Относительно изображений

На 2.27 внешний относительно источника энергии пассивный участок цепи представлен в виде пассивного двухполюсника П. Параметром такого пассивного двухполюсника является его входное комплексное сопротивление, т. е. комплексное сопротивление между выводами а и Ъ:

На 2.27 внешний относительно источника энергии пассивный участок цепи представлен в виде пассивного двухполюсника Я. Параметром такого пассивного двухполюсника является его входное комплексное сопротивление, т. е. комплексное сопротивление между выводами а и Ь:

На 2.27 внешний относительно источника энергии пассивный участок цепи представлен в виде пассивного двухполюсника П. Параметром такого пассивного двухполюсника является его входное комплексное сопротивление, т. е. комплексное сопротивление между выводами а и Ь:

Часто применяют схему двухтактного усилителя мощности с дополнительной симметрией и двумя источниками питания ( 4.18, а). Здесь оба транзистора V2 (п—р—п) и V3 (р—п—р) включены параллельно относительно источников питающего напряжения и относительно источника входного сигнала и сопротивления нагрузки. С помощью со-лротивлений яб! и #62 и диода VI устанавливается начальная рабочая точка. Так как падение напряжения на р — п-перехода диода VI меньше, чем нужно для смещения двух последовательно включенных база-эмиттерных переходов транзисторов в режим А, схема работает в режиме АВ, позволяющем получить

Ток через первый транзистор возрастает, начнет увеличиваться ток и через сопротивление R3. На нем появятся дополнительное положительное напряжение, которое увеличит потенциалы обоих транзисторов VI и V2. Транзистор VI относительно источника сигнала включен по схеме с ОЭ, а транзистор V2 относительно сопротивления /?э — по схеме с ОБ. Так как в цепи базы второго транзистора для обеспечения начального смещения включен сравнительно низкоомный делитель на сопротивлениях #бз, #64, изменение тока базы этого транзистора не изменит потенциала в его базе и он начнет закрываться. С учетом результатов анализа, проведенного выше, ток через сопротивление #э увеличится на Д/к, а потенциал — на ДС/вх/2 = =Д/к#з>. Тогда изменения разности потенциалов между базой и эмиттером транзисторов будут следующие:

При конструировании машины с целью уменьшения уровня помех следует предусматривать симметричное расположение обмоток цепи якоря относительно источника помех для увеличения внутреннего высокочастотного сопротивления со стороны внешних зажимов. Для этого обмотку возбуждения, соединенную последовательно с якорем, разделяют на две равные части и включают по обе стороны щеток. Схема подавления помех, создаваемых машинами с последовательным возбуждением, представлена на 11.3.

Входной сигнал Uc через разделительный конденсатор С одновременно поступает на базы транзисторов VT1 и VT2. Положительный полупериод / сигнала увеличивает ток базы транзистора VT1 и уменьшает ток базы транзистора VT2. При этом увеличивается ток коллектора транзистора VТ1 и уменьшается ток коллектора транзистора VT2, что равносильно появлению в этих токах переменных составляющих, которые совпадают по направлению и суммируются в нагрузке. В полупериод 2 увеличиваются базовый и коллекторный токи транзистора VT2, а эти токи транзистора VT1 уменьшаются. В нагрузке вновь происходит сложение переменных составляющих токов коллекторов, т. е. образуется второй полупериод выходного напряжения. Таким образом, по постоянному току относительно источника питания транзисторы включены последовательно, а по переменному относительно нагрузки — параллельно.

Выше показано, что целевая функция задачи принимает наименьшее значение в ЦЭН, координаты которого определены по (9.11). Следовательно, разброс нагрузок приемников электроэнергии относительно источника питания, расположенного в ЦЭН, наименьший.

Для большинства подложек эффективна очистка в ультразвуковой ванне с растворителем. Степень ультразвуковой очистки зависит от частоты колебаний, их мощности, поверхностного натяжения и вязкости растворителя, расположения подложки относительно источника колебаний. Наиболее важное для очистки свойство растворителя — поверхностное натяжение: чем оно выше, тем больше энергии высвобождается при кавитации. Однако для очистки поверхностей с микротрещинами целесообразно применять растворители с низким поверхност-

Результирующая реактивность комплексной схемы относительно источника тока будет:

Теорема об эквивалентном преобразовании источников утверждает, что всякую схему, состоящую из резисторов и источников напряжения и имеющую два вывода, можно представить в виде эквивалентной схемы, состоящей из одного резистора R, последовательно подключенного к одному источнику напряжения V. Представьте, как это удобно. Вместо того чтобы разбираться с мешаниной батарей и резисторов, можно взять одну батарею и один резистор ( 1.9). (Кстати, известна еще одна теорема об эквивалентном преобразовании, которая содержит такое же утверждение относительно источника тока и параллельно подключенного резистора).

14.5. Условно примем в качестве положительных такие направления токов в ветвях, которые указаны стрелками на 1.14.4. На основании первого закона Кирхгофа имеем следующее уравнение состояния цепи, записанное относительно изображений ?/Вх, U вых и Ua:

Этим соотношениям соответствует операторная схема, данная на 11.4. Разрешив (11.16) относительно изображений токов, можно получить операторную схему с параллельно включенными источниками тока, учитывающими начальные условия.

Коэффициенты левой части системы линейных уравнений образуются разностью единичной матрицы, умноженной на s, и матрицы параметров цепи: (si —А). Решение этой системы относительно изображений переменных состояния формально сводится к определению обратной матрицы

Если имеется система дифференциальных уравнений с несколькими неизвестными, следует перейти от этих дифференциальных уравнений к соответствующим им операционным уравнениям и решить полученную систему алгебраических уравнений относительно изображений искомых величин. Это значительно проще, чем оперировать с дифференциальными уравнениями, исключая неизвестные для получения одного дифференциального уравнения с одним неизвестным, более высокого порядка (в гл. V рассмотрен такой случай) .

2. После составления системы дифференциальных уравнений каждое из них заменяют операционным, а затем решают систему этих алгебраических уравнений относительно изображений. Этот способ значительно проще предыдущего.

1) перейти от отдельных дифференциальных уравнений к соответствующим операционным с учетом начальных условий: при * = 0, «Ср= U0; цсз = 0, i'2 = 0; после этого решить систему алгебраических уравнений относительно изображений искомых функций, в итоге чего и получатся приведенные выражения (V.70);

т. e. относительно изображений получили обыкновенные дифференциальные уравнения.

записать относительно изображений, учитывая, что \(t) == — и обозначив изображение h(t) через Н(р), то Н(р)=К(р)/р. Отсюда

полагая, что р(—га)=0, найдем уравнение относительно изображений:

5. Решая полученную систему уравнений относительно изображений воздействия и реакции и беря их отношение, получить операторную передаточную функцию.