Некоторых транзисторов

У некоторых трансформаторов нейтральные точки обмоток ВН или НН, соединенных в звезду, выводятся на крышку бака; такое соединение обозначают Y0/Y или Y/Y0. В зависимости от схемы соединения (Y/Y-0 или Y/Д-П) линейные напряжения на выходных зажимах вторичной обмотки трехфазного трансформатора могут совпадать по фазе с одноименными линейными напряжениями первичной обмотки или быть сдвинуты по фазе на 30°. На 13.26,6 построены топографические векторные диаграммы, поясняющие это положение. Заметим, что одноименными называют напряжения, векторы которых имеют одинаковый буквенный индекс. При построении этих диаграмм учитывалось совпадение по направлению векторов одноименных фазных напряжений первичной и вторичной обмоток, так как они создаются общими фазными потоками в стержнях магнитопровода.

в сетях ВН и НН. Ниже рассматривается ремонт некоторых трансформаторов тока и трансформаторов напряжения, применяемых в установках НН и ВН.

В системах с эффективно-заземленными нейтралями для выполнения желательного по условиям работы электрических аппаратов соотношения /?'> ^/?3) либо у части трансформаторов данной сети разземляют нейтрали, либо в нейтрали некоторых трансформаторов включают специальные активные, реактивные, комплексные или нелинейные сопротивления, в том числе с пороговыми элементами ( 3-3). Следует отметить, что в отечественных энергосистемах способы ограничения токов замыкания на землю, показанные на 3-3, г—ж, пока не получили распространения.

4. Для некоторых трансформаторов тока указаны две цены: в Числителе —•

Таблица 5.6. Основные технические данные некоторых трансформаторов для однопостовой дуговой сварки

Защита изолированной нейтрали трансформаторов. Для уменьшения токов однофазного к. з. нейтрали некоторых трансформаторов ПО кВ, реже 220 кВ, могут быть временно или постоянно раззем-лены. При воздействии волн атмосферных перенапряжений на линейные вводы трансформаторов (в особенности при падении волны по трем фазам) на нейтрали могут развиться колебания, приводящие к значительному превышению напряжений над уровнем изоляции нейтрали. Для ограничения этих перенапряжений в нейтраль трансформатора включается вентильный разрядник с номинальным напряжением на класс ниже, чем класс трансформатора. Во избежание преждевременного износа и разрушения нежелательно срабатывание разрядника в нейтрали при внутренних перенапряжениях, в частности при несимметричных коммутациях и однофазных к. з. Во всяком случае разрядник в этих случаях должен гасить дугу сопровождающего тока, т. е. смещение нейтрали U0 должно быть меньше напряжения гашения, Как было показано Б ГЛ. 16, смещение нейтрали при однофазном к. з. зависит от х01хг:

В электрических сетях с эффективно-заземленными нейтралями для выполнения желательного по условиям работы электрических аппаратов соотношения /к'^/к3' у части трансформаторов данной сети разземляют нейтрали либо в нейтрали некоторых трансформаторов включают специальные активные, реактивные, комплексные или нелинейные сопротивления, в том числе с пороговыми элементами ( 3.3). Следует отметить, что в отечественных энергосистемах получили распространение способы ограничения токов замыкания на землю, показанные на 3.3, а и б.

конструкций некоторых трансформаторов, внешних вибрациях . и удара к и повреждениях-самих реле (например, нарушении герметичности поплавков, когда они, опускаясь, замыкают контакты). Необходимо, однако, отметить, что в ряде новых конструкций многиэ из имевшихся недостатков устранены.

Для ориентации во встречающихся на практике соотношениях В Табл. 15-1 приводятся значения Р0 и Рк для некоторых трансформаторов с соединением обмоток Y/Y0 и Y/Д по ГОСТ 12022—66 и ГОСТ 11920 — 73. У изготовляемых в СССР трансформаторов Р0 и Рк не должны превышать указанных в таблице значений.

У некоторых трансформаторов нейтральные точки обмоток ВН или НН, соединенных в звезду, выводятся на крышку бака; такое соединение обозначают Y0/Y или Y/Yo. При симметричной

- разземление нейтралей некоторых трансформаторов;

Пленарную технологию используют для изготовления не только маломощных, но и мощных СВЧ транзисторов ( 7.5). В этих транзисторах обеспечен хороший теплоотвод за счет крепления кристалла полупроводника на пластине из бериллиевой керамики, имеющей высокий коэффициент теплопроводности. При изготовлении транзистора применяют травление края коллекторного перехода и удаляют участки базы и коллектора, имеющие максимальное количество примесей и дефектов. Это приводит к повышению напряжения пробоя. Такие транзисторы, имеющие скос коллекторного перехода, называются мезапланарными. Параметры некоторых транзисторов средней мощности и мощных, изготовленных диффузионным и пленарными методами, приведены в табл. 7.2.

поэтому спад коэффициента усиления тока может проявляться у некоторых транзисторов на частотах порядка нескольких килогерц:

На частотные свойства транзисторов оказывают влияние емкости электронно-дырочных переходов. Диффузионная емкость эмиттерного перехода достигает у некоторых транзисторов сотен пикофарад, барьерная емкость коллекторного перехода составляет 1,0 н- 50 пф.

рекомбинации, в базу из внешней цепи проходят новые электроны, которые образуют ток базы /д. Толщина базы составляет не более 0,1 мм, а для некоторых транзисторов — не более нескольких микрометров. Область базы обычно выполняется из «-полупроводника с малым содержанием донорных примесей, что свидетельствует о низкой концентрации свободных электронов в базе. Поэтому лишь немногие дырки, попавшие в базу, рекомбинируют с ее электронами. Подавляющая часть дырок (в лучшем случае до 99,8%) под действием теплового движения (диффузии) успевает дойти до коллекторного перехода. Здесь дырки попадают в зону действия • электрического поля, созданного контактной разностью потенциалов и внешним напряжением Ек, приложенным к участку база — коллектор. Так как потенциальный барьер коллекторного перехода не препятствует движению через него неосновных носителей, то пришедшие в базу из области эмиттера и достигшие коллекторного перехода дырки (неосновные носители в я-области) поступают в коллектор, создавая ток коллектора /к- Таким образом, поток дырок, инжектируемых эмиттером, распределяется в транзисторе между двумя областями — базой и коллектором. Следовательно, ток эмиттера равен сумме токов коллектора и базы:

Величина иа для некоторых транзисторов приводится в справочниках. Для остальных транзисторов можно принять

В табл. 4.3 приведены параметры некоторых транзисторов с двумя р •— «-переходами.

Практическая схема усилителя с общим эмиттером со стабилизацией режима приведена на 4.19, а, с общей базой — на 4.19, бис общим коллектором— на 4.19, в. Принципы составления схем и и обеспечения нормального режима в схемах с п — р — «-транзисторами полностью совпадают с рассмотренными, в них лишь изменяются на обратные полярности всех потенциалов. В табл. 4.3 приведены данные некоторых транзисторов (см. стр. 150).

5.8. Основные параметры некоторых транзисторов MOSFET

Таблица 6.1. Параметры некоторых транзисторов IGBT

При работе пуш-путьно] о преобразователя разрядные диоды включаются попеременно. Следует также помнить, что в составе транзисторов MOSFET, а также некоторых транзисторов IGBT эти диоды уже есть, поэтому вводить дополнительные элементы не г необходимости.

5.8. Основные параметры некоторых транзисторов MOSFET . . 94