Обусловлен движением

жающей среды; они служат датчиками температуры. Терморезисторы, реагирующие на нагрев током, применяют для регулирования процессов в электрических цепях. У наиболее распространенных терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом а? с ростом температуры сопротивление уменьшается. Это обусловлено увеличением концентрации свободных носителей заряда в рабочем теле терморезистора с ростом температуры или увеличением их подвижности. При этом зависимость сопротивления терморезистора от температуры определяется уравнением

Для изменения входного тока базы, например для. его увеличения, увеличивают напряжение источника ?Б, при этом растут прямое напряжение на эмиттерном переходе и инжекция носителей из эмиттера в базу и ток эмиттера /э увеличивается на значение Д/э- Увеличение тока базы обусловлено увеличением рекомбинации части дырок в тонкой базе А/Б = А/рек=Д/э (1—«)• Основная часть приращения эмиттерного тока аД/э вызывает приращение тока коллектора Д/к =«Д/э = рД/в- Величина р в различных типах транзисторов лежит в диапазоне от 10 до 100.

Длительность протекания обратного тока с повышением обратного напряжения, как видно из семейства кривых на 3-33, а, уменьшается. Это обусловлено увеличением доли зарядов, уходящих из распадающейся плазмы к электродам.

На 8.4 представлена температурная зависимость полупроводника с различной концентрацией примеси. Повышение удельной проводимости полупроводника с увеличением Т в области низких температур обусловлено увеличением концентрации свободных носителей заряда за счет ионизации примеси ( 8.4, участки ab, de, kl).

Влияние температуры на входные характеристики (см. 4.15 и 4.16) обусловлено увеличением теплового обратного тока эмиттерного перехода с ростом температуры, чем объясняется увеличение входного тока. Выходные характеристики в схеме ОЭ при двух значениях температуры приведены на 4.20. С ростом температуры увеличивается коэффициент передачи тока базы (см. 4.13), поэтому возрастает ток коллектора; уменьшение выходного сопротивления в активном режиме и напряжения пробоя (4.21) также объясняется повышением (3. Для кремниевых транзисторов в указанном диапазоне токов /к токами /КБО можно пренебречь. В этих транзисторах (см. приложение 4.1) /КБО = 10-10 А при 7 = 20 °С и /КБО = 10-7А при 7=125°С (температура удвоения 10°С).

В последние годы темпы потребления бензина в США несколько понизились. Это объясняется увеличением парка малолитражных машин. На долю автомобильного парка США приходится 76% общего количества потребляемых в стране нефтепродуктов. За период 1968—1973 гг. удельный расход топлива мощными автомобилями США увеличился на 25%. Увеличение расхода топлива обусловлено увеличением массы автомобиля на 7% и увеличением размера

Накопление в материалах больших концентраций гелия при облучении в термоядерном реакторе обусловлено увеличением сечения (п, а)-реакций G возрастанием энергии нейтронов (энергия нейтронов, образующихся за счет реакции синтеза, составляет 14 МэВ). В табл. 12 при- Таблица 11

фектовот? • 10~2до7 • К)-4 с/а • с величина радиационного распухания в максимуме (Гтах = 550° С при 7 • 10~4 с/а • с против 625° С ври 7 • 10~2 с/а • с) увеличивается от 1,2 до 2,4% ( 68). Предполагается, что таТсое поведение распухания никеля обусловлено увеличением скорости рекомбинации точечных дефектов, а значит, уменьшением числа вакансий, достигающих поры, с ^увеличением скорости смещения атомов. Следовательно, дальнейшее снижение скорости смещения атомов должно приводить к росту радиационного распухания, и распухание в условиях реакторного облучения ожидается выше, чем при ионном облучении со скоростью повреждения 7 • 10~4 с/а • с. Проверка этого предположения предпринята в работе Смидта [92], результаты которой приведены в табл. 17. Видно, что реакторное распухание никеля при температуре в максимуме меньше, чем в случае ионного облучения (/С = = 4 КГ4 с/а • с). Таким образом, при переходе от ионного облучения к нейтронному необходимо учитывать не только изменение в скорости смещения атомов, но и ряд других факторов, влияние которых в данном случае превалирует.

область уменьшения распухания с ростом напряжения, что, по мнению авторов, обусловлено увеличением плотности дислокаций с ростом напряжения при ав >• сгт (ат — предел текучести).

'одного. При этом возросла трудоемкость изготовления корпуса, что обусловлено увеличением массы заготовки обечайки до 140 т (вместо 90 т), собственной массы корпуса на 5 т и объема механической обработки.

Таким образом, включение в начале линии шунтирующего реактора приводит к повышению запаса статической устойчивости на 3 %. Увеличение запаса обусловлено увеличением ЭДС вследствие возросшей реактивной нагрузки генератора.

При этом сопротивление p-n-перехода велико, ток через него мал — он обусловлен движением неосновных носителей заряда. В этом случае ток называют обратным, а р-п-переход — закрытым.

Рассмотрим более подробно работу транзистора типа п-р-п. Транзистор типа р-п-р работает аналогично, но на него подаются напряжения противоположной полярности. Между коллектором и базой транзистора типа п-р-п приложено положительное напряжение. Когда эмиттерный ток 1Ъ равен нулю, небольшой ток в транзисторе через коллекторный переход /ко обусловлен движением только неосновных носителей заряда (дырок из коллектора в базу, электронов из базы в коллектор).

Как видно из формулы (16.10), при увеличении прямого напряжения ток может возрасти до больших значений, так как он обусловлен движением основных носителей, концентрация которых в обеих областях полупроводника велика.

Диод Шотки оказывается включенным параллельно коллекторному переходу транзистора, как показано на эквивалентной схеме ( 3.8,6). Как известно, прямой ток через ДШ обусловлен движением основных носителей заряда, а инжекция и накопление неосновных носителей заряда, характерные для р-п перехода, здесь практически отсутствуют. На 3.8, в представлены прямые ветви вольт-амперных характеристик (ВАХ) ДШ (/) и коллекторного р-п перехода обычного изопланарного транзистора (2) при Т = 300 К. Прямое напряжение при токе /пр = 2 мА для ДШ на Д?/ « 360 мВ ниже, чем для коллекторного р-п перехода. Указанные свойства ДШ используются для существенного уменьшения времени рассасывания *рас — одно-

Электрический ток, обусловленный направленным упорядоченным движением электронов, имеет место в проводниках первого рода (металлах), электронных и полупроводниковых приборах. В проводниках второго рода — электролитах (водные растворы солей, кислот и щелочей) — электрический ток обусловлен движением положительных и отрицательных ионов, упорядоченно перемещающихся под действием приложенного поля.

На проводник с током, находящийся в магнитном поле ( 3.16), действует сила. Так как ток в металлическом проводнике обусловлен движением электронов, то силу, дейстеующую на проводник, можно рассматривать как сумму сил, действующих на все электроны проводника длиной /. В результате получаем соотношение F = F0nlS, где FO — сила Лоренца, действующая на электрон; п — концентрации электронов (число электронов в единице объема); /, S — длина и площадь поперечного сечения проводника.

трике при изменении Е во времени). В качестве примера тока смещения может быть назван ток через конденсатор. Ток переноса обусловлен движением электрических зарядов в свободном пространстве. Примером тока переноса может служить ток в электронной лампе. Если положительный заряд объемной плотности Q+ движется со ско-

При прямом включении (плюсом на металл, минусом на полупроводник) высота потенциального барьера снижается, сопротивление обра-зоьанного слоя уменьшается и через него электроны (основные носители дл 1 полупроводника) переходят в металл. Так как при этом инжекции дырок из металла в полупроводник не происходит, прямой ток обусловлен движением только основных носителей заряда полупроводника.

внести свой вклад в общий ток неосновных носителей заряда фотодиода. Ток неосновных носителей, вызванный освещением, не зависит от напряжения, приложенного к р -n-переходу, он пропорционален световому потоку и называется световым током или фототоком. При этом следует отметить, что одновременно с процессом генерации пар носителей заряда происходит и их рекомбинация. Поэтому достигнут p-n-перехода и перейдут через него только те носители, диффузионная длина которых L больше ширины области р или п. Кроме того, интенсивность света уменьшается по глубине облучаемого тела, поэтому генерация пар носителей происходит в основном на внешней облучаемой поверхности. Если ширина облучаемой области меньше диффузионной длины дырок, что соответствует реальным структурам фотодиодов, фототек в фотодиоде будет обусловлен движением дырок области п.

Основные особенности. Как уже отмечалось выше, ток в полевых транзисторах в отличие от биполярных обусловлен движением лишь основных носителей заряда, причем движение это имеет дрейфовый характер. В связи с этим частотные свойства полевых

Таким образом, при С/си > 0 в транзисторе течет ток 7С, значение которого определяется полным сопротивлением канала, имеющего неоднородную по его длине площадь поперечного сечения. Обратное напряжение на р-п переходах увеличивает потенциальный барьер и не позволяет электронам, движущимся по каналу, перейти в р-области. Ток через р-п переходы, а следовательно, в цепи затвора обусловлен движением неосновных носителей и при невысокой концентрации пр в р-областях и рп в тг-кристалле достаточно мал.