Положительный полупериод

и металлических анодов-сегментов, покрытых люминофором. Эта система электродов размещена в стеклянном вакуумированном баллоне 2 с выводами 5 от электродов лампы ( 3.13, а). Электроны, покидающие поверхность накаленного катода / (термоэлектронная эмиссия), устремляются к сетке 3, имеющей положительный относительно катода потенциал. Большая часть электронов пролетает редкую сетку и движется к анодам 4, имеющим такой же потенциал, как и сетка, вызывая свечение люминофора на поверхности анодов.

Напряжение ись, снимаемое со стабилитрона V8 ( 9.1) должно быть выбрано с запасом меньше Ек. Тогда при достижении напряжением на конденсаторе значения uc^UCf (UCf меньше [/с& на величину падения напряжения на переходе эмиттер — база V7 порядка 0,2 В) открывается диод V6. По мере дальнейшего заряда конденсатора на базу транзистора 1/7 подается положительный относительно его эмиттера потенциал, что приводит к его закрытию. Тогда закрываются транзисторы VII и V12 и на выходе ЭВ сигнал изменяется с 0 на 1.

Эмитированные катодом электроны могут двигаться направленно под действием внешнего электрического поля. Электрическое поле в электровакуумных приборах создается между катодом и анодом, к которому прикладывается положительный относительно катода потенциал. Таким образом устроен простейший электровакуумный прибор (электронная лампа)—диод. Диод представляет собой стеклянный или металлический баллон, в котором расположены два электрода — катод и анод. Из баллона откачивают воздух до остаточного давления 1.38Х Х(Ю~4ч-10^5) Па, что обеспечивает движение свободных электронов от катода к аноду практически без столкновений с атомами газа.

ющий аНод У А. Он имеет положительный (относительно катода) потенциал, который достигает нескольких киловольт.

ющий анод УЛ. Он имеет положительный (относительно катода) потенциал, который достигает нескольких киловольт.

Анод всегда имеет положительный относительно катода потенциал, а потенциал сетки может быть и положительным,

Устройство сравнения и блокировки можно построить по различным схемам. Одна из них ( 5-15) работает следующим образом. В исходном состоянии транзистор Г2 закрыт, так как напряжение смещения равно нулю вследствие соединения базы транзистора с эмиттером через резистор /?в. На его базе с помощью делителя R7 — Ra установлен некоторый положительный относительно коллектора потенциал. Ток через туннельный диод Д3 не протекает, и транзистор 7\ закрыт; напряжение на его коллекторе равно 10 В. Диод Д2 закрыт вследствие наличия потенциала на его катоде более высокого, чем на аноде. Диод Дг открыт.

Предположим, что электрод к — это катод, а электроду а — аноду сообщен положительный относительно катода потенциал U&.

Роль поверхностных состояний существенно уменьшается, если перемещение заряда осуществлять не по поверхности полупроводника, а на некоторой глубине. На 1.52, б показана структура ПЗС со скрытым каналом. При приложении к p-n-переходу обратного смещения потенциальный минимум для электронов оказывается не у поверхности, а на некотором расстоянии от нее. Если на электрод подать положительный относительно подложки потенциал, то потенциальная яма может быть заполнена электронами.

Предположим, что электрод к — это катод, а электроду а — аноду сообщен положительный относительно катода потенциал U&.

Роль поверхностных состояний существенно уменьшается, если перемещение заряда осуществлять не по поверхности полупроводника, а на некоторой глубине. На 1.52, б показана структура ПЗС со скрытым каналом. При приложении к p-n-переходу обратного смещения потенциальный минимум для электронов оказывается не у поверхности, а на некотором расстоянии от нее. Если на электрод подать положительный относительно подложки потенциал, то потенциальная яма может быть заполнена электронами.

Средним значением синусоидальной величины считают ее среднее значение за положительный полупериод, совпадающее со средним значением по модулю. Например, для тока вычислим среднее значение, выбрав начальную фазу равной нулю:

Четырехполюсник состоит из трех ветвей. В одной из них включен ограничительный резистор с сопротивлением гогр. В каждой из двух других параллельных ветвей последовательно включены диод и источник постоянной э.д.с. Ко входу четырехполюсника подключается источник синусоидального напряжения «вх, а к выходу — резистор с сопротивлением гн. В положительный полупериод приложенного напряжения, когда потенциал точки а выше потенциала точки Ъ (см. 9.6), выходное напряжение ывьц[ на резисторе лн вначале возрастает в соответствии с ростом входного напряжения мвх.

При /у > 0 постоянная н. с. действует в сердечнике Д\ согласно с переменной н. с. в положительный полупериод: направление тока /У и условное положительное направление тока i одинаковы относительно одноименных зажимов обмоток wy и и»„. Поэтому цикл пере-магничивания первого сердечника поднимается вверх ( 14.4, б). В сердечнике Дц намагничивающие силы цуу/у и w~.i направлены

одинаково в течение отрицательного полупериода тока /; цикл перемагничивания этого сердечника сместится вниз по кривой В\\(Н\\). Теперь рабочие точки циклов частично располагаются на участках насыщения Ф = +Ф5 и Ф = = —Ф^, как показано на 14.4,6. Сердечники попадают в насыщение по очереди: в положительный полупериод напряжения (тока t) — первый сердечник, а в отрицательный — второй сердечник.

При изменении направления тока управления (/у < 0) электромагнитные процессы в МУ принципиально не изменяются. Разница состоит в том, что первый сердечник насыщается в отрицательный полупериод, а второй — в положительный полупериод. Поэтому

а) Сигнал управления отсутствует (/у = 0). В каждый положительный полупериод напряжения вентиль отпирается и в рабочей цепи проходит ток одного и того же направления. Практически через несколько полупериодов после включения напряжения и сердечник допадает в насыщение Ф = Ф^, и э. д. с. е„ в рабочей обмотке становится равной нулю ( 14.11). При этом ток в цепи ограничивается только сопротивлением нагрузки гн и проходит в течение всего положительного полупериода:

4.22. Магнитный усилитель с самонасыщением используют в качестве фазоимпульсного модулятора для управления углом отпирания тиристоров в схеме 4.22 (на рисунке показан один из сердечников усилителя и управляемый им тиристор Т). Положительный полупериод анодного напряжения тиристора Ua совпадает с рабочим полупериодом напряжения Uc сердечника усилителя. Пока в рабочем полупериоде сердечник не насыщен, падение напряжения на сопротивлении #пот тока/р должно быть меньше э.д.с. ?д отпирания диода Ду для того, чтобы к управляющему электроду УЭ тиристора напряжение не подавалось. В момент достижения сердечником насыщения падение напряжения на Rn скачком возрастает и, преодолевая указанную э.д.с., прикладывается к УЭ, что приводит к отпиранию тиристора и протеканию по сопротивлению КМ[ тока (под действием ?/а) в оставшуюся часть полупериода.

Схема умножения первого рода ( 3.21,а) работает следующим образом [3.15]. При отрицательном полупериоде напряжения питания через диод VD^ конденсатор Ct заряжается до амплитуды Um питающего напряжения. В следующий, положительный, полупериод суммой напряжений источника Um и заряженного до Um конденсатора Сх заряжается конденсатор С2 через диод VD2 до напряжения 2Um. В следующий, отрицательный, полупериод зарядится С, через диод VD3 до ЗС/т и т. д. Конденсатор С„ зарядится до nUm.

а потенциал положителен, через диод VD^ заряжается Ci до Um. В следующий, положительный, полупериод суммой напряжений источника Um и конденсатора на С, через VD2 заряжается С2 до 2Um и т. д.

Средним значением синусоидальной величины считают ее среднее значение за положительный полупериод, совпадающее со средним значением по модулю. Например, для тока вычислим среднее значение, выбрав начальную фазу равной нулю:

Средним значением синусоидальной величины считают ее среднее значение за положительный полупериод, совпадающее со средним значением по модулю. Например, для тока вычислим среднее значение, выбрав начальную фазу равной нулю: