Небольшой концентрации

Отношение приращения тока нагрузки к вызвавшему его приращению тока в обмотке нодмагничивания называется коэффициентом усиления магнитного усилителя по току. Этот коэффициент определяется наклоном характеристики усилителя. Простейшие схемы магнитных усилителей имеют сравнительно небольшой коэффициент усиления, поэтому для его увеличения применяется положительная обратная связь по току нагрузки. Схема подобного магнитного усилителя показана на 5.13. Магнитные потоки, создаваемые обмотками переменного тока при протекании тока нагрузки, одинаковы по направлению и имеют постоянную составляющую, подмагничивающую сердечник. Вентили В обеспечивают двухполупериодное выпрямление тока нагрузки. Изменение коэффициента усиления магнитного усилителя с внутренней обратной связью достигается изменением числа витков обмоток переменного тока.

Отношение приращения тока нагрузки к вызвавшему его приращению тока в обмотке подмагничивания называется коэффициентом усиления магнитного усилителя по току. Этот коэффициент определяется наклоном характеристики усилителя. Простейшие схемы магнитных усилителей имеют сравнительно небольшой коэффициент усиления, поэтому для его увеличения применяется положительная обратная связь по току нагрузки. Схема подобного магнитного усилителя показана на 1.15. Магнитные потоки, создаваемые обмотками переменного тока при протекании тока нагрузки, одинаковы по направлению и имеют постоянную составляющую, подмаг-ничивающую сердечник. Вентили В обеспечивают двух-полупериодное выпрямление тока нагрузки. Изменение коэффициента усиления магнитного усилителя с внут-

К недостаткам следует отнести небольшой коэффициент полезного действия, не превышающий 0,3, большое внутреннее сопротивление стабилизатора (5—20 Ом), а также узкий и нерегулируемый диапазон стабилизируемого напряжения.

Параметрический стабилитрон не позволяет регулировать выходное напряжение, имеет сравнительно небольшой коэффициент стабилизации (порядка нескольких десятков); ввиду инерционности стабилитрон не может работать при быстрых изменениях входного напряжения и тока нагрузки, обладает температурным дрейфом. В связи с этим стабилизатор на кремниевом стабилитроне применяют для питания слаботочных полупроводниковых схем, а также в качестве источника опорного напряжения в более мощных компенсационных стабилизаторах.

'Преимущество такого ИВЭП состоит в том, что энергия постоянного тока преобразуется в энергию повышенной частоты только один раз (вообще же энергия преобразуется тремя ступенями: переменный ток 50 Гц в постоянный ток, последний в ток повышенной частоты, затем опять в постоянный ток). К недостаткам этого ИВЭП относятся: большие размеры фильтра Ф2, связанные с большой скважностью и его работой на низком напряжении; громоздкое осуществление многока-нальности: каналы гальванически связаны друг с другом и с сетью; сложный ЭПС из-за большой скважности. Отметим, что фильтр Ф1 имеет небольшой коэффициент фильтрации, а при питании от трехфазной сети переменного тока и шестипульсационном выпрямлении можно обойтись и без него. В этой схеме стабилизируется каждый канал в отдельности и поэтому можно получить нужную степень стабилизации выходного напряжения.

Однокаскадные умножители частоты позволяют получить сравнительно небольшой коэффициент умножения (п < 10). Это обусловлено главным образом трудностью достаточно чистого выделения необходимой гармоники при нормальной добротности контуров. Правда, в диапазоне сантиметровых волн, где используются объемные резонаторы с высокой добротностью, можно выделить гармоники до п = 100. Обычно же для получения большого коэффициента умножения (п — 10 4-105) применяют многокаскадные умножители частоты. Идея этого метода заключается в выделении первым каскадом гармоники с не?

Относительно небольшой коэффициент усиления по току

Для определенности 5мако измеряют при Ямакс = 5НС. Желательно, чтобы /Сп был возможно ближе к единице. Для обеспечения быстрого перемагничивания сердечников они должны иметь небольшой коэффициент переключения Sq. Коэффициент Sq численно равен количеству электричества, приходящемуся на единицу толщины

Рассмотренная схема позволяет получить относительно небольшой коэффициент усиления. Для увеличения коэффициента усиления в магнитных усилителях часто применяют обратную связь, при помощи которой часть энергии с выхода усилителя снова подается на его вход.

Циркон обладает весьма благоприятными теплофи-зическими свойствами, он имеет сравнительно небольшой коэффициент линейного расширения (4,6-10~^ при 1100°С) и умеренную теплопроводность. Термостойкость циркона хорошая и превышает термостойкость корунда, диоксида циркония и муллита. Циркон обладает хорошими электроизолирующими свойствами: так, при 1130°С его объемное удельное сопротивление составляет 1,2-103 Ом-см. Механическая прочность изделий из циркона высока. До настоящего времени циркон не получил широкого применения в технике главным образом из-за ограниченной добычи и высокой стоимости. Однако его широко используют в качестве добавок в массах, например .в специальных видах .фарфора, авто- и авиасвечных массах, в глазурях, обмазках. Введение циркона в качестве добавок улучшает термостойкость и электрофизические свойства изделий из него.

ЛС-генераторы нашли наибольшее применение, поскольку имеют достаточно 1Хорошую стабильность, небольшой коэффициент гармоник и просты по устройству. Основой i^C-генератрра является усилитель, охваченный ПОО через фазо-сдвигающую цепь, обеспечивающую генерацию сигнала синусоидальной формы. Установку необходимой частоты выходного сигнала осуществляют изменением сопротивлений резисторов или емкостей конденсаторов, входящих в фазосдви-гаювдую цепь.

Рассмотрим роль примесей, атомы которых создают дискретные энергетические уровни в пределах запрещенной зоны полупроводника. При небольшой концентрации примесей их атомы расположены в полупроводнике на таких больших расстояниях друг от друга, что не взаимодействуют между собой. Поэтому нет расщепления примесных уровней. Вероятность непосредственного перехода электронов от одного примесного атома к другому ничтожно мала, т. е. с точки зрения зонной теории ничтожно мала вероятность перехода электрона с одного дискретного примесного уровня на другой.

При работе АЭС образуются радиоактивные жидкости, газы и твердые вещества. В небольшой концентрации радиоактивнье вещества в США разрешается выбрасывать в окружающую среду. Выбросы радиоактивных отходов строго контролируются и не должны превышать установленных норм. Эти выбросы в некоторой степени оправданы тем обстоятельством, что окружающая среда радиоактивна со времени возникновения мира. Все вещества в природе (жидкие, твердые и газообразные) в той или иной степени радиоактивны. Земля находится под непрерывным воздействием космических лучей.

4) полупроводник, содержащий в небольшой концентрации примесь с валентностью, отличной от валедтности основного вещества.

Флюорит кальция. Кристаллы CaF2 обычно активируют ураном. При небольшой концентрации U3+ (около 0,05%) индуцированное из-лучение наблюдается на волне 2,5 мкм; рабочим переходом является переход между нижним уровнем состояния 4/ц/2 и верхним уровнем состояния d/9/2- Спектр люминесценции ионов урана находится в пределах длин волн 2,0 -f- 2,6 мкм. Излучение происходит по четырех-

Доноры и акцепторы. Рассмотрим роль тех примесей, атомы которых создают дискретные энергетические уровни в пределах запрещенной зоны полупроводника. При небольшой концентрации примесей их атомы расположены в решетке полупроводника на таких больших расстояниях друг от друга, что они не взаимодействуют, л потому энергетические уровни их почти такие же, как в отдельном свободном атоме. Вероятность непосредственного перехода электронов с одного примесного атома на другой ничтожно мала. Однако примеси могут либо поставлять электроны в зону проводимости полупроводника, либо принимать их с уровней его валентной зоны.

В каждой кассете имеется 4 элемента с выгорающим поглотителем нейтронов. Назначение этих компенсирующих стержней состоит в подавлении начальной избыточной реактивности и компенсации температурного эффекта. Благодаря этому поглощению возможно поддержание постоянной небольшой концентрации борной кислоты в первом контуре при полной нагрузке реактора во время всего цикла. Реактор характеризуется высоким отрицательным температурным коэффициентом реактивности, что позволяет провести его пуск из холодного состояния. Во время пуска первого контура циркуляционный насос работает с минимальным расходом, необходимым для надежной работы гидродинамических подшипников. После прекращения циркуляции через нижний гидравлический затвор с помощью подачи азота под колпак можно начинать снижение концентрации борной кислоты в первом контуре подводом в него чистой воды. После достижения критического состояния и нагрева воды до температуры 80—100°С расход воды на выходе из активной зоны будет равен расходу воды через циркуляционный насос; азот из-под колпака нижнего гидравлического затвора удаляется, и первый контур постепенно переводится на номинальные параметры.

Смеси тетрахлорсилана с полисиланхлоридами образуются в технологии синтеза трихлорсилана и концентрируются при очистке в кубах ректификационных колонн (кубовые остатки). Возможно наличие небольшой концентрации трихлорсилана.

2 раллельными электродами площадью 1 см , отстоящими один от другого на расстоянии 1 см. Единица электрической проводимости — сименс (См). В кондуктометрии растворов небольшой концентрации обычно используют значение, уменьшенное в 10 раз, — микросименс (мкСм). Единица удельной электрической проводимости при этом — мкСм/см.

раллельными электродами площадью 1 см , отстоящими один от другого на расстоянии 1 см. Единица электрической проводимости — сименс (См). В кондуктометрии растворов небольшой концентрации обычно используют значение, уменьшен-

Виллемит является одним из наиболее стойких к физико-химическим воздействиям люминофоров. Интенсивная электронная бомбардировка сравнитель.но мало разрушает виллемитовый экран. Посторонние примеси в небольшой концентрации практически не влияют на параметры этого люминофора. Виллемит не меняет своих свойств при нагревании до 500—600° С.

Для получения однородных покрытий при изготовлении экранов преимущественно используют способ осаждения. Механическая смесь обоих люминофоров в необходимой пропорции взвешивается в дистиллированной воде и заливается в колбы кинескопов. Для более прочного закрепления люминофора применяется биндер, например жидкое стекло в очень небольшой концентрации. Так как кинескопы обычно работают в неподвижных установках, применение биндера не является строго обязательным, особенно, если учесть, что биндер несколько снижает световую отдачу.



Похожие определения:
Надежности срабатывания
Насыщения магнитной
Насыщения соответствует
Насыщением транзистора
Насыщенный трансформатор
Насыщенного транзистора
Настоящем справочнике

Яндекс.Метрика