Положительным направлениям

Схема блокировки работает следующим образом. При нормальном уровне телеграфного сигнала на входе передатчика транзистора Т1 закрыт положительным напряжением, поступающим на его базу с выпрямителя, собранного на стабилитронах Д1 и Д2. При понижении уровня телеграфного сигнала ниже допустимого транзистор Т1 открывается и положительное напряжение +12 В подается на базу транзистора ТЗ или Т2 входного триггера и блокирует его в положении, при котором в линию подается частота, соответствующая телеграфному сигналу стартовой полярности. Конденсатор С1 служит для предотвращения срабатывания схемы

При наличии на входе приемника допустимых уровней сигнала транзистор Т4 удерживается выпрямленным напряжением в открытом состоянии. Транзистор Т5 закрыт, напряжение +12 В через делитель R17, R18, R19 подается на базу транзистора Т6 и удер-живает его также в закрытом состоянии. В этом случае транзистор 77 закрыт положительным напряжением, поступающим на его Лазу через резистор R20. «Земля» на выходе детектора отсутствует.

В МДП-транзисторе с индуцированным каналом при напряжении С/зи = 0 канал отсутствует и соответственно при приложении разности потенциалов между стоком и истоком Um ток стока /с = 0. При превышении положительным напряжением на затворе определенного напряжения U0 происходит образование канала за счет притяжения собственных электронов подложки к затвору под действием электрического поля. Напряжение С/0, начиная с которого образуется канал (возникает ток стока), принято называть напряжением отсечки или пороговым напряжением. При ?/зи > U0 в МДП-транзисторах с индуцированным «-каналом увеличение напряжения на затворе будет приводить к уменьшению сопротивления канала, за счет обогащения поверхности электронами. Ток стока /с при этом увеличивается. На 2.26 (кривая 1) приведена стоко-затворная ВАХ для МДП-транзистора с индуцированным «-каналом. Эта

В качестве ключевых элементов используются обычно МДП-транзисторы с индуцированным каналом, которые при нулевом значении напряжения С/зи обеспечивают разомкнутое состояние ключа (транзистор закрыт) (см. гл. 2). Таким образом, ключ на и-каналъном МДП-транзисторе управляется положительным напряжением. Простейшая схема ключа на МДП-транзисторе с резисторной нагрузкой Rc представлена на 5.8.

Базовый элемент ДТЛ ( 5.16) выполняет логическую операцию И-НЕ. При запирании положительным напряжением всех входных диодов управляющий транзистор, выполняющий роль инвертора, отпирается, формируя на выходе сигнал низкого уровня.

телыюго потенциала. Поскольку напряжение на конденсаторе Cei мгновенно измениться не может, то это приращение прикладывается к базе транзистора Т^, подзапирая его. Коллекторный ток /К2 при этом уменьшится, напряжение на коллекторе транзистора Ту станет более отрицательным и, передаваясь через конденсатор С6-2 на базу транзистора Т\, еще более отпирает его, увеличивая ток /К. Этот процесс протекает лавинообразно и заканчивается тем, что транзистор Т\ входит в режим насыщения, а транзистор Тч — в режим отсечки. Схема переходит в о/но из своих временных устойчивых состояний (квазиустойчивое состояние). При этом открытое состояние транзистора Т\ обеспечивается смещением от источника Ек через резистор /?в, а запертое состояние транзистора Г2 — положительным напряжением на конденсаторе С(,\ (Uс.,,, — ^62 > 0), который через открытый транзистор Т\ включен в промежутке база — эмиттер транзистора 7Y На временных графиках ( 6.24,6) описанные процессы соответствуют моменту времени / = 0. Теперь конденсатор С62 быстро заряжается по цепи + ?к — эмиттер — база Т\ — С62 — RK2 — Е*. до напряжения ?к. Конденсатор Cai, заряженный в предыдущий период, перезаряжается через резистор /?в2 и открытый транзистор Т\ током источника питания ?к, и напряжение на нем стремится уменьшиться до — ?к ( 6.24, б). В момент времени t\ напряжение UCe, = Uuv меняет знак, что вызывает отпирание транзистора Тч и появление тока /К2. Увеличение тока /К2 приводит к процессу, аналогичному описанному при увеличении тока /К. В результате транзистор 7*2 войдет в режим насыщения, а транзистор Т\ — в режим отсечки (второе временно устойчивое состояние). В промежуток времени t\ — ti происходит зарядка конденсатора Cei и перезарядка

Блоки иг-генератор можно перевести в ждущий режим, если запереть транзистор по базе положительным напряжением или по эмиттеру — отрицательным. Для запуска схемы необходимо подать отпирающий импульс, превышающий по амплитуде запирающее напряжение. При этом начинается описанный лавинообразный процесс, формируется один импульс и блокинг-генератор возвращается в исходное ждущее состояние.

область насыщения, когда транзистор типа р—п—р открыт отрицательным напряжением, а транзистор типа п—р—п положительным напряжением на базе; его внутреннее сопротивление мало и через его коллекторную цепь течет максимально возможный ТОК /к.вас-

Рассмотрим работу схемы с того момента времени, при котором транзистор Т2 открыт, а транзистор Т1 — закрыт положительным напряжением на базе +Ue\. Конденсатор С1 заряжается через открытый транзистор Т2 с постоянной времени т3ар(С1) = RK\CI по цепи: корпус (+ЕК), эмиттер-база транзистора Т2, конденсатор С1, резистор RK\, — ER. В ходе заряда конденсатора его зарядный ток и падение напряжения на /?Ki уменьшаются, и потенциал коллектора транзистора Т1 экспоненциально стремится к напряжению источника питания — Ек. Конденсатор С2, заряженный ранее, будет разряжаться. Цепь разряда С2 начинается с положительной обкладки: +С2, Re\, — Ек, корпус, открытый транзистор Т2, — С2. Пренебрегая внутренним сопротивлением открытого транзистора, получим постоянную времени цепи разряда.

жительным. Поскольку на инвертирующем входе сохраняется uc(ti)—0, то компаратор регенеративно переключается и напряжение на его выходе скачком достигает ивык=ивых max- На этапе формирования импульса надобность в поддержании напряжения на входе после переключения компаратора отпадает, так как положительное насыщение ОУ поддерживается положительным напряжением, подаваемым с его выхода на прямой вход по цепи RzR^ Поэтому входной импульс одновибратора может быть весьма коротким. При t>t\ конденсатор С, заряжается напряжением ?/вы„ max через резистор R, причем т=/?С1. Этап формирования импульса завершается в момент t2, когда напряжение на конденсаторе достигает значения напряжения ПОС на прямом входе:

Ждущие мультивибраторы относятся к классу моностабильных импульсных генераторов и имеют одно длительно устойчивое и одно квазиустойчивое состояния равновесия. Простейшая схема ждущего мультивибратора на биполярных транзисторах, имеющего одну ре-зистивную и одну емкостную коллекторно-базовые связи, приведена на 6.61. В отличие от триггера (см. 6.15) одна из резистив-ных связей заменена связью через конденсатор Ci. Благодаря связи базы Т2 с источником напряжения питания —Е через R52 в цепи базы Tz течет отпирающий ток, достаточный для насыщения этого транзистора. Транзистор T! заперт положительным напряжением, полученным в результате деления запирающего напряжения источника смещения +?см делителем R61RC. Таким -0-Е образом, после включения источников питания состояние схемы определено. Рассмотрим длительно устойчивое выход состояние равновесия схемы. В этом состоянии, т. е. при насыщенном транзисторе Т2, /С2 = (Е — ибя zVRez » « ElR§z- Как и в триггере, коллекторный ток транзистора Т2 является алгебраической суммой двух токов — тока, вытекающего через ^К2: Ii = (E — 6.61 — i/ки г)1К.к2= ElRvz, и встречного ему

На 10.10,и и в изображены картины магнитных полей и векторные диаграммы для моментов времени, соответствующих точкам 2 и 3 (см. 10.9) На !0.(О,s — с приведены графики распределения магнитных индукций вдоль воздушного зазора двигателя (кО — длина внутренней окружности сердечника статора), образованных током каждой фазы, и результирующего поля соответственно для моментов времени, отмеченных точками 5, 6, 7 (см. 10.9). Пунктирными линиями обозначены магнитные индукции, соответствующие положительным направлениям тока при их амплитудных значениях, сплошными линиями — магнитные индукции, соответствующие действительным направлениям тока. Для момента времени, соответствующего точке 5 (см. 10.9), ток фазы А положительный и равен амплитудному значению, токи фаз В и С отрицательные и равны половине амплитудного значения. Поэтому амплитуда магнитной индукции фазы А составит Вт и график поля совпадает с положительным направлением магнитных индукций, амплитуды магнитной индукции фаз В и С составят BJ2, а их графики будут повернуты на 180"' по отношению к положительным направлениям. Результирующее

(7ф = 11Л. В отличие от соединения звездой фазные и линейные токи не равны между собой. Принятым условным положительным направлениям линейных напряжений соответствуют условные положительные направления фазных токов (см. 7.13).

Методику формирования уравнений схемы удобно проиллюстрировать с использованием структурного графа схемы G. Двух- и многополюсные компоненты принципиальной схемы изображаются на графе соответствующими полюсными графами ( 6.33), вершины которых совпадают с узлами схемы. Направления ребер (ветвей) противоположны выбранным положительным направлениям напряжений.

Соответственно выбранным положительным направлениям токов /! и 12 или соответственно выбранной маркировке точками должен быть задан знак взаимной индуктивности, например М — = +0,5 Гн или М = —0,5 Гн.

Как при выполнении измерений, так и при выполнении расчетов следует очень внимательно относиться к выбранным положительным направлениям; они могут отличаться от выбранных здесь.

В результате подстановки (9-29) — (9-32) в (9-3) получаются уравнения несимметричного обратимого четырехполюсника в гиперболической форме, соответствующие положительным направлениям токов Д и /2, указанным на 9-4:

Допустим теперь, что через две катушки, расположенные взаимно-перпендикулярно, проходят токи одной и той же амплитуды и частоты, сдвинутые по фазе друг относительно друга на четверть периода. На 12-20,а катушки обозначены цифрами 1 и 2. Принятым положительным направлениям токов i\ = =
Положительным направлениям токов, обозначенным на 12-21 <: помощью точек и крестиков, соответствуют по правилу буравчика указанные стрелками положительные направления магнитных потоков (векторов индукций), создаваемых токами г'д, iB, ic.

В результате подстановки (9-29)— (9-32) в (9-3) получаются уравнения несимметричного обратимого четырехполюсника в гиперболической форме, соответствующие положительным направлениям токов /А и /2, указанным на 9-4:

той же амплитуды и частоты, сдвинутые по фазе друг относительно друга на четверть периода. На 12-20, а катушки обозначены цифрами 1 и 2. Принятым положительным направлениям токов tx = /msinco? и t'2 = /msin (со? + + я/2) = /mcosco? соответствуют взаимно перпендикулярные пульсирующие магнитные потоки с индукциями в точке пересечения осей катушек Вг = BmsinK>t и В2 = Bmcosco/, направленными по действительной и мнимой осям.

Положительным направлениям токов, обозначенным на 12-21 с помощью точек и крестиков, соответствуют по правилу буравчика указанные стрелками положительные направления магнитных потоков (векторов индукций), создаваемых токами г'д, IB и /с-