Процессов операторным

а следовательно, и избыточная поверхностная проводимость изменяются в широких пределах в зависимости от характера обработки поверхности и состава окружающей среды вследствие химического и физического взаимодействия поверхности слоя с окружающей атмосферой, а также процессов окисления поверхности. Изменение состава окружающей атмосферы, например после извлечения эпи-таксиальной структуры из реактора технологической установки, ведет к изменению поверхностного потенциала во времени и появлению двух составляющих погрешности: систематической, вызванной закономерным изменением поверхностного потенциала, и случайной, связанной с неконтролируемыми изменениями условий внешней среды.

2. Точность ориентации кристаллографической плоскости пластины должна находиться в пределах 30 — 60, так как от этого зависит воспроизводимость процессов окисления, диффузии, имплантации примесей и др. Наиболее часто используют кристаллы, вырезанные по плоскостям {111} в биполярной и {100} в МДП-технологии.

Режимы процессов окисления.или осаждения диэлектрических (в частности, окисных-) слоев определяются требуемыми свойствами их. Необходима тщательная регулировка процесса для создания слоя заданной толщины. Значения этих толщин, обеспечивающих маскирование, приведены для диффузии фосфора на 16-13 и 294

Основные трудности в производстве МДП ИМС связаны с проведением прецизионных процессов окисления и возможностью загрязнения поверхности границ полупроводник— окисел — металл примесями, особенно такими, которые могут вызвать увеличение эффективного заряда и температурную нестабильность структуры металл— диэлектрик — полупроводник.

Преимуществом процессов окисления при высоком давлении пара является возможность одновременного снижения температуры и времени обработки, что очень важно для повышения воспроизводимости параметров диффузионных Областей.

Общим недостатком процессов окисления в атмосфере водяного пара является невысокое качество получаемых пленок и связанное с этим ухудшение защитных свойств. Пониженная плотность пленки (около 2 г/ом3)

Для травления кремния используют различные сочетания азотной и плавиковой кислоты. Процесс травления -состоит из двух параллельных процессов: окисления жремния (окислитель — азотная кислота) и раство-' рения двуокиси кремния (растворитель — плавиковая кислота). С увеличением относительного содержания плавиковой кислоты скорость -правления возрастает, но кислотоустойчивость фоторезиста надает.

Преимуществом процессов окисления при высоком давлении пара является возможность одновременного снижения температуры и времени обработки, что очень важно для повышения воспроизводимости параметров диффузионных Областей.

Общим недостатком процессов окисления в атмосфере водяного пара является невысокое качество получаемых пленок и связанное с этим ухудшение защитных свойств. Пониженная плотность пленки (около 2 г/ом3)

Для травления кремния используют различные сочетания азотной и плавиковой кислоты. Процесс травления -состоит из двух параллельных процессов: окисления жремния (окислитель — азотная кислота) и раство-' рения двуокиси кремния (растворитель — плавиковая кислота). С увеличением относительного содержания плавиковой кислоты скорость -правления возрастает, но кислотоустойчивость фоторезиста надает.

Иной результат получается при диэлектрическом нагреве угля. Повышение содержания кислорода в угле и снижение содержания углерода и водорода при обработке угля в среде кислорода, как показано на III. 13, свидетельствует о протекании процессов окисления веществ углей под влиянием переменного электрического поля.

Если напряжения, подводимые к обмоткам электрической машины, известны, а частота вращения ротора постоянна, такие уравнения для установившихся режимов работы могут быть решены алгебраическими методами, а для переходных процессов — операторным методом. Когда же частота вращения ротора не остается постоянной, но закон ее изменения известен, уравнения равновесия напряжений рассматриваются независимо от уравнения моментов (уравнения движения). Но в этом случае уравнения равновесия напряжения являются нелинейными. Если не принять упрощающих допущений, решать их можно только численными методами.

Расчет переходных процессов операторным методом. Пользуясь основными свойствами преобразования Лапласа, можно получить основные законы теории цепей в операторной форме. Рассмотрим, например, последовательный RLC-контур (см. 7.14), находящийся при ненулевых начальных условиях мс(0_)^0; /L(0_)^0. Для этого контура уравнение по ЗНК имеет вид:

Гл. 10] Ра -лет переходных процессов операторным методом 365

Гл. 10] Рс.счет переходных процессов операторным методом т 367

Гл. 10] Ргсчет переходных процессов операторным методом

Гл. 10} Pa-лет переходных процессов операторным методом 371

Гл. 10} Расчет переходных процессов операторным методом 373

Расчет переходных процессов операторным методом

Гл. 10] Расчет переходных процессов операторным методом 377

Гл. 10] Расчет переходных процессов операторным методом 379

Гл. 10] Рс, счет переходных процессов операторным методом 381



Похожие определения:
Примесный полупроводник
Примесного полупроводника
Принципиальный недостаток
Принципиальная конструкция
Принципиально отличаются
Принципом взаимности
Принимается положительным

Яндекс.Метрика