Оперативные запоминающие

где Тпуск3 — продолжительность пуска блока после кратковременного останова (менее 1 ч), которая принимается равной 1,5 ч (0,5 ч составляют оперативные переключения и 1ч — время пуска блока).

Распределительное устройство низшего напряжения. Если подстанция выполняется со схемой блока трансформатор—токопровод, распределительное устройство низшего напряжения может отсутствовать и присоединение токопровода производится непосредственно к выводам трансформатора. РУ низшего напряжения может выполняться как в закрытом помещении, так и из ячеек наружной установки, например типа КРУН. Само по себе оборудование и аппаратура не требуют укрытия в помещение, последнее создает лишь известные удобства для эксплуатационного персонала, позволяя производить осмотры, оперативные переключения, проверку и ремонт аппаратов и приборов в условиях, защищающих от ветра, пыли и атмосферных осадков. В закрытом помещении, которое нормально не отапливается, можно осуществить временное электрическое отопление при глубоких понижениях температуры и длительном пребывании обслуживающего персонала. В распределительных устройствах наружной установки аппараты и приборы, чувствительные к низкой температуре (счетчики, индукционное реле, реле времени, аппаратура телемеханики и связи и др.), должны иметь индиви-

Объем телеуправления включает в себя управление: выключателями на питающих высоковольтных линиях и линиях связи между подстанциями; выключателями понижающих трансформаторов, если необходимо производить частые оперативные переключения, что имеет место при работе предприятия или части цехов в две смены, когда требуется систематически включать и отключать определенное количество трансформаторов; автоматическими выключателями, контакторами или пускателями, установленными на.линиях освещения территории предприятия;выключателями автоматизированных выпрямительных агрегатов, питающих распределительные шины.

1 За длительность воздействия принимается сумма времени работы резервной защиты и отключения выключателей тока КЗ для рабочих мест, где персонал, производящий оперативные переключения, может прикасаться к заземленным частям электрооборудования, или время работы основной защиты и отключения выключателем тока КЗ для остальных рабочих мест и территории РУ.

Пусковые испытания проводятся по специальной программе (см. приложение 2), в которой подробно излагаются содержание испытаний, их последовательность и все операции по подготовке оборудования, необходимые для проверки испытаний. Испытания проводятся персоналом наладочной бригады, но все оперативные переключения, связанные с подготовкой оборудования, производятся дежурным персоналом эксплуатации.

Ответственный за оперативные переключения и противопожарную безопасность

Аппараты высокого напряжения, управляющие режимом работы электрических сетей и систем высокого напряжения (6, 10, 20, 35, ПО, 220, 330, 500, 750, 1150 кВ). С их помощью выполняются оперативные переключения в сетях и системах, а также осуществляется защита от токов короткого замыкания (КЗ), от перенапряжений, от перегрузки и др.

Наибольшая оперативная гибкость схемы обеспечивается, если оперативные переключения в ней производятся выключателями или другими коммутационными аппаратами с дистанционным приводом. Если все операции осуществляются дистанционно, а еще лучше средствами автоматики, то ликвидация аварийного состояния значительно ускоряется.

Подробно оперативные переключения в схеме с двумя системами шин рассматриваются в курсе «Эксплуатация и ремонт электрооборудования электрических станций и сетей».

оперативные переключения при работе глубинно-насосной установки необходимо выполнять в диэлектрических перчатках.

На ОРУ-110 кВ и в ЗРУ-6 пли 10 кВ должна выполняться двойная или секционированная система шин, разрешающая выполнять оперативные переключения под нагрузкой без остановки или снижения нагрузки агрегатов.

Оперативные запоминающие устройства подразделяют на статические, напряжение питания которых при работе остается постоянным, и динамические, питаемые импульсным напряжением (или напряжениями).

.По назначению различают оперативные запоминающие устройства (ОЗУ) и внешние ЗУ. Оперативные ЗУ являются основным видом памяти и применяются во всех типах микроЭВМ. Они имеют непосредственную связь с МП, что обеспечивает высокую скорость записи и считывания информации при обращении МП к ОЗУ. Как правило, ОЗУ имеют небольшой объем. Внешние ЗУ предназначены для хранения больших массивов информации, не разместившихся в ОЗУ: библиотек программ, массивов данных и т. д. Внешние ЗУ выполняются на магнитных лентах, дисках, барабанах. Запись и считывание информации осуществляется через специальные интерфейсные устройства массивами, содержащими сотни слов. Обращение к внешним ЗУ занимает много больше времени, чем обращение к ОЗУ, но они значительно дешевле и имеют больший объем. В микроЭВМ, осуществляющих функции релейной защиты, использование внешних ЗУ в силу их инерционности и небольшого объема программ защиты ограничено.

Устройства постоянной и оперативной памяти для микроЭВМ выпускаются серийно в виде интегральных микросхем, маркируемых, как и обычно, семиэлементным кодом. При этом третий элемент — две буквы — обозначают: РМ — матрицы оперативных запоминающих устройств; РВ—матрицы постоянных запоминающих устройств^ РУ •— оперативные запоминающие устрой-

Недостатки полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах в некоторой степени могут быть компенсированы ИМС на МДП-транзисторах. Интегральные устройства на основе различных МДП-структур находят широкое применение при проектировании ряда функционально законченных устройств, к которым относятся, например, постоянные и оперативные запоминающие устройства, электронные калькуляторы, микропроцессоры, а также микромощные устройства, предназначенные для использования в медицине и космических системах. Для ИМС на МДП-транзисторах характерны высокая надежность, низкое энергопотребление и большая функциональная сложность, что позволяет значительно снизить стоимость аппаратуры на их основе. Уровень, достигнутый в области проектирования ИМС на МДП-структурах, позволяет при равной функциональной сложности получать гораздо меньшие размеры элементов по сравнению с элементами биполярных полупроводниковых ИМС, причем процесс их изготовления включает меньшее количество технологических операций. При проектировании МДП-ИМС необходимо учитывать ряд общих ограничений, свойственных технологии изготовления полупроводниковых приборов, а также специфические аспекты МДП-технологии, в частности зависимость свойств МДП-приборов от свойств исходного полупроводникового материала и особенно от состояния поверхности полупроводниковой подложки, контактирующей с диэлектриком. Учет этих особенностей в процессе проектирования позволяет получить приборы с параметрами, изменение которых ограничено некоторыми допустимыми пределами, что обеспечивает выполнение заданной схемотехнической функции.

Однако по мере дальнейшего развития микроэлектроники четко определяются области, в которых применение биполярных транзисторов оказывается невозможным или экономически нецелесообразным. В первую очередь это относится к таким функционально законченным изделиям, как постоянные и оперативные запоминающие устройства, калькуляторы и микропроцессоры. Существенные недостатки биполярных транзисторов проявляются также при их использовании в микромощных ИМС, предназначенных для применения в бортовых и космических системах. Все это потребовало разработки новых активных приборов, которые были бы свободны от ряда недостатков, присущих биполярным транзисторам. Наибольшие успехи в этом направлении достигнуты в области практического использования различных

Интегральные микросхемы на МДП-транзисторах (МДП-ИМС) в настоящее время получили очень широкое распространение для создания устройств со средней и высокой степенями интеграции. К устройствам со средней степенью интеграции относятся широко используемые регистры, счетчики, сумматоры, а к устройствам с высокой степенью интеграции — постоянные и оперативные запоминающие устройства, электронные калькуляторы, микропроцессоры, аналого-цифровые, цифроаналоговые преобразователи и др. Важное преимущество МДП-ИМС связано с технологией их изготовления, которая позволяет с меньшими затратами средств по сравнению с биполярной технологией изготовлять гораздо более сложные схемы. МДП-ИМС имеют сравнительно простую конструкцию, обеспечивают получение высокого процента выхода годных схем и не требуют дополнительной изоляции элементов в схеме. Геометрические размеры МДП-транзисторов значительно меньше по сравнению с биполярными транзисторами, что позволяет существенно повысить степень

Оперативные запоминающие устройства, выполняющие запись и хранение произвольной двоичной информации. В цифровых системах ОЗУ хранят массивы обрабатываемых данных и программы, определяющие процесс текущей обработки информации. В зависимости от назначения и структуры ОЗУ имеют емкость 102... 107 бит.

По мере развития техники в системах автоматики все большее значение приобретают устройства хранения и преобразования дискретной информации. Для хранения дискретной информации основным средством остаются и по имеющимся прогнозам будут оставаться в ближайшее десятилетие МОЗУ — магнитные оперативные запоминающие устройства, в которых для хранения информации используются матрицы тороидальных магнитных сердечников с прямоугольной петлей гистерезиса. В устройствах преобразования информации все большее применение получают полупроводниковые элементы, и особенно интегральные микросхемы. Однако наряду с развитием полупроводниковой микроэлектроники происходят существенные сдвиги и в технике устройств преобразования информации, выполненных на магнитных элементах. Прежде всего это связано с прогрессом в области создания ферромагнитных материалов, развитием и совершенствованием технологии производства ферритовых и микронных ленточных сердечников. Характеристики и параметры выпускаемых в настоящее время магнитных сердечников, а также существующая технология производства элементов позволяют уменьшать число витков во входных обмотках магнитных сердечников до одного и оставлять в элементах после заливки компаундом отверстия для нанесения входных обмоток в процессе сборки узла методом прошивок. Это создает предпосылки для уменьшения числа паек, унификации проектируемых устройств и узлов (основное разнообразие переносится в схемы прошивок), автоматизации процессов сборки. Соответственно снижается стоимость и повышается надежность устройств. Известны особенности магнитных элементов, которые в ряде случаев применения позволяют отдать им предпочтение: способность хранить информацию при отключенных источниках питания, высокая радиационная стойкость, высокая помехозащищенность. Для переключения магнитного сердечника требуется энергия, в 100—1000 раз большая, чем энергия переключения элемента в полупроводниковой микросхеме. Это позволяет, с одной стороны, упростить проектирование соединений внутри узлов, накладывая менее жесткие ограничения на длину и характер прокладки соединительных проводников, с другой стороны, позволяет применять устройства в условиях сравнительно высокого уровня внешних помех (цех, станок,

126 Магнитные оперативные запоминающие устройства (Гл. 4

МАГНИТНЫЕ ОПЕРАТИВНЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА НА СЕРДЕЧНИКАХ С ППГ

Магнитные оперативные запоминающие устройства