Обкладкой конденсатора

1.68. Заряженная частица, имеющая начальную скорость t>o= =2-107 м/с, движется между обкладками цилиндрического конденсатора по круговой траектории, концентрической к обкладкам конденсатора. Радиусы цилиндрических обкладок #i=50 MM, R2=6Q мм, между обкладками приложена разность потенциалов 800 В. Определить значение и направление индукции однородного магнитного поля, в котором заряженная частица будет двигаться точно так же, как и в цилиндрическом конденсаторе.

Если номинальное значение рабочего напряжения конденсатора U» = 50 В, а фактически в схеме к обкладкам конденсатора приложено напряжение 1/ф = 5 В, то коэффициент нагрузки по напряжению

Для некоторых типов конденсаторов в технических условиях вместо предельно допустимого значения реактивной мощности указывают максимальное значение переменного напряжения, которое может быть приложено к обкладкам конденсатора.

Заряд конденсатора. В процессе заряда обкладкам конденсатора сообщаются равные по значению, но разные по знаку электрические заряды; между обкладками возникает электрическое поле. При появлении электрического поля в пространстве между обкладками запасается некоторое количество энергии электрического поля.

Заряд конденсатора. В процессе заряда обкладкам конденсатора сообщаются равные по значению, но разные по знаку электрические заряды; между обкладками возникает электрическое поле. При появлении электрического поля в пространстве между обкладками запасается некоторое количество энергии электрического поля.

Ток в такой цепи есть движение зарядов к обкладкам конденсатора

Заряд конденсатора. В процессе заряда обкладкам конденсатора сообщаются равные по величине и разные по знаку электрические заряды, между .обкладками возникает электрическое поле. При появлении электрического поля в пространстве между обкладками

Если подключить конденсатор к сети постоянного тока ( 1.29), то он будет заряжаться. Электрические заряды из сети будут перемещаться к обкладкам конденсатора. Движение зарядов к обкладкам по проводам и есть электрический ток в цепи с конденсатором:

2. Значение силы, которую следует приложить к обкладкам конденсатора, чтобы их раздвинуть.

3. Значение силы, которую следует приложить к обкладкам конденсатора после их раздвижения для того, чтобы удержать их в этом положении.

11. Плоский конденсатор содержит k слоев диэлектрика, проницаемости которых равны ги ej, е3,..., &k- Поверхности раздела диэлектриков — плоскости, параллельные обкладкам конденсатора. Запишите граничные условия для потенциала и его производной на поверхности между i и i + 1 слоями. Подсчитайте число постоянных при интегрировании уравнений Лапласа и число условий для потенциала и его производной.

слой полосы служит другой обкладкой конденсатора и представляет собой бумажную или тканевую полосу, пропитанную пастообразным вязким электролитом, приготовленным, например, из смеси этиленгликоля. борной кислоты и нашатырного спирта при температуре 125 — 140 С. Существуют и другие, весьма разнообразные типы пастообразных электролитов. Таким образом, «сухие» электролитические конденсаторы являются лишь условно сухими. Подвод тока к электролитической обкладке осуществляется с помощью третьего слоя полосы — специальной катодной фольги. Такие конденсаторы являются полярными, анодной обкладкой у них служит алюминиевая или танталовая фольга. Они работают при постоянных, пульсирующих, но не знакопеременных напряжениях.

Емкостный генератор состоит из металлического стержня /, покрытого слоем диэлектрика 2 с большим е. Стержень укрепляется на фундаменте 3. В генераторе одной обкладкой конденсатора является стержень /, а другой — поверхность моря. При возникновении волн изменяется емкость устройства (волна то закрывает стержень, то обнажает его), а при постоянном UB изменяется заряд конденсатора, и в цепи нагрузки С/п проходит переменный ток i—dq/dt. Соединяя параллельно множество таких стержней и выпрямляя ток, можно получить на выходе достаточную мощность. Конечно, такой генератор отличается от обычного, но и это ЭП.

слоем диэлектрика 2 с большим е. Стержень укрепляется на фундаменте 3. В генераторе одной обкладкой конденсатора является стержень 1, а другой — поверхность моря. При возникновении волн изменяется емкость устройства (волна то закрывает стержень, то обнажает его), а при постоянном и„ изменяется заряд конденсатора, и в цепи нагрузки С/„ проходит переменный ток i = dq/A. Соединяя параллельно множество таких стержней и выпрямляя ток, можно получить на выходе достаточную мощность. Конечно, такой генератор отличается от обычного, но и это ЭП.

4. В качестве материала резистивного слоя применяют металлы и сплавы с большим удельным сопротивлением (хром, тантал, нихром, сплав МЛТ). Для внутренних соединений элементов используют слой 5 металла с малым удельным сопротивлением (золото, никель, медь или алюминий). Для изготовления конденсатора на первый проводящий слой осаждают диэлектрический слой 7 (монооксид кремния или германия, оксид тантала или алюминия), а затем второй проводящий слой 6, являющийся второй обкладкой конденсатора.

Диэлектриком МДП-конденсатора, формируемого на кремниевой подложке, обычно служит оксидный слой SiCb, толщина которого контролируется режимом наращивания или травления. Верхней обкладкой конденсатора является металлическая (чаще алюминиевая) пленка электрода, а нижней — сильно легированная область полупроводника, имеющая омический контакт с выводом. Обычно МДП-конденсаторы изолируются от других элементов полупроводниковой ИМС с помощью р-п-перехода (диод Д\ на эквивалентной схеме).

Область, формируемая в процессе диффузии, является одной из обкладок конденсатора. Слой двуокиси кремния, который обычно покрывает всю интегральную структуру, используют в качестве диэлектрика. Тонкий слой алюминия, наносимый в процессе формирования межэлементных соединений, является второй обкладкой конденсатора. Этот тип конденсатора также имеет паразитную емкость на подложку, но отношение полезной емкости к паразитной существенно выше, чем для конденсатора, формируемого на основе р-л-перехода.

На 9.10 приведена структура, в которой транзистор имеет вертикальный канал, а конденсатор расположен в глубине под транзистором. Она сформирована на подложке /)+-типа, выполняющей функцию первой «заземленной» обкладки конденсатора. В подложке методом сухого анизотропного травления получена канавка глубиной 5...8 мкм с вертикальными боковыми стенками, покрытыми тонким слоем диоксида кремния /, заполненная поликристаллическим кремнием 2 п+-типа, служащим второй обкладкой конденсатора. На подложку нанесен эпитаксиальный слой 3 /Г~-типа толщиной З...5мкм, на границе которого расположен скрытый слой 4 п+-типа.

После окончания прямого хода пилообразного напряжения начинается формирование обратного хода. Сначала конденсатор С = = CiC2/(Ci + С2) разряжается, как и в схеме 8.12, коллекторным током транзистора 7\. Этот первый этап заканчивается насыщением транзистора TI, после чего напряжение на верхней (согласно 8.14) обкладке конденсатора С*, а следовательно, и на выходе схемы близко к нулю. В силу неравенства емкостей конденсаторов, неодинаковых зарядных токов, а следовательно, и накопленных на обкладках конденсаторов зарядов к моменту установления нулевого напряжения на выходе напряжения на конденсаторах Ci и С2 отличны от нуля. Поэтому на втором этапе происходит разрядка этих конденсаторов. Верхняя обкладка конденсатора Cf через насыщенный транзистор 7\ связана с нижней обкладкой конденсатора С2 и корпусом схемы. Конденсаторы Ci и С2 оказываются включенными параллельно; емкость, полученная при таком соединении конденсаторов Сс = Ct + Cz. Конденсатор Сс разряжается через резистор Ко- Так как коэффициент

В качестве диэлектрика такого конденсатора используют слой диоксида кремния, которым покрыт кристалл полупроводника ( 7.14). Одной обкладкой конденсатора является слой металла (обычно алюминия), нанесенный на поверхность слоя диоксида кремния одновременно с созданием межэлементных соединений и контактных AJ sio»

Конденсаторы в ИПМС бывают двух типов: диффузионный конденсатор ( 17-2,а), в качестве которого используется емкость р-п перехода и тонкопленочный конденсатор ( 17-2,6), который изготавливается на специальных участках поверхности кремниевой подложки. При этом в качестве диэлектрика используется двуокись кремния, полученная на этих участках подложки окислением или осаждением. Второй обкладкой конденсатора служит алюминиевый слой. При толщине слоя

Если подать на сигнальную пластину напряжение сигнала, то потенциал поверхности мишени, служащей обкладкой конденсатора (сигнальная пластина — толща диэлектрика — поверхность мишени), начнет изменяться во времени, следуя за напряжением сигнала.