Обработке результатов

эффициент диффузии можно определить графиче:ким способом, если провести измерения на образцах различных геометрических размеров при одинаковой обработке поверхности, создающей высокую скорость поверхностной рекомбинации. Аналогичным образом графически не сложно найти т„ и s на основе формулы (4.46). Условие 5шД)п<1, которое должно выполняться применительно к (4.46), практически ограничивает значение s значениями порядка 108 см/с для образцов из кремния и порядка 10* см/с для образцов из германия.

Оптический метод ориентации основан на различии формы и характера симметрии фигур травления, образующихся в местах выхода на поверхность дислокаций. Эти фигуры проявляются при обработке поверхности полупроводника в специально подобранных селективных травителях (см. § 2.3). На плоскости (111) ямки травления имеют вид тетрагональных пирамид с треугольным основанием, на (110) —вид пирамид с ромбическим основанием, и т. д. Отражаясь от граней ямок, свет создает на экране соответствующие характерные теневые фигуры. При отклонении геометрической плоскости от кристаллографической с заданными индексами симметрия ямок травления и соответственно теневых фигур нарушается. Фигуры смещают на некоторый угол, и их очертания искажаются. На практике оптическую ориентацию слитков осуществляют следующим образом. Торец слитка сошлифовывают строго

операций травления; для очистки поверхности материалов от органических и неорганических загрязнений; при обработке поверхности контактных площадок перед приваркой выводов; при подгонке номиналов резисторов ИМС и др.

В зависимости от характера используемого абразива она подразделяется на шлифовку связанным (абразивным инструментом) и свободным абразивом (абразивными суспензиями). Шлифование связанным абразивом является высокоточным и производительным процессом, заключающимся в обработке поверхности пластин полупроводников алмазными шлифовальными кругами. Пластины крепят к столу шлифовального станка наклеиванием или вакуумным присасыванием. В зону контакта шлифовального круга с ПЛаСТИНаМИ ПОДаЮТ Охлаждающую жидкость. Обычно закрепленные на вращающемся столе пластины обрабатывают последовательно несколькими (обычно тремя) алмазными шлифовальными кругами. Это позволяет за один поворот стола провести черновую, получистовую и чистовую обработку пластин.

Для уменьшения вероятности такого пробоя необходимо при обработке поверхности кристалла и при выращивании слоя диоксида кремния использовать методы, обеспечивающие наименьшую плотность поверхностных состояний.

чтобы шероховатость не превышала 0,13 мкм. При этом потери не будут превышать 5%. Для работы на частотах около 1 .ГГц требования к обработке поверхности сни-

Гидравлический и экономический расчеты безнапорного туннеля аналогичны расчету деривационного канала (см. § 13-6—13-9). Уклон дна определяется по формуле (13-1) при максимальном расходе туннеля, при котором обеспечивается равномерный режим. В формулы (13-1) и (14-5) входит коэффициент Шези С, значение которого определяется по коэффициенту шероховатости п и гидравлическому радиусу R. Натурные исследования показывают, что в туннелях коэффициент шероховатости бетонной облицовки п = 0,011—0,012. Однако при проектировании следует учитывать некоторое увеличение п при многолетней эксплуатации. Рекомендуют принимать в расчетах при тщательной обработке поверхности гг==0,013—0,014, а для необработанной торкретной поверхности п = 0,016—0,020. Необлицованный туннель может иметь коэффициент шероховатости еще выше.

кул тонким слоем окисла, покрывающим поверхность полупроводниковой подложки. Состояния, расположенные на границе раздела кремний — двуокись кремния, менее чувствительны к воздействию окружающей среды и зависят от качества обработки поверхности подложки и процесса выращивания окисла. Таким образом, любые несовершенства, возникающие при химической обработке поверхности полупроводникового материала, влияют на плотность поверхностных состояний.

Механический способ заключается в пескоструйной обработке поверхности, в результате которой она становится шероховатой, чем улучшается прочность сцепления наносимого покрытия с подложкой

5 Эматалированию MOJKHO подвергать любые алюминиевые ставы, причем требования к обработке поверхности основного метачла снижаются, так как непрозрачные зматаль пленки полностью скрывают структуру металла

О б е з в р е ж и в а н и е выполняют для удаления ионов О (VI), остающихся на поверхности Диэлектрика после выполнения операции улавливания п промывки. Операция обезвреживания заключается в обработке поверхности одним из растворов, представленных в табл. 1'.

Расчеты разброса параметров весьма приближенные. Точные значения величин, характеризующих разброс, получают при статистической обработке результатов измерения выходных параметров в процессе производства ЭА или упомянутыми выше экспериментальными методами.

Важной особенностью промышленного эксперимента является трудность поддержания ряда факторов на постоянном уровне при варьировании одного переменного фактора. Дело в том, что каждый из факторов в свою очередь зависит от других факторов, которые в процессе эксплуатации меняют свое значение в том или ином диапазоне. Следует отметить пульсирующий характер большинства параметров оборудования ТЭС, таких как частота электрического тока, мощность генераторов, давление пара, давления, создаваемые насосами и др. . В результате получаются искаженные опыты, результаты которых при обработке приходится приводить к заданным постоянным значениям факторов. Так, например, для построения диаграммы режимов теплофикационной турбины снимаются характеристики отсеков турбины при постоянных давлениях теплофикационных отборов, а также при номинальных начальных параметрах пара. При обработке результатов вводятся поправки на имевшиеся отклонения этих факторов от заданных постоянных значений, в первую очередь на отклонения давлений регулируемых отборов пара.

На всех этапах развития микроэлектроники основным методом экспериментальной оценки надежности являлись натурные испытания готовых ИМС. При этом оценка надежности состоит в проведении испытаний и последующей статистической обработке результатов испытаний (отказов) для определения количественных показателей надежности. Различают испытания ИМС в нормальном режиме и ускоренные испытания. Под нормальным понимают режим испытаний, при котором воздействующие на ИМС нагрузки не превышают предельных значений, заданных ТУ.

Для оценки надежности полупроводниковых и гибридных БИС и МСБ весьма эффективны тестовые методы. Они основаны на определении количественных показателей надежности БИС (МСБ) по показателям надежности структурных элементов, получаемых в результате их испытаний в составе тестовых схем. Для этого специально разрабатывают тестовые ИМС, которые содержат элементы, наиболее критичные с точки зрения надежности, и изготовляются в едином технологическом цикле с реальной ИМС (БИС). В качестве тестовых ИМС используют те же тестовые схемы, что и для контроля качества (см. § 2.4), Поскольку тестовые ИМС содержат однотипные структурные элементы, их количество в такой ИМС достигает сотен и тысяч штук. Тем самым обеспечивается необходимый объем испытаний для получения достоверной информации при статистической обработке результатов испытаний. Тестовые ИМС подвергаются испытаниям в нормальном режиме или ускоренным испытаниям. По результатам испытаний определяют удель-

При решении многоэкстремальных задач и в так называемых овражных ситуациях автономная работа алгоритмов локального поиска оказывается неэффективной. Это потребовало разработки методов нелокального поиска, которые фактически состоят в определенной организации проведения некоторой последовательности поисков локальных. Так, нелокальный алгоритм решения многоэкстремальных задач состоит в выборе начальных точек в пределах заданной области и обработке результатов локальных поисков, произведенных из этих точек. В ходе работы этого алгоритма производится изучение заданной области, определяется местонахождение локальных экстремумов. Специальные алгоритмы нелокального поиска применяются также при решении овражных задач.

При решении многоэкстремальных задач и в так называемых овражных ситуациях автономная работа алгоритмов локального поиска оказывается неэффективной. Это потребовало разработки методов нелокального поиска, которые фактически состоят в определенной организации проведения некоторой последовательности локальных поисков. Так, нелокальный алгоритм решения многоэкстремальных задач состоит в выборе начальных точек в пределах заданной области и обработке результатов локальных поисков, произведенных из этих точек. В ходе работы этого алгоритма производится изучение заданной области, определяется местонахождение локальных экстремумов. Специальные алгоритмы нелокального поиска применяются также при решении овражных задач.

Не исключено, что при этом придется снова включить лабораторную установку и произвести дополнительные измерения, недостающие для точного построения графика. Не исключено также, что только при обработке результатов эксперимента выявится ошибочность некоторых наблюдений, которые придется повторить.

Графики зависимости концентрации примеси на поверхности диффузионного слоя от средней проводимости слоя, рассчитанные по (1.20) и (1.21) при различных значениях параметра y\jw и фиксированных значениях концентрации Na, нашли широкое применение при обработке результатов измерений на диффузионных слоях. Эти зависимости называют эмпирическими кривыми Ирвина.

Книга предназначена для учащихся и преподавателей электрорадиотехнических специальностей техникумов в качестве учебного пособия к лабораторным работам по теоретическим основам электротехники. Содержит методические указания учащимся по подготовке к лабораторным работам, по выполнению экспериментов, по обработке результатов опытов, карточки программированного опроса ко всем лабораторным работам, а также рекомендации относительно организации и оснащения лаборатории.

Для доверительного интервала от — 30 до +3а доверительная вероятность равна 0,9973. Вероятность появления погрешности, большей За, равна 1 — 0,9973 = = 0,0027 » 1/370. Такая доверительная вероятность означает, что из 370 случайных погрешностей только одна погрешность по абсолютному значению будет больше 3 о. Поэтому значение 3 о считается максимально возможной случайной погрешностью. Погрешности, большие 3 а, считаются промахами и при обработке результатов измерений не учитываются.

Если значение х(\) или х(п) резко отличается от других членов'ва-риационного ряда (промах, грубая погрешность), то его отбрасывают и в обработке результатов наблюдений не учитывают. Для проверки вида погрешности (грубая или значительная случайная) используется статистический критерий обнаружения грубых погрешностей по ГОСТ 11.002—73. Если условия критерия выполняются, то подо-



Похожие определения:
Обстоятельство необходимо
Обусловленные гистерезисом
Обусловленную изменением
Обусловлен взаимодействием
Обдуваемом исполнении
Одинаковый потенциал
Одинаковые направления

Яндекс.Метрика