Производят травление

Испытания электроизмерительных прибооов при изменении напряжения питания производят следующим образом: устанавливают номинальное напряжение питания, и по истечении времени установления рабочего режима производят определение параметров прибора, указанных в стандарте или технических условиях; затем напряжение питающей сети увеличивают на 10% (для частоты 400 Гц — на 5%) и производят определение его нормированных характеристик при этом напряжении; аналогично проводят определение характеристик прибора при уменьшении на 10% (при частоте 400 Гц —на 5%) напряжении сети.

Разборку — одну из ответственных операций — производят следующим способом: снимают щиты, диффузор, разбирают опорные подшипники и способом, показанным на 42,6 (или аналогичным), выводят ротор.

Метод упорядоченных диаграмм. Определение расчетных нагрузок этим методом производят следующим образом.

Измерения производят следующим образом. Установив заданную частоту и напряжение U, с помощью конденсатора переменной емкости С0 добиваются минимума показаний стрелочного прибора. Отсчитав по лимбу значение С0, получают значение Сх, а по шкале стрелочного прибора — tg б. На практике приходится для обеспечения достаточной чувствительности применять усилитель с высо-коомным входом:

Практическое построение диаграммы э. м. д. с. для определения повышения напряжения производят следующим образом, совмещая ее с характеристикой холостого хода ( 9-18). Откладываем по оси ординат величину номинального напряжения t/H и под углом ф к нему направляем ток /. Прибавляя к вектору 6'н геометрически падения напряжения 1га, и jlxaa, получим э. д. с. ?{ от результирующего потока Фг.

Практическое построение диаграммы э. м. д. с. для определения повышения напряжения производят следующим образом, совмещая ее с характеристикой холостого хода ( 9-18). Откладываем по оси ординат величину номинального напряжения t/H и под углом ф к нему направляем ток /. Прибавляя к вектору Оп геометрически падения напряжения 1га, и ]1хяа, получим э. д. с. ?г от результирующего потока Фа.

Снятие характеристик ( 15.14, б) производят следующим образом. Устанавливают некоторое произвольное значение тока /0 в цепи управления, затем плавно повышают напряжение U{ и для каждого его значения записывают значение тока /,. Затем то же проделывают при новом значении /0 и т. д. Результаты измерений наносят на график, и соответствующие точки соединяют плавной кривой.

Шкалу прибора разбивают на деления. Цена деления (или постоянная прибора) есть разность значений величины, которая соответствует двум соседним отметкам шкалы. Определение цены деления, например, вольтметра и амперметра производят следующим образом: Си = VH/N — число вольт, приходящееся на одно деление шкалы; С/ = /Н/Л' — число ампер, приходящееся на одно деление шкалы ; N — число делений шкалы соответствующего прибора.

Снятие характеристик 15.14, б производят следующим образом. Устанавливают некоторое произвольное значение тока /0 в цепи управления, затем плавно повышают напряжение U1 и для каждого его значения записывают величину тока /lf Затем то же проделывают при новом значении /0 и т. д. Результаты измерений наносят на график, и соответствующие точки соединяют плавной кривой.

Измерение производят следующим образом. Переключатель П1 ( 22-7) устанавливают в любое положение / или 2, переключатель /72 устанавливают в положение 2, ключи KI и К2 размыкают, ключ К3 замыкают. По амперметру А с помощью реостата rt устанавливают значение намагничивающего тока для заданного значения напряженности поля и с помощью переключателя П1 несколько раз коммутируют намагничивающий ток, производя тем самым магнитную подготовку образца. Замыкая ключ Кг, включают цепь баллистического гальванометра и, переводя переключатель П1 в противоположное направление, отмечают баллистический отброс гальванометра.

Проверку селективности действия защит производят следующим образом:

В фотолитографии используются рабочие фотошаблоны, являющиеся фотокопией эталояного фотошаблона. Прк фотолитографии [31] сначала на подложку .наносят резистивный слой. Затем ее покрывают фоторезистом и экспонируют через рабочий фотошаблон. После удаления с «езасвеченных участков фоторезиста производят травление резистивного слоя. В конце процесса удаляют остатки задубленного фоторезиста. Элементы, сформированные методом фотолитографии с последующим травлением, отличаются высокой точностью и воспроизводимостью.

На 3.15 приведена последовательность формирования ИМС методом VIP. Данный метод отличается от предыдущих способами травления и заполнения канавок. Травление канавок осуществляют путем анизотропного травления кремния определенной кристаллографической ориентации (в данном случае используется ориентация 110). Как видно из 3.15, форма канавок под изолирующие области обеспечивает более высокую плотность компоновки. Однако способ заполнения канавок путем нанесения поликристаллического кремния с последующим его сошлифовыванием не обеспечивает хорошей технологичности в целом. Повысить плотность компоновки в элементах ИМС с комбинированной изоляцией можно, используя метод щелевой изоляции, согласно которому производят травление узкой щели в структуре со сплошным скрытым п+-слоем и последующее ее заполнение за счет оксидирования боковых стенок.

В рассматриваемом примере для того, чтобы образовать на плате резисторы, необходимо произвести в необходимых местах травление всех слоев металла, кроме резистивного сплава РС-3710. Поэтому на следующем листе чертежа ( 12.12) показана конфигурация слоя фоторезиста, имеющего окна, через которые производят травление. Эти

Сущность операции состоит в том, что на поверхность оксида или другого защитного материала, подвергнутую предварительно химической обработке, наносят слой фоторезиста, который экспонируют через фотошаблон, содержащий набор идентичных повторяющихся рисунков необходимых размеров и конфигурации. Характер полученного изображения в зависимости от типа фоторезиста может быть позитивным или негативным. Скрытое изображение проявляют химически. Затем производят травление оксида в окнах плавиковой кислотой, после чего остатки резистивной маски удаляют сжиганием в кислородсодержащей плазме. Полученное изображение в оксиде контролируют по четкости края окон, наличию остатков оксида в окнах или резиста на поверхности оксида.

фоторезистивной маски, а затем производят травление в Н3РО4, удаляя оксид в плавиковой кислоте.

После обезжиривания производят травление или декапирование. При травлении с поверхности деталей снимают значительный слой окислов, образовавшихся при естественном окислении деталей на воздухе. Декапирование производят для удаления небольшого слоя окислов с поверхностей деталей непосредственно перед гальванической обработкой. Декапированием можно заменить травление при наличии на поверхности деталей тонких окис-ных пленок. Травление и декапирование может быть химическим и электрохимическим. Электрохимические способы более эффективны, так как хорошо очищают поверхности, что обеспечивает надежную сцепляемость гальванического покрытия с поверхностью детали.

На 2.5 показаны этапы технологического процесса формирования планарного р-я-перехода. Основой такой технологии является фотолитография. На исходную окисленную пластину монокристалла кремния наносят слой фоточувствительного вещества — фоторезиста ФР ( 2.5, а). Пленку фоторезиста освещают через маску ультрафиолетовым светом ( 2.5,6). Экспонированные места фоторезиста поли-меризуются и становятся нерастворимыми. После этого неза-полимеризованные части фоторезиста смывают, так что он остается только на облученных местах ( 2.5, в). Затем производят травление пленки диоксида, которая остается только в тех местах, где она была защищена слоем фоторезиста ( 2.5, г). В дальнейшем проводят диффузию необходимой примеси в пластину исходного кремния. Диффузия примеси происходит селективно — только через отверстия или окна в слое диоксида кремния ( 2.5, д).

Для получения такой структуры ( 1.4) в исходной пластине кремни я n-типа методом фотолитографии .производят травление двуокиси кремния, а затем глубокое травление кремния, в результате чего образуются канавки по замкнутому контуру. Далее (рельефную поверхность окисляют и методом осаждения покрывают толстым (150—200 мкм) слоем кремния. Вследствие дезориентирующего влияния окисного слоя осажденный .кремний получается поликристаллическим и служит .конструкционным основанием будущей микросхемы. Далее с обратной стороны путем шлифовки и полировки удаляют мо-нокристалличеекий материал до вскрытия окисла кремния по границам областей. После соответствующего' протравливания и отмывки поверхности осуществляют ее окисление. В образованных изолированных областях мо-ноиристаллического кремния л-типа формируют элементы известным диффузионным методом. Обычным путем получают и межсоединения на поверхности пластины. Если исходная заготовка кремния n-типа имеет эпитакси-альный л+-слой, то транзисторы получаются со скрытым /г+-слоем.

слой легко травящегося металла (медь, алюминий и др.), который в процессе выполняет роль технологического подслоя. Далее на поверхности формируется негативная фотО'Маска и проводится избирательное травление подслоя. Затем поверхность покрывают сплошной резистивной пленкой и производят травление технологического подслоя. Травитель проникает через трещины и разрывы на ступеньках резистквной пленки. Таким образом, толщина технологического подслоя должна

Для получения такой структуры ( 1.4) в исходной пластине кремни я n-типа методом фотолитографии .производят травление двуокиси кремния, а затем глубокое травление кремния, в результате чего образуются канавки по замкнутому контуру. Далее (рельефную поверхность окисляют и методом осаждения покрывают толстым (150—200 мкм) слоем кремния. Вследствие дезориентирующего влияния окисного слоя осажденный .кремний получается поликристаллическим и служит .конструкционным основанием будущей микросхемы. Далее с обратной стороны путем шлифовки и полировки удаляют мо-нокристалличеекий материал до вскрытия окисла кремния по границам областей. После соответствующего' протравливания и отмывки поверхности осуществляют ее окисление. В образованных изолированных областях мо-ноиристаллического кремния л-типа формируют элементы известным диффузионным методом. Обычным путем получают и межсоединения на поверхности пластины. Если исходная заготовка кремния n-типа имеет эпитакси-альный л+-слой, то транзисторы получаются со скрытым /г+-слоем.

слой легко травящегося металла (медь, алюминий и др.), который в процессе выполняет роль технологического подслоя. Далее на поверхности формируется негативная фотО'Маска и проводится избирательное травление подслоя. Затем поверхность покрывают сплошной резистивной пленкой и производят травление технологического подслоя. Травитель проникает через трещины и разрывы на ступеньках резистквной пленки. Таким образом, толщина технологического подслоя должна



Похожие определения:
Процессом рекомбинации
Процессов генерации
Процессов необходимо
Преобразования используются
Процессов промышленности
Процессов возникающих
Продольных колебаний

Яндекс.Метрика