Обобщенная структура

называемой резонансной частотой контура, обобщенная расстройка (о)о)=0. Проводимость контура оказывается чисто активной и максимальной по модулю. Как следствие, ток в контуре, питаемом от источника ЭДС, на данной частоте и в ее окрестности резко возрастает. Это явление и называют резонансом.

Итак, вблизи резонанса обобщенная расстройка прямо пропорциональна абсолютной частотной расстройке До». При Q>1 •формулой (5.47) можно пользоваться для приближенного вычисления нормированной проводимости контура

Характеристическое сопротивление p=~l/L/C=133 Ом. Резонансное сопротивление контура #p = pQ=0,133-70 = 9,31 кОм. Обобщенная расстройка на частоте со составит =2QA(o/a>o=2-70-0,02=2,8. Комплексное сопротивление контура на заданной частоте

Коэффициент связи ^ = 0,028/1,5 = 0,018. Фактор связи Д = 0,018-80=1,5. Обобщенная расстройка § = 2- 80-2,5- 106/108 = 4. Для связанной системы по формуле (5.79) находим, что /(н=0,2 или А = 20 \§\КЛ\ =— 14 дБ. Для одиночного контура ЯН=1/У1-Н2=1/.УТ7 = 0,24 или Д=— 12,3 дБ.

4. Что такое обобщенная расстройка колебательного контура? Каков типичный порядок добротности контура на радиочастотах?

где Q = co0Ln//? — добротность контура; бсо* = со* — 1 — относительная расстройка; i = 28co;l!Q — обобщенная расстройка.

Исследуем выражение модуля проводимости передачи. Частота (обобщенная расстройка) входит только в подкоренное выражение знаменателя. Приравняв нулю производную:

Обозначения, принятые в программе: El, E2, ЕЗ — модули упругости материалов диска, связки, сердечника; Р0 — объемная плотность материалов диска и связок; Р — резонансное входное сопротивление; РЗ — объемная плотность материала сердечника; С — диаметр связки; С2, СЗ — скорости распространения механических колебаний в материале связки и сердечника; F0 — центральная частота полосы пропускания; F1 — ширина полосы пропускания; F2 — резонансная частота звена; F3 — нормированная резонансная частота; F8 — минимально допустимая рабочая частота фильтра; F9 — максимально допустимая рабочая частота фильтра; А — параметр, равный D/ta; A0 — уровень отсчета, на котором определяется коэффициент прямоугольное™ характеристики затухания фильтра; А1 — число крайних связок; А9 — допустимая неравномерность затухания фильтра в полосе пропускания; К — коэффициент связи резонаторов; К1 — коэффициент прямоугольное™; Q — требуемая добротность фильтра; Q1 — рассчитанное значение добротности фильтра; N0 — код нагрузки фильтра: 1 — разнотипная; 2 — однотипная; W — вспомогательный параметр; Wl — W5 — коды вопросов; W6 — код материала сердечника преобразователя; 1 — сплав 50 КФ; 2 — никель марки НП2; D — относительные полосы пропускания и прозрачности; D7, D8 — диаметры диска резонатора и сердечника; Н, Н0 — приведенная добротность и округленное ее значение; М — число звеньев фильтра; S — обобщенная расстройка; Т — толщина диска-резонатора; Л, J2 — вспомогательные параметры; V — относительная резонансная частота дискового резонатора; Y — число узловых окружностей колебаний диска; R — резонансное сопротивление нагрузки; R1 — характеристическое сопротивление диска; Z — коэффициент трансформации; L2, L3 — длина связки и сердечника; X — отношение характеристических сопротивлений внутренних и крайних связок; XI, Х2 — вспомогательные коэффициенты.

Наиболее широко в теоретических исследованиях применяется обобщенная расстройка ?, так как ее использование существенно упрощает расчет. Например, АЧХ (3.13) можно записать через обобщенную расстройку % и форме

На границах полосы пропускания обобщенная расстройка равна единице, а <р = ± 45°.

где go — обобщенная расстройка частоты со0 относительно ю,,. Подставляя (7.36) в (7.35), получим

Обобщенная структура ИИС показана на 17.4. Информация от объекта исследования поступает на оп-

17.4. Обобщенная структура ИИС.

17.5. Обобщенная структура ИВК.

Средства вторичного электропитания электронных устройств, называемые обычно источниками вторичного электропитания (ИВЭП) предназначены для формирования необходимых для работы электронных элементов напряжений с заданными характеристиками. Они могут быть выполнены в виде отдельных блоков или входить в состав различных функциональных электронных узлов. Их основной задачей является преобразование энергии первичного источника в комплект выходных напряжений, которые могут обеспечить нормальное функционирование электронного устройства. Обобщенная структура ИВЭП приведена на 29.1.

Все составные части CPLD программируются. Обобщенная структура CPLD показана на 1.4.

1.4. Обобщенная структура CPLD

CPLD различных фирм-изготовителей и разной сложности имеют функциональные блоки, в принципиальном отношении мало отличающиеся друг от друга по своей архитектуре и составу элементов. Обобщенная структура функционального блока CPLD показана на 1.6.

1.10. Обобщенная структура FPGA (a) и основные части их функциональных блоков (б)

Обобщенная структура ИИС представлена на 13.7. Информация от исследуемого объекта поступает на определенное число измерительных преобразователей и далее на средства измерения и преобразования информации, в которых производятся чаще всего следующие преобразования: фильтрация, масштабирование, линеаризация, аналого-цифровое преобразование. Затем сигналы в цифровой форме могут передаваться на цифровые средства обработки и хранения информации для обработки по определенным программам или накапливания, а также на средства отображения информации. Устройство формирования управляющих воздействий посредством заданного множества исполнительных устройств воздействуют на объект исследсзания для регулирования. В качестве цифровых средств хранения и обработки информации в ИИС применяются различные устройства от микропроцессоров до универсальных ЭВМ. В качестве ЭВМ в достаточно сложных информационно-измерительных комплексах применяются машины серии СМ. Это мини-ЭВМ третьего поколения, предназначенные для применения в автоматизированных системах управления технологическими процессами, в системах автоматизации экспериментальных исследовании.

Обобщенная структура DSP этого семейства представлена на 1.23. Пунктиром выделены блоки, составляющие процессорное ядро.

1.23. Обобщенная структура процессора семейства DSP56100



Похожие определения:
Обратными величинами
Обратного сопротивления
Образцовых резисторов
Образцового конденсатора
Образования отложений
Ошибочного включения
Образуется электрическое

Яндекс.Метрика