Положительно относительно

такой температуры, при которой кинетическая энергия электронов становится больше так называемой работы выхода из металла и возникает термоэлектронная эмиссия. Если второй электрод, называемый анодом, имеет нулевой потенциал относительно катода, то часть электронов, достигших анода, образует небольшой ток, а другая часть заполняет пространство между катодом и анодом (объемный заряд). При положительном потенциале анода относительно катода ток возрастает, плотность объемного заряда уменьшается, и возникает новое состояние равновесия, соответствующее увеличенной скорости движения электронов к аноду. С уменьшением плотности объемного заряда по мере роста потенциала анода ток стремится к предельному значению —

циала сетки приводит к полному прекращению анодного тока — триод «запирается». При положительном потенциале сетки в пространстве катод — сетка создается электрическое поле, ускоряющее поток электронов, и анодный ток возрастает. Одновременно в цепи сетки появляется сеточный ток.

рание транзистора при невысоком, но положительном потенциале точки А, соответствующем логическому «О» элемента И. Потенциал базы транзистора в этом случае ниже потенциала точки А на сумму прямых напряжений диодов Д5, Дв и достаточен для запирания транзистора. Микросхема осуществляет операцию И — НЕ при кодировании, показанном на 8.24, б. Действительно, при сигнале «О» на всех входах все диоды открыты, потенциал точки А близок к нулю. Транзистор закрыт, на выходе потенциал близок к +Е (сигнал «1»). Потенциал точки А и выходной сигнал не изменятся до тех пор, пока на все входы не будет подан сигнал «1». Тогда диоды

зе. При положительном потенциале на аноде вентиль открыт и в контуре вторичной обмотки протекает ток. При изменении полярности вторичного напряжения вентиль закрыт и ток в контуре отсутствует. Следовательно, при синусоидальном вторичном напряжении ( 11.2, б) ток и напряжение на нагрузке носят пульсирующий характер ( 11.2, в).

Управляющий электрод УЭ ( 68, а) расположен в центре, а верхние металлические контакты левой и правой секций прибора электрически связаны. При положительном потенциале электрода Л относительно К тиристорная структура образуется переходами Яь П2, Я3. Переход Я4 является управляющим. При подаче положительного включающего импульса происходит ин-жекция дырок через переход П^. Последние диффундируют к переходу Я2, и часть их проникает в область р\, повысив ее потенциал относительно области пч. Повышение потенциала области р\ будет способствовать увеличению потока электронов из области п2 в область р\. Так как переход П\ смещен в обратном направлении, то электроны области п2, дошедшие до него, будут втягиваться полем перехода П\ в область п\ и достигать катода. Процесс продолжится до тех пор, пока структура п\-р\-пъ-рч не перейдет в проводящее состояние.

Триоды. В триоде управление плотностью электронного потока осуществляется с помощью управляющего электрода, изменяющего напряженность электрического поля в околокатодном пространстве. В триодах с термоэлектронным катодом управляющим электродом, служит1 тонкая металлическая сетка С ( 2), Обычно сетка расположена вблизи от поверхности катода К, на расстоянии в несколько десятков микрон, в то время как расстояние катод анод А может быть весьма большим (от единиц миллиметров до десятков сантиметров). Поэтому изменения потенциала управляющей сетки С сказываются на напряженности поля в околокатодном пространстве сильнее, чем изменение; потенциала анода А. Если потенциал управляющей сетки (,' отрицателен, то ноле вблизи катода является тормозящим и плотность электронного потока уменьшается. При положительном потенциале сетки поле является ускоряющим и плотность электронного потока увеличивается.

при наибольшем положительном потенциале антенны, число линий электрического смещения с каждой стороны антенны равно трем ( П1-9, а). Когда напряжение и заряд антенны уменьшатся на одну треть, число линий, идущих от антенны к земле, уменьшится до двух с каждой стороны ( П1-9, б). Эти линии удаляются от антенны, двигаясь по ней к источнику энергии. Третья линия должна была бы исчезнуть, но при движении волны от антенны в пространстве справа и слева от линий, идущих к земле, увеличивается смещение и протекает ток смещения, что определяет возникновение магнитного поля, связанного с линиями электрического поля. На П1-9, б показана одна линия этого магнитного поля. Третья линия электрического поля не исчезает, а сохраняется и отделяется от антенны, двигаясь от нее.

Для выполнения операции И—НЕ/ИЛИ—НЕ используют микросхему ДТЛ-логики ( 13.5). Операции И/ИЛИ осуществляют диодной частью схемы (VD1 — VD8, /?), а транзисторный каскад с ОЭ является инвертором. Для связи логического элемента И/ИЛИ с инвертором служат последовательно включенные диоды VD9, VD10, обеспечивающие надежное закрывание транзистора при невысоком, но положительном потенциале точки А, соответствующем лог. О элемента И/ИЛИ. Потенциал базы транзистора в этом случае ниже потенциала точки А на сумму прямых напряжений ,диодов VD9 и VD10 и .достаточен для закрывания транзистора. Микросхема осуществляет операцию И/НЕ при кодировке, показанной на 13.4, б («О», «1»). Действительно, при сигнале «О» на всех входах все диоды открыты, потенциал точки А близок нулю. Транзистор закрыт, на выходе потенциал близок к +^2 (сигнал «1»). Потенциал точки А и выходной сигнал не изменяются до тех пор, пока на все входы не будет подан сигнал «1». Тогда диоды VD1—VD8 закроются, потенциал точки А повысится до величины + ?, транзистор перейдет в режим насыщения и на выходе потенциал понизится до «О». Для сигнала «О» элемент 13.5 реализует операцию ИЛИ—НЕ, поскольку на входе элемента появляется сигнал «1» при воздействии сигнала «О» хотя бы на один из входов.

Если второй электрод, называемый анодом, имеет нулевой потенциал относительно катода, то часть электронов, достигших анода, образует небольшой ток, а другая часть заполняет пространство между катодом и анодом (объемный заряд). При положительном потенциале анода относительно катода ток возрастает, плотность объемного заряда уменьшается, и возникает новое состояние равновесия, соответствующее увеличенной скорости движения электронов к аноду. С уменьшением плотности объемного заряда по мере роста потенциала анода ток стремится к предельному значению — току насыщения. Дальнейшее увеличение тока возможно лишь при повышении температуры катода.

Электрическое поле, создаваемое между сеткой и катодом, даже при малых напряжениях между сеткой и катодом оказывает сильное влияние на величину анодного тока в цепи анод — катод. При отрицательном относительно катода потенциале сетки создается электрическое поле, тормозящее поток электронов, движущихся от катода к аноду, и анодный ток уменьшается. Дальнейшее снижение потенциала сетки приводит к полному прекращению анодного тока — триод «запирается». При положительном потенциале сетки в пространстве катод — сетка создается электрическое поле, ускоряющее поток электронов, и анодный ток возрастает. Одновременно в цепи сетки появляется сеточный ток.

В электронном реле времени переменного тока ( 172) триод Л работает не только в роли усилителя, но и выпрямителя переменного тока. При положительном потенциале анода по отношению к катоду ток, направленный в триоде от анода к катоду, вызывает установление определенного падения напряжения на резисторе гк, в результате чего потенциал катода становится

на тиристоре. Когда к управляющему электроду тиристора Д1 приложен сигнал, тиристор отпирается и напряжение U0 прикладывается к нагрузке RH. Правая обкладка конденсатора С заряжается положительно относительно левой через резистор R1. При включении тиристора Д2 конденсатор С оказывается подсоединен-.ным к зажимам тиристора Д1 через диод Д, создавая обратное смещение на нем. В результате тиристор Д1 выключается и прерывает ток нагрузки. Резистор R1 служит для ограничения тока через тиристор Д2.

Схема работает следующим образом. При отсутствии входного сигнала транзистор VTI открыт и насыщен, а транзистор VT2 закрыт, реле K.L обесточено. Открытое состояние транзистора обеспечивается током в цепи базы через резисторы R1 и R3 от источника коллекторного питания Е„. Транзистор VT2 при этом находится в режиме отсечки, так как напряжение на его базе положительно относительно эмиттера и примерно равно напряжению смещения которое задается диодом VD2.

Следовательно, транзистор VT2 будет в режиме отсечки, так как напряжение на его базе, рассчитанное при минимальном напряжении на VD2, положительно относительно эмиттера и больше, чем рассчитанное по (3.40).

состоянии, так как напряжение на его базе положительно относительно эмиттера. При этом напряжение на эмиттере этого транзистора, которое является выходным напряжением (прямой выход),

Триод имеет три электрода: анод, катод и сетку. Условное обозначение и схема включения триода показаны на 8.3,а,б. Напряжение анода всегда положительно относительно катода, а напряжение на сетке может принимать как положительные, так и отрицательные значения. В электронных схемах с маломощными триодами сетка чаще всего находится под отрицательным потенциалом.

Комплементарные МОП-транзисторы (КМОП) также широко используются в логических элементах БИС. На 5.15,0 показана схема вентиля И—НЕ на КМОП-транзисторах. В этой схеме используется положительная логика, так как напряжение стока положительно относительно напряжения истока.

Электродные и граничные потенциалы. При погружении металлических электродов в раствор малой концентрации происходит частичное растворение материала электрода в растворе, т. е. переход положительно запяженных ионов металла в раствор и образование на электроде избытка электронов. Электрод заряжается отрицательно относительно раствора. При больших концентрациях раствора на электроде могут выделяться положительные ионы раствора и электрод будет заряжен положительно относительно раствора. Потенциал электрода относительно раствора, в который он помещен, называют электродным потенциалом.

При дальнейшем увеличении ускоряющего напряжения (участок АБ) коэффициент вторичной эмиссии больше единицы и экран начинает заряжаться положительно относительно второго анода. Но значительного превышения ПОТбНЦйаЛа экрана над потенциалом анода не наблюдается, так как часть

Дрейфовый поток фотоносителей (дырок и электронов) образует фототок /ф. Дырки «заряжают» р-область положительно относительно «-области, а электроны — «-область отрицательно по отношению к р-области. Возникшая таким образом разность потенциалов, называемая фото-ЭДС Еф, снижает внутренний потенциальный барьер до значения Д? ( 5.40,5.41,6).

Режим Г (область ВАХ 0—/) —напряжение на аноде положительно относительно катода, ток незначителен (несколько микроампер), эта область соответствует закрытому состоянию (режим прямого запирания).

начинает заряжаться положительно относительно последнего анода прожектора. Этот процесс продолжается до тех пор, пока потенциал экрана не станет приблизительно равным потенциалу второго анода. Это означает, что число уходящих с экрана электронов будет равно числу падающих. В диапазоне изменения энергии пучка or e?/Kpi до eUl2 ст5=1 и потенциал экрана достаточно близок к потенциалу анода прожектора. При U^^UKP2 коэффициент вторичной эмиссии о^ 1. Потенциал экрана вновь снижается, и у экрана начинает формироваться тормозящее для электронов луча поле. Потенциал (7кр2 называют вторым критическим или предельным.



Похожие определения:
Полярность выходного
Полярности напряжений
Полезного использования
Полиномов числителя
Полностью характеризует
Полностью использован
Полностью определяет

Яндекс.Метрика