Оказывается одинаковым

т. е. погрешность токов оказывается незначительной.

становится малой и роль реактивных сопротивлений в токораспреде-лении оказывается незначительной. В этом случае распределение токов определяется отношением

По мере разгона ротора уменьшаются значение s и частота fa, а поэтому изменяется и распределение тока между клетками. Из (5.4) следует, что ток начинает постепенно переходить из пусковой клетки в рабочую. По окончании процесса разгона значение 5 становится малым и роль реактивных сопротивлений в токораспреде-лении оказывается незначительной. В этом случае распределение токов определяется отношением

После начала расхождения контактов выключателя при отключении между ними некоторое время продолжает гореть электрическая дуга. Момент обрыва тока зависит от скоэости деионизации дуги, которая в свою очередь определяется характеристиками выключателя и обрываемым током. При больших токах сопротивление растягивающейся дуги невелико и не оказывает влияния на форму тока; окончательный разрыв цепи практически происходит в момент прохождения тока через нулево.е значение. Это упрощает статистические закономерности процесса по сравнению с включением, когда замыкание цепи возможно при различных фазах э. д. с. При малых токах (например, при отключении ненагруженных трансформаторов) степень ионизации дуги оказывается незначительной, и под действием рабочего дутья выключателя может произойти очень быстрый распад дугового канала еще до того, как гок проходит через свое нормальное нулевое значение, сопротивление дуги скачкообразно возрастает, а ток в дуге резко падает до нуля — происходит «срез» тока, который характеризуется значением /0 =? 0. При этом выделяется большая энергия L/Jj/2, запасенная в индуктивности схемы L, например в индуктивности намагничивания трансформаторов, что может привести к значительным перенапряжениям.

Пусть на входах действуют уровни логической «1» входных сигналов: Xt = 1, Xz — 1, Х3 — 1. Каждое из этих управляющих напряжений близко к напряжению питания Е. Транзисторы Ti, Г2 и Т3 в этом статическом состоянии включены. Транзисторы Г4> Ть и Т9 выключены, так как между истоком и затвором каждого из транзисторов действует напряжение, меньшее ?а0. В последовательной цепи между клеммами плюс и минус источника питания Е оказываются выключенными транзисторы Т4, Ть и Тв. Напряжение на стоках включенных транзисторов Ti, Tz и Та мало — транзисторы Т4, Т6 и Г, образовали высокоомную нагрузку для ключевых транзисторов. Потребляемая мощность в данном статическом состоянии снова оказывается незначительной. Выходные паразитные емкости, как и в схеме 3.103, перезаряжаются быстро из-за наличия в цепи перезарядки включенного транзистора в каждом из состояний схемы.

Погрешность от влияния квантования исследуемой величины по амплитуде оказывается незначительной при относительно невысоких требованиях к точности измерения мгновенных значений. Положим, при квантовании случайного процесса образуется шум квантования n(t). Квантованное по амплитуде мгновенное значение случайного процесса будет равно:

зисторов. Потребляемая мощность в данном статическом состоянии снова оказывается незначительной. Выходные паразитные емкости, как и в схеме 3.108, перезаряжаются быстро из-за наличия в цепи перезаряда включенных транзисторов в каждом из состояний-схемы.

Оптимальная структура источников теплоты на перспективу характеризуется данными, приведенными на 6.3. Из него видно, что целесообразно существенно увеличить удельный вес источников централизованного теплоснабжения (до 70%) прежде всего за счет ускоренного развития атомных источников теплоты. В то же время роль бестопливных источников теплоты оказывается незначительной, составляя около 3%.

В1 документации фирмы Duracell указывается, что после продолжительного хранения при повышенных температурах у этих элементов может проявляться задержка в достижении величины рабочего напряжения (выше 2,0 В) после подключения нагрузки, особенно при больших отбираемых токах и низкой температуре. Эта начальная задержка вызвана главным образом пленкой, покрывающей анод, т. е. именно той причиной, вследствие которой элемент имеет хороший срок годности. Задержка в достижении рабочего напряжения оказывается незначительной в случае разряда при температуре выше —30 °С. При 21 °С задержка не проявляется даже после хранения элемента в течение одного года при 71 °С. В случае разряда при —30°С задержка (время, необходимое для достижения напряжения 2 В) составляет менее 200 мс после восьминедельного хранения при 71 °С и скоростях разряда ниже той, которая соответствует нормированному 40-часовому разряду. При более высоких скоростях разряда задержка увеличивается по мере увеличения температуры и продолжительности хранения. Однако даже при скорости разряда, соответствующей нормированному 2-часовому разряду, максимальная задержка не превышает 80 с после восьминедельного хранения при 71°С. После двухнедельного хранения время задержки равно 7 с. Начальная задержка может быть устранена путем предварительного приведения элемента в рабочее состояние при помощи кратковременного разряда с большой скоростью до достижения элементом рабочего напряжения:

Учитывая малую поверхность нагрева экономайзера низкого давления, выбираемую из условия беспарового режима, величина АЛ/^г, входящая в формулы (8-96) и (8-97), оказывается незначительной, не превышающей 2% от переменной части суммарных затрат, что позволяет ею пренебречь.

Уравнение мгновенной мощности оказывается одинаковым для катушки [исходные уравнения (4.16) и (4.18)] и для конденсатора [исходные уравнения (4.17) и (4.19)]

При определенном напряжении иш влияние изменения контактной разности потенциалов и изменения подвижности носителей в канале на /с оказывается одинаковым. В этом случае у ПТ с /ьи-переходом наблюдается точка температурной стабильности тока стока. Здесь ?/зт= t/зиотс — (0,5 ... 0,9) В. Указанное свойство ПТ с р-и-переходом иллюстрирует 16.26. У МДП транзисторов />-и-переход «подложка — канал» оказывает меньшее управляющее действие на /с. Под действием температуры меняется Um, изменяются подвижность носителей в канале и концентрация носителей за счет ионизации поверхностных уровней. Эти явления обусловливают наличие точек температурной стабильности /с у МДП транзисторов: ?/3т= ^зипоР + (058 ... 2,4) В. У полевых транзисторов с р-и-переходом наблюдается резкое изменение входной характеристики при изменении температуры:

6. Действующие значения тока /, напряжения U и ЭДС Е. Для измерения переменного тока, напряжения и ЭДС вводят понятие действующего значения. Переменный ток сравнивают с постоянным по тепловому действию ( 4.5). Если положение реостатов подобрано так, что количество теплоты, выделяемой в схемах 4.5, а, б на резисторе /?, оказывается одинаковым, то можно считать, что и токи в схемах одинаковы.

Во всех трех случаях критическое напряжение оказывается одинаковым ( 11.23). Оно составляет ?/кр = 0,9 вместо t/Kp = 0,707, полученного для условия включения эквивалентного двигателя на шины мощной системы (х = 0). Однако в рассматриваемых условиях (соизмеримая мощность генераторов и нагрузки) изменение напряжения на зажимах двигателя при соответствующем ему изменении ?э не характеризует устойчивости и не может выявить влияния

нагрузки звездой (Уф = 1/л/уЗ = U/уЗ; /ф = 1„ = 1, то независимо от схемы соединения фаз приемника произведение (Уф/ф = UI/уЗ оказывается одинаковым. Таким образом, независимо от схемы соединения симметричной нагрузки имеет следующие выражения для мощностей:

Если каждый вентиль состоит из нескольких последовательно соединенных диодов, что необходимо для снижения обратного напряжения на диод до допустимого значения, то общее число диодов схем а к б ( 5.7) оказывается одинаковым и преимущество схемы б исчезает. Однако бывают случаи, когда в схеме б достаточно применить один диод на каждый вентиль. Тогда эта схема дает экономию диодов по сравнению со схемой а, в которой диоды оказываются недоиспользованными по обратному напряжению. Кроме того, уменьшение числа диодов дает уменьшение нелинейности схемы, особенно при малых напряжениях. Схема б имеет тот недостаток, что она требует установки трансформатора на входе с выведенной средней точкой.

операция сверления мелких отверстий. Для того чтобы угол падения струй был одинаковым, отверстия приходится сверлить в специальных приспособлениях. Если углы разные, из-за неравномерности охлаждения также возможно появление мягких полос. Поэтому иногда для непрерывно-последовательной закалки используют индуктор, показанный на 8-6, в котором полость для подвода охлаждающей воды изготовлена в изолированной накладке 5 (из стеклотекстолита, эбонита). Вода для постоянного охлаждения подается в полость 3; закалочная жидкость через полость 2 и щель / попадает на закаливаемую поверхность. Размер щели может быть подобран путем смены прокладок 4. В случае засорения полости и щели накладка 5 отвертывается и проводится необходимая прочистка. Так как детали, образующие щель для прохода закалочной жидкости, обрабатываются на токарном станке, угол падения жидкости по^ всей окружности индуктора оказывается одинаковым с высокой степенью точности.

витков ^, а отношение токов ^ обратно пропорционально этой величине. При этом закон изменения токов и напряжений во времени оказывается одинаковым для обеих обмоток. В частности, при синусоидальном напряжении источника питания ток и напряжение во вторичной цепи также имеют синусоидальную форму. Величина

магнитный поток Ф при таком допущении оказывается одинаковым во всех сечениях цепи.

При определенном напряжении Um влияние изменения контактной разности потенциалов и изменения подвижности носителей в канале на /с оказывается одинаковым. В этом случае у ПТ с ^-«-переходом наблюдается точка температурной стабильности тока стока. Здесь и^т = 1/тотс — (0,5 ... 0,9) В. Указанное свойство ПТ с /?-и-переходом иллюстрирует 16.26. У МДП транзисторов р-п-переход «подложка — канал» оказывает меньшее управляющее действие на /с. Под действием температуры меняется Um, изменяются подвижность носителей в канале и концентрация носителей за счет ионизации поверхностных уровней. Эти явления обусловливают наличие точек температурной стабильности 1С у МДП транзисторов: UiT= Umnop + (Q,% ... 2,4) В. У полевых транзисторов с /i-я-переходом наблюдается резкое изменение входной характеристики при изменении температуры:

Во всех трех случаях критическое напряжение оказывается одинаковым ( 11.35). Оно составляет ?/кр = 0,9 вместо ?/кр = 0,707, полученного для условия включения эквивалентного двигателя на шины мощной системы (х = 0). Однако в рассматриваемых условиях (соизмеримая мощность генераторов и нагрузки) изменение напряжения на зажимах двигателя при 11.35. Изменение Еэ и вы соответствующем ему изменении Еэ не характеризует явление условий неустойчивост устойчивости и не может выявить влияния статических нагрузки