Отдельные кристаллы

Наиболее содержательный в смысле использования ММ этап проектирования. На этом этапе вначале тщательно исследуются физико-химические закономерности, лежащие в основе технологии данного вида РЭА. Их математическое описание основывается обычно на дифференциальных уравнениях математической физики, теории цепей, термодинамики, кинетики химических взаимодействий и т. д. Для обобщения результатов экспериментальных исследований широко привлекаются методы теории планирования эксперимента. Результатом такого всестороннего анализа ТП являются соотношения, полученные в результате решения дифференциальных уравнений, аппроксимации экспериментальных данных и с требуемой точностью описывающие отдельные компоненты ТП.

Все методы заливки характеризуются повышенной трудоемкостью приготовления гомогенной смеси, сложностью поддержания ее технологических свойств в заданных пределах. Для автоматизации процесса фирмы Hardman (США) и I. Ваег (ФРГ) разработали оборудование, в котором автоматически дозируются отдельные компоненты, перемешивается, обезгаживается и дозируется требуемыми порциями заливочная масса. Оборудование также оснащено устройствами предотвращения желатинизации компаунда в смесительной камере и промывки дозирующей системы растворителем.

Хроматографией называется разделение газовой смеси на отдельные компоненты при ее движении через слой поглотителя (сорбента).

чего скорости их прохождения через разделительную колонку будут разными. Это приводит к разделению анализируемой газовой смеси на отдельные компоненты, которые и выходят из колонки в виде так называемой бинарной смеси с газом-носителем.

особое внимание следует обращать на близость ТКЛР материала заливки и защищаемого компонента или узла (это влияет на внутренние напряжения в компаунде), а также ТКЛР материала заливки и внешних выводов (это влияет на образование каналов проникновения влаги при изменении температуры). Для защиты заливаемых элементов от механических нагрузок, возникающих в результате внутренних напряжений в компаунде, принимают следующие меры: ограничивают толщину заливки; наиболее чувствительные компоненты располагают ближе к центру ( 4.5); отдельные компоненты, например магнитные, помещают в защитные каркасы; перед заливкой защищаемые компоненты покрывают тонким слоем эластичного компаунда (например, СКТН), вазелина (КВ-3, КВ-Н и др.), смазки (ВНИИНП, ЦИ-АТИМ-201 и др.) ( 4.6). Смазка толщиной 0,025; 0,062; 0,087 мм снижает контактное давление на 30, 70 и 80% соответственно. Увеличивать толщину слоя смазки для изделий, работающих в широком диапазоне температур, нецелесообразно из-за высокого значения ТКЛР силиконовых материалов (около 200-10~6 °С~1) и возникающего вследствие этого большого гидростатического давления в замкнутом объеме.

Отдельные компоненты гибридной схемы могут соединяться между собой токопроводящими пленочными проводниками, нанесенными на подложку, или проволочными перемычками.

ство дополнительных технологических операций, что значительно увеличивает стоимость микросхемы. Это привело к разработке других методов изоляции отдельных элементов монолитной схемы. К их числу относится •метод балочных выводов. Сущность этого метода заключается в том, что толщина металлических перемычек, соединяющих отдельные элементы схемы, электролитическим методом увеличивается примерно до 10 мкм. Полученные таким способом перемычки («балки») обладают достаточной прочностью, чтобы механически поддерживать отдельные компоненты схемы. Это дает возможность травлением и шлифовкой удалить материал подложки, расположенный между элементами микросхемы (транзисторами, резисторами, конденсаторами и т. д.), что изолирует их друг от друга. На 11.3 схематически показан транзистор с балочными выводами

Отдельные компоненты микросхем располагаются друг от друга на малых расстояниях, обычно не превышающих 50— 100 мкм. При таких размерах полупроводники практически идеально однородны, поэтому смежные компоненты оказываются идентичными и их параметры в одинаковой степени меняются при изменении внешних условий. Это чрезвычайно важно, поскольку и активные (биполярные и полевые транзисторы, туннельные диоды и т. д.), и пассивные (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды) компоненты микросхем выполняются на основе полупроводников, свойства которых в значительной мере зависят от внешних условий (и в первую очередь от температуры). Однако, если иметь несколько одинаковых компонентов с одинаково изменяющимися параметрами, их можно всегда включать в электронную схему так, что изменения параметров могут взаимно скомпенсироваться.

Особенностью интегральной микроэлектроники является то, что при создании интегральных микросхем конструкторы фактически копируют в микроминиатюре некоторую исходную электронную схему, выполненную из отдельных дискретных компонентов: диодов, транзисторов, тиристоров, резисторов, конденсаторов ... Таким образом, в основе интегральной микроэлектроники лежит принцип воспроизведения исходной дискретной схемы в виде интегральной схемы, содержащей все элементы исходной. Это приводит по мере усложнения операции, выполняемой микросхемой, к увеличению числа отдельных элементов, что имеет свой предел, обусловленный целым рядом физических факторов. Прежде всего, это связано с отводом тепла из микросхемы. Дело в том, что существует некоторое минимальное значение энергии, потребляемой активными компонентами микросхемы, ниже которого микросхема работать не может. Вследствие этого при увеличении (в некотором объеме полупроводника) числа отдельных компонентов микросхемы (сопровождаемое уменьшением их размеров) возрастает и потребляемая энергия питания и повышается выделение тепла, отвод которого — очень непростая задача. Помимо этого, уменьшение размеров сопровождается увеличением сопротивления токопроводящих металлических полосок, соединяющих отдельные компоненты, что может привести к нарушению режима работы. Уменьшение размеров свободных поверхностей и областей, изолирующих элементы друг от друга, приводит к увеличению взаимного влияния между элементами (за счет емкостных и индукционных эффектов).

Пусть аг — собственное значение матрицы А, при котором изображение F(p; t)=[F\(p; t) ... Fm(p; 0]* вектор-функции f(/) = — IfiW—fmit)]1 уравнения состояния (2.1) не существует, точнее — отдельные компоненты вектор-функции F(p; t) имеют при р = а.г полюсы. Рассмотрим наряду с уравнением (2.1) уравнение

В АС ТПП предусматриваются отдельные компоненты автоматизированного выполнения перечисленных работ.

Бескорпусные микросхемы могут изготовляться на специализированных предприятиях или самим заводом-изготовителем больших гибридных интегральных микросхем на полупроводниковых подложках теми же методами и с той же топологией, что и кристаллы обычных корпусных полупроводниковых микросхем. Отли-, чие состоит в том, что после изготовления подложек, отбраковки негодных, скрайбирования и разделения на отдельные кристаллы годные из них приклеиваются на диэлектрическую подложку пленочной ИМС. Затем присоединяются внешние выводы бескорпусных микросхем к соответствующим контактным площадкам пленочной коммутационной платы. В большинстве случаев толстопленочная или тонкопленочная часть БГИС содержит только проводники, соединяющие бескорпусные полу-. проводниковые микросхемы. Резисторы выполняются в структурах пленочной части БГИС только в тех случаях, когда необходимо обеспечить высокую точность и малые температурные коэффициенты сопротивлений. Защита таких микросхем от воздействия агрессивных сред обеспечивается окисной пленкой, покрывающей поверхность полупроводниковой подложки, и защитным слоем, создаваемым для предохранения всей структуры БГИС.

Мезатранзисторы. При их изготовлении используют мезатех-нологию в сочетании с групповым методом производства. Он заключается в том, что на одной пластине одновременно создается большое количество однотипных структур (более 300), причем этот процесс протекает в едином технологическом цикле. После этого производят следующие операции: пластину разрезают на отдельные кристаллы и к ним присоединяют выводы, а затем каждый кристалл помещают в отдельный корпус. Преимущество группового способа заключается в том, что он обеспечивает однотипный технологический цикл для всех приборов, а следовательно, уменьшает разброс параметров и размеры приборов. Кроме того, этот метод дает значительные экономические преимущества, так как может быть использован в крупносерийном производстве.

ния технологического цикла подложки разрезают алмазным резцом или лазерным лучом на отдельные кристаллы, представляющие собой полупроводниковые ИМС. Перед

разделением подложки на отдельные кристаллы производится измерение электрических параметров полупроводниковых ИМС. Неработающие ИМС отбраковывают.

Современные транзисторы изготовляют методами планарно-эпитак-сиальной технологии (см. § 8). На кремниевой пластине 1 л+-типа ( 43) с эпитаксиально выращенным на ней тонким (несколько микрометров) слоем 2 n-типа локальным диффузионным легированием с применением фотолитографии последовательно изготовляют области базы 4 р-типа и области эмиттера 5 /7+-типа. Для уменьшения емкости и повышения пробивного напряжения коллекторного р-п-перехода его изготовляют в слабо легированном слое 2 Сильное легирование пластин / необходимо для уменьшения сопротивления коллекторной области. Далее фотолитографией изготовляют контактные окна к областям эмиттера и базы в слое диоксида кремния 3, осаждают слой металлизации и фотолитографией получают рисунок металлизации, формируя электроды эмиттера 6 и базы 7. Затем пластину кремния разделяют на отдельные кристаллы. Металлизированный электрод коллектора 9 изготовляют обычно одновременно с монтажом кристалла пайкой в корпусе прибора.

Изготовление кристаллов ИМС, каждый из которых содержит большое количество электрических элементов (например, транзисторов, резисторов и др.), соединенных между собой в соответствии с заданной электрической схемой, производят групповым методом. Его сущность состоит в том, что на пластине полупроводникового материала, имеющей диаметр порядка 30 мм, одновременно изготавливают несколько сотен одинаковых ИМС. После проверки каждой ИМС и отбраковки негодных производят разрезку пластины на отдельные кристаллы, после чего они поступают на сборку.

При конструировании на монолитных кристаллах усилителей, особенно высокочастотных, и других аналогичных схем возникают трудности. В таких случаях преимущества имеют гибридные и совмещенные схемы, у которых пассивные компоненты выполнены с применением пленок или в виде дискретных элементов. У гибридных схем эти пленки наносят на основание из диэлектрика, на котором закрепляют также отдельные кристаллы, содержащие полупроводниковые элементы. Упрощенная структура гибридной схемы показана на 11.8,а, соответствующая ей электрическая схема — на 11.8,в.

Определение функциональной сложности. Как отмечалось, основной задачей первого этапа проектирования БИС является определение ее оптимальной функциональной сложности. Решение этой задачи сводится к разбиению радиоэлектронной системы на отдельные кристаллы и определению функций каждой БИС.

друг с другом тонкими металлическими полосками (часто алюминиевыми). Как видно из 14.1, а все ИС регулярно расположены на поверхности пластины. Пластина разрезается на отдельные кристаллы (называемые в специальной литературе чипами), которые помещаются в корпус, что иллюстрирует 14.1, г. При этом разработчик аппаратуры получает готовый функциональный узел в виде электронного прибора определенного типа и назначения.

Этап разделения, пластин на отдельные кристаллы выполняется после формирования схемотехнических элементов на поверхности и в объеме полупроводниковых подложек. Это обстоятельство выдвигает на первое место требование выполнения этапа с минимально возможным процентом брака,

Как в случае насыщения обычного раствора веществом происходит кристаллизация осадка, так и при насыщении твердого раствора достигается момент, когда неполный гидрат окиси трехвалентного марганца образует отдельные кристаллы вещества, имеющего структуру манганита МпООН. Для достижения насыщения необходима высокая 'концентрация неполного гидрата окиси марганца на поверхности частицы двуокиси марганца. Такая концен-.трация достигается при глубоком разряде, когда напряжение на элементе достигает 0,7—0,8 В.



Похожие определения:
Отдельными каскадами
Отдельными участками
Отдельного трансформатора
Отечественной литературе
Отклоняющим пластинам
Отклонениям напряжения
Отклонения сопротивлений

Яндекс.Метрика