Одновременным уменьшением

4) заменить стабилизаторы непрерывного действия на импульсные стабилизаторы с одновременным повышением в них частоты повторения импульсов.

Введение отрицательной обратной связи по полному току (напряжению) стабилизирует и режим работы, и динамические показатели усилителя; использование только одной составляющей (либо постоянной, либо переменной) , естественно, оказывает одностороннее действие (см. § 9.2). Так, введение цепочки эмиттерной стабилизации КЭСЭ улучшает режим работы транзисторного каскада; отключение же конденсатора Сэ вызывает потерю усиления в (1 + /3/0 раз с одновременным повышением стабильности коэффициента усиления каскада. Таким же способом можно изменять и другие параметры усилителя. Например, введение последовательной отрицательной ОС увеличивает входное сопротивление усилителя, введение параллельной ОС — снижает его.

Следовательно, имеется противоречие между требованиями повышения точности и помехозащищенности и необходимостью уменьшения массы и габаритов аппаратуры с одновременным повышением ее надежности. Особенно резко возросли эти противоречия в радиотехнических системах, устанавливаемых на движущихся объектах с ограниченной грузоподъемностью и вместимостью.

Наиболее важным является увеличение числа каскадов дискретной аппаратуры по сравнению с аналоговой, что обусловливает особые требования к конструкции, но при переходе на дискретную технику появляется возможность широкого использования при конструировании радиотехнических систем микросхем, твердотельных и тонкопленочных радиоэлементов и т. п. Это позволяет, несмотря на увеличение числа каскадов, значительно уменьшить массу и габариты аппаратуры с одновременным повышением ее надежности. Невысокая точность и стабильность параметров микросхем не приводит в данном случае к ухудшению качества обработки информации.

Формирование шумоподобных сигналов. Как указывалось, переход от аналоговых к дискретным системам позволяет разрешить противоречие между требованиями уменьшения массы и габаритов и одновременным повышением точности и надежности работы радиоэлектронной аппаратуры. Однако дискретизация не решает всех проблем конструирования РЭА. Так, например, остается по-прежнему вопрос обеспечения высокой помехозащищенности РЭА.

тока /2 вызывает увеличение потенциала на величину /2г2, вследствие чего потенциал точки В возрастает и по отношению к земле определится отрезком ЬВ. Переход через источник электрической энергии Ак2 в направлении, противоположном действию э. д. с. Ez, сопровождается снижением потенциала на ее величину и одновременным повышением на величину /2ro, так как ток /2 направлен противоположно принятому направлению обхода электрической цепи. Последний переход через источник электрической энергии Ак1 с учетом направлений э. д. с. EJ и тока /j приводит к одновременному повышению потенциала на величину EJ и уменьшению его на величину I^TQ, вследствие чего график распределения потенциала вновь возвращается к исходному нулевому потенциалу то<::ки А.

сировке одновременным повышением

Приборы управления впервые появились в артиллерии. В период применения гладкоствольной артиллерии разброс ядер получался очень большим. В этих условиях дальность прицельной стрельбы была мала и поэтому осуществлялась лишь прямая наводка орудий с использованием элементарного механического прицела. Изобретение стволонарезной артиллерии привело к увеличению дальности стрельбы с одновременным повышением точности. Это потребовало'повысить точность наведения орудия на цель. Создание оптических визиров и дальномеров решило эту задачу.

Интегральная схема представляет собой функциональный узел (каскад, усилитель, нелинейный преобразователь и пр.), элементы которого — транзисторы, диоды, резисторы и конденсаторы, — а также соединительные провода изготовлены в едином технологическом цикле. Появление интегральных схем было вызвано стремлением резко уменьшить объем и массу электронной аппаратуры с одновременным повышением надежности. Последнее объясняется тем, что если каждый дискретный элемент имеет не менее двух выводов, то у современных интегральных схем, содержащих несколько десятков элементов, число выводов обычно не превышает 12—14. Другим преимуществом интегральных схем перед устройствами на дискретных компонентах является удешевление производства вследствие автоматизации технологических процессов и использования групповых методов обработки — сотни интегральных схем изготавливаются одновременно.

В одиннадцатой пятилетке перед энергомашиностроителями и электротехнической промышленностью стоят задачи по созданию нового оборудования, а также дальнейшему увеличению производства оборудования для АЭС, ГЭС, ТЭС и для электросетей с одновременным повышением его технико-экономических показателей.

При проектировании электроснабжения предприятий и районов должен последователь" но проводиться принцип «децентрализации» трансформирования и коммутации электроэнергии. В результате децентрализации и максимального приближения источников высшего напряжения к электроустановкам потребителей сводятся к минимуму сетевые звенья и ступени промежуточной трансформации и коммутации, снижаются первоначальные затраты и уменьшаются потери энергии с одновременным повышением надежности.

Перед измерениями образец размагничивают. Размагничивание проводят или в переменном магнитном поле путем плавного уменьшения его от максимального значения до нуля, или в постоянном иоле путем изменения направления намагничивающего тока с одновременным уменьшением его до нуля. Максимальная напряженность поля при размагничивании должна быть, по

VT1 и VT2, вызывая уменьшение выходного сигнала на транзисторе VT1 и появление сигнала той же величины на транзисторе VT2. Таким образом, результирующее напряжение на выходе усилителя остается неизменным. Нетрудно видеть, что выходное напряжение; UBax = K(UBX\ ± ?/вк2), где ?/в>:1 и i/Bx2 — напряжение входного сигнала на базе транзистора VT1 и VT2 соответственно; плюс в скобках соответствует дифференциальному сигналу, минус—синфазному. При воздействии дифференциального сигнала возрастание потенциала базы одного транзистора сопровождается одновременным уменьшением потенциала базы другого транзистора, и наоборот. В результате происходит одновременное возрастание потенциала коллек тора одного транзистора (— Д (/„) и уменьшение потенциала дру того (—Д?/к). Так как выходное напряжение дифференциального каскада является разностью потенциалов между коллекторами транзисторов, дифференциальный сигнал на выходе каскада оказывается равным 2 Д t/K, т. е. сигнал на выходе будет наибольшим

S '•? 13% Тн. Установление на -зажимах этих ламп повышенного напряжения U = 110% UH сокращает среднюю продолжительность их горения до величины Т = 260 -т- 290 ч, а каждой лампы до значения Тл = 185 -г- 200 ч-Снижение напряжения существенно удлиняет срок службы лампы накаливания с одновременным уменьшением светового потока и изменением спектра излучения, в результате чего освещаемые предметы кажутся окрашенными в измененные цвета — желтый цвет кажется белым, темно-синий — черным и т. д. Так как глаз человека наиболее чувствителен к желто-зеленым световым лучам, которых в свете ламп накаливания мало, то световой к. п. д. этих ламп незначителен и составляет несколько процентов.

= ^13% Ти. Установление на-зажимах этих ламп повышенного напряжения U = 110% Ua сокращает среднюю продолжительность их горения до величины Т = 260 -4- 290 ч, а каждой лампы до значения Т'п •— 185 -~ 200 ч-Снижение напряжения существенно удлиняет срок службы лампы накаливания с одновременным уменьшением светового потока и изменением спектра излучения, в результате чего освещаемые предметы кажутся окрашенными в измененные цвета — желтый цвет кажется белым, темно-синий — черным и т. д. Так как глаз человека наиболее чувствителен к желто-зеленым световым лучам, которых в свете ламп накаливания мало, то световой к. п. д. этих ламп незначителен и составляет несколько процентов.

С течением времени происходит затухание апериодических токов в демпферной обмотке и обмотке возбуждения с одновременным уменьшением соответствующих магнитных потоков Фсв,д и Фсв,/, причем первым затухает магнитный поток ФСВ1д. В цепи обмотки возбуждения, имеющей малое активное сопротивление, свободный ток затухает медленнее.

Модуляционная характеристика определяет зависимость тока луча от напряжения модулятора. Для кинескопов желательно увеличение крутизны модуляционной характеристики с одновременным уменьшением абсолютной величинь1*

Мультипликация 'Представляет собой процесс многократного повторения топологического рисунка на общей фотопластине с одновременным уменьшением изображения до натуральных размеров. После проявления и задубливания получают матрицу идентичных рисунков, т. е. групповой фотошаблон. Операцию выполняют на фотоштампах (фотоповторителях) — установках, снабженных неподвижной оптической проекционной системой (обращенный микроскоп) и механизмами точного продольного и поперечного перемещения фотопластины. После установки контура спроектированного изображения параллельно направлению перемещения стола осуществляют экспонирование первого изображения. Затем стол с фотопластиной перемещают на шаг и экспонируют второе изображение и т. д. После экспонирования первой строки стол смещают на шаг в поперечном направлении и экспонируют изображения второй строки и т. д, При неизменной настройке оптической системы главное тре-

Мультипликация 'Представляет собой процесс многократного повторения топологического рисунка на общей фотопластине с одновременным уменьшением изображения до натуральных размеров. После проявления и задубливания получают матрицу идентичных рисунков, т. е. групповой фотошаблон. Операцию выполняют на фотоштампах (фотоповторителях) — установках, снабженных неподвижной оптической проекционной системой (обращенный микроскоп) и механизмами точного продольного и поперечного перемещения фотопластины. После установки контура спроектированного изображения параллельно направлению перемещения стола осуществляют экспонирование первого изображения. Затем стол с фотопластиной перемещают на шаг и экспонируют второе изображение и т. д. После экспонирования первой строки стол смещают на шаг в поперечном направлении и экспонируют изображения второй строки и т. д, При неизменной настройке оптической системы главное тре-

При намагничивании ферромагнетиков происходит и небольшое изменение их линейных размеров, т. е. увеличение или уменьшение длины с одновременным уменьшением или увеличением поперечного сечения. Это явление, называемое магнитострикцией и зависящее от строения кристаллической решетки ферромагнетика и напряженности внешнего магнитного поля, наиболее ярко выражено у никеля.

Если ? = const, то при очень малом времени нагрева, пока влияние теплопроводности мало, зависимость температуры от глубины изобразится прямоугольником так же, как соответствующая зависимость от глубины мощности источников тепла w. Перепад температуры в пределах активного слоя будет отсутствовать, а за его пределами температура будет равна нулю (исходной). С увеличением времени нагрева и одновременным уменьшением удельной мощности начнет, заметным образом, сказываться утечка тепла в глубь металла и появится перепад температуры. Достигнув максимума, он при дальнейшем увеличении времени нагрева будет уменьшаться, стремясь к нулю, что соответствует равномерному длительному прогреву сечения при очень малой удельной мощности. В самом деле, в начале нагрева глубина активного слоя мала. Поэтому максимум будет отсутствовать и кривая пойдет примерно так, как показано штриховой линией на 2-2. Часть кривой влево от максимума из рассмотрения исключается, и для нахождения времени нагрева используется лишь правая ее часть.

необходимо размагнитить путем многократных переключений переключателя П1 с одновременным уменьшением тока i до нуля.