мощности в линни-при длительной допустимой токовой нагрузке; g — масса 1 км провода; с — стоимость 1 км воздушной одноцепной линии на типовых деревянных опорах с железобетонными приставками в населенной местности; ф —ежегодные амортизационные отчисления на линии; с0 — стоимость 1 кВт-ч электроэнергии; TT — число часов работы завода или цеха, установки в год. Все эти сведения задаются в исходных данных или принимаются на основании справочных данных [7, 8].

Для повышения надежности работы токопроводов и ВЛ, для защиты электроаппаратуры ЗРУ и подстанций от атмосферных и внутренних перенапряжений, для обеспечения безопасности обслуживающего персонала опоры токопроводов и ВЛ должны быть заземлены. Заземлению подлежат все металлические и железобетонные опоры таким образом, чтобы сопротивление заземляющих устройств в ненаселенной местности было не более 30 Ом в грунтах с удельным сопротивлением грунта р до 100 Ом • м и не более 0,3р в грунтах с удельным сопротивлением выше 100 Ом • м. Если на ВЛ-6-10 кВ используют изоляторы ШФ10Т, ШФ20-В и ШС10-Г сопротивление заземления опор в ненаселенной местности не нормируют. Для токопроводов сопротивление заземления опор не должно превышать 10 Ом,