Падениями напряжений

Конвекционная сушка происходит в результате естественной или принудительной циркуляции нагретого воздуха. Ей присущи следующие недостатки: высокая неравномерность температуры, низкие производительность и качество сушки. Более эффективной является радиационная сушка, основанная на поглощении инфракрасного ИК-излучения герметизируемым изделием или материалом. Энергия ИК-лучей в них превращается в тепловую и обеспечивает равномерный внутренний нагрев с высокой скоростью. В качестве термоизлучателей используют лампы накаливания (например, вольфрамовогалогенные) с плоскими, цилиндрическими, параболическими или эллиптическими отражателями, газоразрядные лампы, металлические, керамические или металлокера-мические панели, нагреваемые газовыми горелками, электрическими нагревательными элементами. Выбор типа излучателя определяется исходя из достижения соответствия между спектральным составом падающего излучения и оптическими свойствами объекта. Серийно выпускаемые установки периодического или непрерывного действия обеспечивают высокую скорость как нагрева, так и охлаждения, чистоту проведения процессов, равномерность температурного поля в пределах нескольких градусов, локальность нагрева. К недостаткам радиационной сушки следует отнести малую глубину проникновения ИК-излучения.

Явление увеличения электропроводности полупроводника под действием излучения называют фотопроводимостью и широко используют при создании различных приборов, чувствительных к освещению. Фотопроводимость может возникнуть в полупроводнике лишь при определенной, близкой к ширине его запрещенной зоны энергии фотонов падающего излучения. Излучение с энергией фотонов, меньшей ширины запрещенной зоны, будет проходить через полупроводник не поглощаясь. При энергиях, значительно больших ширины запрещенной зоны, фотоны будут поглощаться поверхностью полупроводника и образующиеся при этом снюбодные электроны и дырки не проникнут в его толщу.

заключенный между двумя электродами, проводимость которого изменяется под действием падающего излучения. Возможны поперечная и продольная конструкции фоторезисторов ( 4.33). В первом случае прикладываемое электрическое поле и возбуждающий свет действуют во взаимно перпендикулярных плоскостях, во втором — в одной плоскости.

3. Спектральная характеристика фоторезистора показывает зависимость фототока от длины волны падающего излучения (/^ =/(Х)) и имеет характерный максимум, местоположение которого на оси X зависит от материала фоторезистивного слоя. На 7.4,в приведены усредненные характеристики I , = /(X) в относительных единицах для фоторезисторов типа ФСК и ФСД (соответственно кривые 1 и 2).

При переходе световой волны из одной среды в другую на границе раздела этих сред происходит разделение падающей волны на отраженную и преломленную. Различают два вида отражения: зеркальное и рассеянное. Зеркальное отражение наблюдается в том случае, когда размеры неоднородности структуры этражающей поверхности много меньше длины волны падающего излучения и пространственный угол, в пределах которого распространяется падающее излучение, сохраняется после отражения. В пэотивоположном случае, когда размеры неоднородности структуры сравнимы с длиной волны, происходит рассеянное отражение. В дальнейшем будем считать, что на границе раздела сред происходит зеркальное отражение. Согласно формулам Френеля, амплитуды падающей $ и

Способность тела поглощать излучение характеризуется его коэффициентом поглощения А, который численно равен отношению потоков поглощенного телом излучения и падающего излучения.

Фоторезисторы — полупроводниковые приборы, которые имеют два контакта и электрическое сопротивление которых изменяется в зависимости от интенсивности и спектрального состава падающего излучения.

Поглощение света полупроводниками может в зависимости от природы твердого тела сопровождаться изменением энергетических состояний свободных или валентных электронов, электронов атомов примесей или же самой кристаллической решетки. Иначе говоря, центры поглощения в твердом теле по своей природе весьма разнообразны. В зависимости от преобладания тех или иных центров поглощения различные вещества по-разному поглощают электромагнитные колебания разных длин волн. Зависимость а0 (К) коэффициента поглощения от длины волны падающего излучения называют спектром поглощения.

Свободными носителями зарядов и самой кристаллической решеткой. В первом случае свободные носители зарядов — электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне, поглощая фотоны, переходят на более высокие свободные энергетические уровни. Эти переходы непрямые и сопровождаются вследствие этого поглощением фонона. Коэффициент поглощения света свободными частицами пропорционален их концентрации, квадрату длины волны падающего излучения и обратно пропорционален подвижности ц, и эффективной массе. Коэффициент а0 в этом случае составляет около 100—500 см"1.

При включении потока облучающего света интенсивность процесса генерации пар не сразу достигает стационарного значения, соответствующего интенсивности падающего излучения, а нарастает по экспоненциальному закону:

покрытия, отражается примерно 35 % падающего излучения. Две другие торцевые грани, перпендикулярные плоскости р-п перехода, немного скошены. Это сделано для того, чтобы между этими гранями генерация излучения не возникала.

Из уравнений реального однофазного трансформатора и его векторной диаграммы следует, что отношение действующих значений напряжений между выводами вторичной обмотки и между выводами первичной обмотки не совпадает с отношением действующих значений ЭДС, индуктированных в этих обмотках магнитным потоком Ф в магнитопроводе. Действующие значения напряжений z об,/1 и zo62/2 называются полными внутренними падениями напряжений на первичной и вторичной обмотках трансформатора. Следует иметь в виду, что приведенная векторная диаграмма правильно показывает лишь качественные соотношения между величинами. Практически в большинстве случаев треугольники внутреннего падения напряжения малы, т.е. V « и можно считать, что

Заменяя напряжения пассивных элементов их падениями напряжений, а напряжения источников — их э.д.с., получим

Заменяя в этом уравнении напряжения резистивных элементов падениями напряжений, а напряжения источников их э.д. с., получим

Погрешности измерения первичных величин, вносимые трансформаторами, нормируются ГОСТами. В ГОСТах указываются для каждого класса точности не только наибольшая погрешность трансформации, но и максимальная угловая погрешность, характеризующая угол сдвига фаз между токами (напряжениями) в первичной и вторичной обмотках. Угловая погрешность имеет существенное значение при использовании трансформаторов в схеме измерения мощности созф и в ряде других случаев. Погрешности трансформаторов напряжения обусловлены падениями напряжений zl/1 и 22/2 в обмотках. Поэтому трансформаторы напряжения работают в режиме, близком к холостому ходу. Номинальная мощность трансформатора напряже-

Из уравнений реального однофазного трансформатора и его векторной диаграммы следует, что отношение действующих значений напряжений между выводами вторичной обмотки и между выводами первичной обмотки не совпадает с отношением действующих значений ЭДС, индуктированных в этих обмотках магнитным потоком Ф в магнитопроводе. Действующие значения напряжений ZQ&^\ и 20бг'2 называются полными внутренними падениями напряжений на первичной и вторичной обмотках трансформатора. Следует иметь в виду, что приведенная векторная диаграмма правильно показывает лишь качественные соотношения между величинами. Практически в большинстве случаев треугольники внутреннего падения напряжения малы, т. е. Ut « « Е\ и иг*»Ег, и можно считать, что

Из уравнений реального однофазного трансформатора и его векторной диаграммы следует, что отношение действующих значений напряжений между выводами вторичной обмотки и между выводами первичной обмотки не совпадает с отношением действующих значений ЭДС, индуктированных в этих обмотках магнитным потоком Ф в магнитопроводе. Действующие значения напряжений 2об1Л и 20б2^2 называются полными внутренними падениями напряжений на первичной и вторичной обмотках трансформатора. Следует иметь в виду, что приведенная векторная диаграмма правильно показывает лишь качественные соотношения между величинами. Практически в большинстве случаев треугольники внутреннего падения напряжения малы, т.е. U =

Напряжение на дросселе Др почти равно напряжению на анодном контуре ограничителя амплитуды, так как дроссель включен параллельно этому контуру через конденсатор Ср, с одной стороны, и через конденсаторы Сф, С2 — с другой стороны. Падениями напряжений на конденсаторах Ср, Сб, С2 на_частоте со можно пренебречь. Входные напряжения детектора Oj и Оп являются векторными величинами, поэтому для их определения следует найти фазовые соотношения между векторами Olt Оъ и Оъ (]'{.

При пренебрежении падениями напряжений на переходах эмиттер — база и эмиттер — коллектор открытых транзисторов V9, V10 и V12, а также на открытом диоде VII неравенство (6.12) приобре-таеТ'Вид

Время срабатывания элемента ^ср при пренебрежении падениями напряжений на открытом диоде V6 и переходе эмиттер — база V7 определяется из (9.3) при uc = Ucv:

г) параметры намагничивающего контура (пренебрегая падениями напряжений на R\ и Х\ от тока /0):

Подводимое к зажимам синхронного двигателя напряжение U компенсируется противоЭДС Ё, наводимой в обмотках якоря, и падениями напряжений в обмотке якоря