Определяемый свойствами

Построим векторную диаграмму фазы синхронного генератора. В качестве исходного выберем вектор магнитного потокосцепления Ф0 (направлен влево по оси абсцисс на 15.4, б). Вектор ЭД,СЕ0, индуктируемой потокосцеплением Ф0, отстает от вектора чУ0 на 90°. Вектор тока статора (якоря) / отстает от Е0 на угол $0, определяемый соотношением реактивных и активных сопротивлений:

иаь = У- Определим положение точки d. Как известно, окружность можно построить по трем точкам, которые должны соответствовать трем режимам электрической цепи. Для построения круговой диаграммы выберем самые простые режимы: режим холостого хода, режим короткого замыкания и режим, определяемый соотношением r2 = xz.

9.4. Показать, что текущий импеданс Z(z) в нерегулярной линии передачи, определяемый соотношением Z(z) =ft(z)IJ(z), должен удовлетворять нелинейному дифференциальному уравнению первого порядка

где , р — безразмерные толщина пленки и давление; С — параметр, определяемый соотношением С =

Построим векторную диаграмму фазы синхронного генератора. В качестве исходного выберем вектор магнитного потокосцепления Фо (направлен влево по оси абсцисс на 15.4, б). Вектор ЭДС/Го, индуктируемой потокосцеплением Ф0, отстает от вектора *0 на 90°. Вектор тока статора (якоря) / отстает от Ё0 на угол
Построим векторную диаграмму фазы синхронного генератора. В качестве исходного выберем вектор магнитного потокосцепления Ф0 (направлен влево по оси абсцисс на 15.4, б). Вектор ЭЛСЕ0, индуктируемой потокосцеплением Ф0, отстает от вектора Ф0 на 90°. Вектор тока статора (якоря) / отстает от Е0 на угол ^0, определяемый соотношением реактивных и активных сопротивлений:

Ток /с опережает по фазе входное напряжение на угол, определяемый соотношением между R и Хс- Конец вектора ?/вых будет скользить по окружности с центром в точке Е. На векторной диаграмме диаметр окружности равен величине вектора напряжения сети U \.

Начальный зазор Z0 между вибрирующим изделием и электретным датчиком (вибропреобразователем) является весьма критичным, поскольку от него зависит максимальная измеряемая амплитуда перемещения Z^max, а также порог чувствительности вибропреобразователя, определяемый соотношением сигнал/шум. Шумы вибро-иреобразователя вызываются тепловыми флюктуациями

где SB — сечение зазора; зависимость потока Фь в нем от величины н. с. Fs = КтФв изображается прямой линией, проходящей через начало координат (см. 5.8) и образующей угол а с осью ординат, определяемый соотношением

щая э. д. с., создающая уравнительный ток, определяемый соотношением:

где k и k\ — коэффициенты; Фя — поток, создаваемый обмоткой напряжения с током /п; Фт — поток, создаваемый токовой обмоткой стоком /т=/р; (Ур — напряжение, подведенное к обмотке напряжения; /р — ток токовой обмотки; a — внутренний угол реле, определяемый соотношением индуктивного и активного сопротивлений обмотки напряжения;

юся спираль, если же она находится вне предельного цикла — спираль свертывается. В обоих случаях устанавливается периодический процесс, определяемый свойствами самой системы, описываемой заданным дифференциальным уравнением. Характер этого периодического процесса не зависит от условий, при которых он возник. Следует заметить, что такое явление возможно лишь в нелинейных системах, оно не может иметь место в линейных системах.

где А — коэффициент, зависящий от удельного сопротивления полупроводника и размеров рабочего тела; В — коэффициент температурной чувствительности, определяемый свойствами полупроводника; Т — температура, К.

где YP — коэффициент рекомбинации, определяемый свойствами полупроводника; я, — концентрация свободных электронов; pi — концентрация свободных электронов; pt — концентрация дырок в собственном (беспримесном) полупроводнике.

где k — коэффициент, определяемый свойствами среды. Электрическими силовыми линиями в этом случае будут равномерно распределенные в окружающем пространстве радиальные линии, плотность которых обратно пропорциональна /?* ( П1-1).

где ет — суммарный коэффициент излучения, определяемый свойствами реального тела и его температурой (ет < 1), а Та — истинная температура тела.

случаях устанавливается периодический процесс, определяемый свойствами самой системы, описываемой заданным дифференциальным уравнением. Характер этого периодического процесса не зависит от условий, при которых он возник. Следует заметить, что такое явление возможно лишь в нелинейных системах; от не может иметь место в линейных системах.

где k — коэффициент, определяемый свойствами среды. Электрическими силовыми линиями в этом случае будут равномерно распределенные в окружающем пространстве радиальные линии, плотность которых обратно пропорциональна R2 ( П1-1).

тде /нас — ток насыщения, определяемый свойствами полупроводника и концентрацией носителей в нем.

где г — множитель, определяемый свойствами полупроводника,,

Диапазон рабочих температур транзисторов, определяемый свойствами р-п переходов, такой же, как и у полупроводниковых диодов. Особенно сильно на работу транзисторов влияет нагрев и менее существенно — охлаждение (до —60 °С). Исследования показывают, что при нагреве от 20 до 60 °С параметры плоскостных транзисторов изменяются следующим образом: гк падает примерно вдвое, ГБ — на 15'—20 %, а гэ возрастает на 15—20 %. Представление о влиянии нагрева на ft-параметры дают графики 7.17, а, построенные для маломощного плоскостного транзистора, включенного по схеме с общей базой. Кроме изменения значения основных параметров транзистора, нагрев вызывает смещение выходных характеристик и изменение их наклона ( 7.17, б), что также нарушает нормальную работу прибора.

где ур — коэффициент рекомбинации, определяемый свойствами полупроводника: nt — концентрация свободных электронов; pi — концентрация свободных электронов; р{ — концентрация дырок в собственном (беспримесном) полупроводнике.