Препятствует прохождению

Сетка 7, расположенная перед фоторезистором 8, создает однородное тормозящее поле, которое препятствует образованию ионного пятна и обеспечивает нормальное по отношению к поверхности фоторезистора падение электронного луча. Отклоняющие катушки 4 (строчные и кадровые) питаются пилообразными токами и заставляют электронный луч построчно обегать рабочий участок фоторезистора 8. Корректирующие / и центрирующие 2 катушки дают возможность перемещать электронный луч, а следовательно, и рабочий участок фоторезистора в двух взаимно перпендикулярных плоскостях. На сигнальную пластинку 9 подается отрицательное напряжение порядка 20 в. Электропроводность фоторезистора зависит от его освещенности. Электронный луч, попадая на поверхность мишени, выбивает вторичные электроны.

Особенностью МОП-транзистора с плавающим затвором является то, что заряд с затвора можно снять, подействовав на него ультрафиолетовым светом большой интенсивности или рентгеновским излучением. Для этого в корпусе ПЗУ выполняется окно и, как только необходимо стереть старую и записать новую программу, ПЗУ облучают ультрафиолетовым светом в течение 20—30 мин. Снятие отрицательного заряда с затвора объясняется фотоэлектронной эмиссией: фотоны передают энергию электронам материала затвора и последние эмиттируют с его поверхности, унося в окружающее пространство отрицательный заряд. Если изменить структурную схему канала в МОП-транзисторе, выполнить исток и сток из га-кремния, а основание — из р-кремния, а поверх «плавающего» затвора нанести изолированный от него управляющий затвор ( 130, б), то получится элемент постоянной памяти о новыми свойствами: если плавающий затвор не заряжен отрицательно, то, подавая на управляющий затвор положительное напряжение, можно перевести МОП-транзистор в проводящее состояние, создав инверсионный n-слой. Если плавающий затвор заряжен отрицательно, то его поле препятствует образованию га-слоя в канале, отталкивая электроны. Условное изображение МОП-транзистора о управлением плавающим затвором дано на 130, г.

При воздействии радикала С?* на окисленную поверхность кремния присутствие кислорода в решетке препятствует образованию свободного углерода на поверхности за счет образования СО и СО2. Наличие кислорода в газовой фазе при травлении кремния еще в большей степени способствует очищению поверхности от следов углерода, увеличивая тем самым скорость травления. Ионы О2 диссоциируют при столкновении с поверхностью кремния, образуя атомарный кислород, который окисляет углерод до СО или СО2. Наличие кислорода в плазме фторуглеродных газов способствует увеличению концентрации свободного фтора, что также увеличивает суммарную скорость травления.

Процесс образования «мостиков» и пробой загрязненного масла осложняются тем, что направленное перемещение частиц вызывает интенсивное движение самого масла,.которое препятствует образованию «мостиков». В больших промежутках, особенно в случае резко-неоднородных полей, движение масла сказывается сильнее, поэтому образование «мостиков» затрудняется и влияние примесей несколько уменьшается.

В слабонеоднородном поле барьер повышает электрическую Прочность при напряжении 50 Гц благодаря тому, что препятствует образованию «мостиков» из примесей. Наилучшим расположением барьера является такое же, как и в резконеоднородном поле. Среднее напряжение сквозного пробоя повышается при этом на 25—50%. Импульсную прочность масляного промежутка со слабонеоднородным полем барьер не увеличивает (может даже снизить).

На 2.19 показаны две схемы, используемые в настоящее время: реактор с кипящей водой (BWR), в котором образование пузырьков пара происходит в активной зоне реактора ( 2.19,а), и реактор с водой под давлением (PWR), в котором вода сохраняется под высоким давлением, что препятствует образованию пара (2.19,6). В реакторе BWR образующийся в активной зоне пар используется для вращения турбины. В реакторе PWR применяется теплообменник и поэтому турбину вращает пар вторичного контура. Образование высокой температуры в активной зоне реактора является следствием того, что продукты реакции деления теряют кинетическую энергию в твэлах. В ядерном реакторе температура производимого пара существенно ниже, чем в парогенераторе ТЭС на органическом топливе, поскольку при температурах охладителя выше 300 °С эффективность замедления становится слишком низкой. В результате термический КПД АЭС только 30%, в

По этой встроенной системе были созданы отечественные ядерные ТЭП «Топаз» [115]. Испытания реактора «Топаз-П» подтвердили воспроизводимость характеристик первого образца установки «Топаз-1» [115]. Од-нако было замечено, что после 1200 ч работы реактора наблюдалось небольшое снижение его электрической мощности. Это явление и сравнительно низкий КПД преобразования в реакторах «Топаз-I» и «Топаз-П» обусловлены, прежде всего, отравлением эмиссионной поверхности окислами титана и циркония, в незначительных количествах входящих в состав молибденового сплава ВМ-1, из которого был изготовлен катод электрогенерирующего канала (ЭКГ). Окислы образуются при дегазации в условиях недостаточного • вакуума и обладают малой работой выхода, что ухудшает сорбцию цезия и препятствует образованию металлопленочного катода.

требования к качеству питательной воды могут быть выше, чем для КУ, так как в К.У температура греющих газов, как правило, не превышает 700—850° С, а скорость движения котловой воды в трубах малого диаметра (до 38 мм) значительна (принудительная циркуляция), что препятствует образованию вторичной накипи. У ряда охлаждаемых элементов, особенно к концу кампании технологического агрегата, наблюдается то или иное разрушение их теплоизоляции, из-за чего тенлонапряжение некоторых их частей, подверженных радиационному теплоизлучению из рабочего пространства агрегата, достигает (1,2-2,0) !0h кДж/(м"-ч). Значительно труднее в СИО обеспечить устойчивую интенсивную циркуляцию воды в зоне наиболее теплонапряжен-ных участков.

и препятствует образованию вакуум-плотного шва при

Присутствие дислокаций, стягивающих на себя примеси, препятствует образованию микровключений второй фазы в кремнии. Влияние последних может оказаться более существенным, чем дислокаций. Важно также иметь в виду, что понятие о так называемой общей плотности дислокаций не может быть применено без указания их распределения. На монокристаллах кремния с одной и той же средней плотностью дислокаций, но с разным количеством и протяженностью малоугловых границ, скоплений дислокаций по линиям скольжения или в отдельных местах могут быть получены разные свойства и разные по качеству приборы. Особенно это относится к малоугловым дислокационным границам, присутствие которых с точки зрения изготовителей всех видов приборов недопустимо.

Водород обладает наилучшими по сравнению с другими газами дугогасящими свойствами, поэтому он способствует гашению дуги. Образующиеся газы при горении дуги проходят через слой масла в буферное пространство бака и при этом охлаждаются, что препятствует образованию гремучей смеси при соединении водорода и кислорода в буферном пространстве.

ванной э. д. с. не только в обмотке выхода wnz> HO и в обмотке записи Ы'зап2. При этом знак э. д. с., возникающей в обмотке w3anz, таков, что диод Д1 не препятствует прохождению импульса тока, возникающего в цепи связи, через выходную обмотку первого сердечника шв1. В результате этого сердечник / перемагничивается от —В, до -\-Вг, т. е. в нем вновь записывается единица.

Электрическое поле р-и-пе-рехода, образующее потенци-альный барьер, препятствует прохождению электронов из п-в ^-область и дырок в обрат-ном направлении. Дрейфовые составляющие тока равны

Чтобы поднесущая не приводила к срыву синхронизации генераторов разверток в приемнике, ее подавляют в УПП, которое препятствует прохождению fn в моменты времени, соответствующие переда-

Следует отметить, что в реальных структурах для уменьшения скорости поверхностной рекомбинации на поверхность эпитаксиаль-ного слоя наносят еще один эпитаксиальный слой того же типа электропроводности, но иного химического состава. Образующаяся при этом гетероструктура препятствует прохождению потока электронов к поверхности, а условие на границе слоев описывается уравнением, аналогичным (4.20). Генерация носителей заряда в этом слое пренебрежимо мала вследствие того, что ширина его запрещенной зоны больше, а поглощение света незначительно.

Анодом [прибора служит кольцо, помещаемое в центре баллона, или сетка, располагаемая вблизи пластинчатого катода. Такое устройство анода не препятствует прохождению световых лучей на фотокатод.

Так как на эмиттеры транзисторов напряжение подается в про-тивофазе от Тр2, то транзисторы отпираются поочередно. Ток через транзистор и нагрузку протекает в том случае, когда положительная -полярность напряжения на эмиттере совпадает с отрицательной полярностью напряжения на коллекторе. Поэтому при одном соотношении фаз входного сигнала t/Bx и напряжения питания выпрямленный однополупериодныи ток проходит через одну половину дагрузки, при ином соотношении — через другую. Для выпрямления переменного напряжения питающего трансформатора Тр\ используют полупроводниковый диод Д, большое обратное сопротивление которого препятствует прохождению тока через транзистор в обратном направлении.

новится некоторая контактная разность потенциалов t/K. Направленное перемещение электронов будет происходить до тех пор, пока уровни Ферми не выравняюгся ( 3.14, б). Вследствие ухода электронов из приконтактного слоя полупроводника этот слой обедняется носителями заряда, и его сопротивление повышается. Ширина области пространственного заряда в полупроводниках составляет единицы микрометра, а в металлах — менее 10~4 мкм. Поэтому в приконтактной области зоны энергии полупроводника искривляются кверху ( 3.14, б). Чтобы преодолеть возникающий на границе контакта потенциальный барьер и перейти из одного вещества в другое, электрон металла или полупроводника .должен обладать энергией е (срм — ф„) сверх энергии уровня Ферми. Поскольку приконтактный слой полупроводника, обедненный носителями заряда, препятствует прохождению тока через контакт, он является запирающим. Очевидно, электрическое поле внешнего напряжения, совпадающее по направлению с внутренним полем, в случае запирающего слоя увеличивает ширину области пространственного заряда, а противоположно направленное поле уменьшает ее. Таким образом, при образовании обедненного слоя контакт металла с полупроводником приобретает выпрямляющие свойства, а вольтамперная характеристика такого контакта аналогична характеристике обычного р-п перехода.

Анодом [прибора служит кольцо, помещаемое в центре баллона, или сетка, располагаемая вблизи пластинчатого катода. Такое устройство анода не препятствует прохождению световых лучей на фотокатод.

На 10.12,6 приведено подключение вентильного разрядника для защиты от атмосферных перенапряжений. При определенном значении перенапряжения искровые промежутки 1 пробиваются и напряжение волны снижается. Пробой обычно происходит на всех трех фазах и при срабатывании разрядника вслед за импульсным током протекает сопровождающий ток рабочей частоты. Поскольку напряжение сети значительно меньше величины перенапряжения, сопротивление вилитовых дисков 2 резко увеличивается, ток уменьшается до небольшой величины и в первый же период при переходе через нулевое значение прекращается. Из-за волны перенапряжения сопротивление вилитовых дисков при срабатывании разрядника значительно снижается и поэтому не препятствует прохождению тока молнии в землю через заземлитель 3.

только переменного сигнала и препятствует прохождению постоянного тока от источника Е^ к источнику входного сигнала параллельно R-

конденсатор связи GQ на выходе двухкаскадного усилителя обеспечивает прохождение переменной составляющей коллекторного напряжения в нагрузку fL, но препятствует прохождению постоянного тока от источника Бк через R^. в резистор