Параллельно сопротивлению

замещения ( 6-4, в) параллельно сопротивлениям зазора и детали должны быть включены соответственно реактивные сопротивления x's и xh. Однако практическое использование схемы 6-4,6 осложняется трудностью вычисления Rmh и R'ms, а следовательно, и соответствующих им электрических сопротивлений xh и x's. Поэтому, учитывая основную роль сопротивлений Rme и хе, целесообразно пользоваться более простой схемой замещения по общему потоку ( 6-1, б). Чтобы частично учесть исключенные из схемы сопротивления R'ms, и особенно /?„,/,, необходимо вместо сопротивления хе = xlo ввести

Заданный источник тока может быть заменен двумя источниками, подключенными параллельно сопротивлениям rt и rt

Заданный источник тока может быть заменен двумя источниками, подключенными параллельно сопротивлениям rL и rt ( 4 15, б). Пользуясь условием эквивалентности источников э. д. с. и тока, полу-

В этой схеме не учтен тепловой поток по элементам крепления 3 (на 6-11), составляющий в реальных конструкциях небольшую часть потока, передаваемого через тепловое сопротивление R,. Если возникнет необходимость учета и этой составляющей, то в эквивалентную схему параллельно сопротивлениям R: к Rl следует включить тепловое сопротивление элементов крепления.

Экспериментально такая взаимосвязь наблюдается, но расчет температурного коэффициента тока варистора по уравнению (11.20) дает несколько завышенные результаты. Числовые расхождения можно объяснить, во-первых, наличием добавочных сопротивлений, включенных последовательно и параллельно сопротивлениям активных областей варистора, и, во-вторых, тем, что температура среды, окружающей активные области варистора, несколько выше температуры среды, окружающей весь варистор.

ного и коллекторного переходов. Эти емкости включены параллельно сопротивлениям переходов гэпер и гк пер. На низких частотах реактивные сопротивления емкостей Са и Ск очень велики и их шунтирующим действием можно пренебречь. С увеличением частоты реактивные сопротивления емкостей уменьшаются и их шунтирующее действие становится весьма существенным. Кроме того, на высоких частотах постоянные времена. заряда и разряда емкостей Св и Ск становятся соизмеримыми с периодом колебаний.

диода следует считать комплексным: в эквивалентной схеме параллельно сопротивлениям Лд и Д0ор нужно подключить емкость перехода ( 16-4, в и г). При обратном включении диода емкость CneD определяется барьерной емкостью Сбар, а при прямом — практически диффузионной емкостью CD.

ного и коллекторного переходов. Эти емкости включены параллельно сопротивлениям переходов гэпер и гк пер. На низких частотах реактивные сопротивления емкостей Са и Ск очень велики и их шунтирующим действием можно пренебречь. С увеличением частоты реактивные сопротивления емкостей уменьшаются и их шунтирующее действие становится весьма существенным. Кроме того, на высоких частотах постоянные времена. заряда и разряда емкостей Св и Ск становятся соизмеримыми с периодом колебаний.

диода следует считать комплексным: в эквивалентной схеме параллельно сопротивлениям Лд и Д0ор нужно подключить емкость перехода ( 16-4, в и г). При обратном включении диода емкость CneD определяется барьерной емкостью Сбар, а при прямом — практически диффузионной емкостью CD.

Триггером (спусковой схемой) называется устройство, в котором под действием внешнего сигнала произвольной формы осуществляется скачкообразный переход из одного устойчивого состояния в другое (так называемый релейный режим). Триггер имеет два устойчивых состояния благодаря наличию в системе общего напряжения смещения t/ce, превышающего по значению напряжение запирания лампы Л1 и Лг. Обратная связь в схеме осуществлена с помощью сопротивлений /?t и /?2 ( 13-3, а). Для ускорения переключений триггера иногда параллельно сопротивлениям Rl и /?2 включают конденсаторы. Управляющие импульсы могут вводиться по раздельным входным цепям или по общей входной цепи, в которой разделение импульсов осуществляется с помощью диодов Д± и Д3, пропускающих ток только в направлении от входа к сеткам и в то же время предотвращающих возможность короткого замыкания между сетками ламп Л\ и /72. В схеме, изображенной на 13-3, а, одна из ламп открыта, а другая закрыта. Пусть в начальный момент t = t0 лампа Л1 открыта, а лампа Л2 закрыта. Напряжение на аноде Л%, равное выходному напряжению, при этом максимально. Напряжение на сетке лампы Л\, определяемое разностью /Х/
Ступенчатую потенциометрическую регулировку можно сделать частотнонезависимой в широком диапазоне частот (от постоянного тока до десятков мегагерц). Для этого параллельно сопротивлениям делителя R\ и RI включают ёмкости С\ >и Сг ( 9.25), удовлетворяющие соотношению

Ступенчатую потекциометрическую регулировку можно сделать частотнонезависимой в широком диапазоне частот (от постоянного тока до десятков мегагерц). Для этого параллельно сопротивлениям делителя RI и R2 включают ёмкости Ci и С2 ( 9.25), удовлетворяющие соотношению

Корпус приемника тока присоединен к заземлению с сопротивлением R3. Человек с сопротивлением R4 касается корпуса приемника при пробе изоляции. Человек в этом случае включается параллельно сопротивлению Rs и сопротивлению изоляции первого провода rl и последовательно с сопротивлением изоляции второго провода г2. На 30.2, б приведена эквивалентная схема такого соединения. Сопротивления г! и R4, включенные параллельно сопротивлению Ra, значительно больше сопротивления заземления Rs, поэтому ими для упрощения можно пренебречь. В этом случае получается упрощенная эквивалентная схема, приведенная на 30.2, в.

Как уже отмечалось выше, простейший сглаживающий фильтр образуется путем включения конденсатора параллельно сопротивлению нагрузки ( 1.18). Для успешной работы такого фильтра необходимо, чтобы сопротивление конденсатора Сф на частоте входного напряжения было много меньше Rn, т. е. Ян»1/2л/Сф. На 1.14,6 и 1.15,6 пунктирными линиями показана форма выходного напряжения при наличии С'ф. За время паузы между импульсами тока конденсатор (через RH) частично разряжается, что приводит к уменьшению С/н, а затем очередная полуволна заряжает его до значения, близкого к ее амплитуде.

Параллельный диодный ключ ( 6.7, в) содержит диод, включенный параллельно сопротивлению нагрузки /?„. Предполагая /?„ = со, нетрудно убедиться, что при подаче на вход ключа положительного напряжения диод открывается (ключ замыкается), его сопротивление становится незначительным и напряжение на диоде (следовательно, на выходе ключа) «„ых = 0. Действие отрицательного напряжения на входе ключа приводит к запиранию диода (ключ разомкнут) и ивых ж иих, что видно из передаточной характеристики ключа ( 6.7, г). Для ограничения сигналов отрицательной полярности следует полярность включения диода изменить на обратную.

Т-образная низкочастотная резистивная схема замещения ( 9. 11, в), состоящая из соединенных в общем узле б трех резистивных элементов: 1) г9 — сопротивления смещенного в прямом направлении эмиттерного перехода; 2) гк — сопротивления смещенного в обратном направлении коллекторного перехода; 3) /•(-, — сопротивления базовой области. Параллельно сопротивлению коллекторной области включается зависимый источник тока, управляемый током эмиттера с управляющим параметром а, учитывающим прямую передачу тока от эмиттера к короткозамк-нутому коллектору. Узел б' соответствует внутренней точке базовой области. Типичные значения низкочастотных параметров транзистора следующие: гая«25 Ом; гк(=&2- 10е Ом; Гб^бОО Ом.

Сопротивление шунта Rm, как следует из схемы 1.1, включено параллельно сопротивлению Ra обмотки амперметра, поэтому ток / электрической цепи распределяется по соответствующим параллельным ее ветвям обратно пропорционально сопротивлениям:

Потери в стали двигателя. При пульсирующем токе потери возрастают сравнительно мало, так как магнитный поток пульсирует незначительно. В двигателях с параллельным возбуждением обмотка возбуждения получает питание от источника, напряжение которого сглажено, т. е. двигатель фактически имеет независимое возбуждение. В двигателях последовательного возбуждения обмотка возбуждения шунтируется активным сопротивлением ( 7.39, а), через который и замыкается, в основном, переменная составляющая тока. Часто параллельно сопротивлению включается полупроводниковый диод ( 7.39, б), что еще сильнее сглаживает ток в обмотке возбуждения. Обычно пульсация тока в обмотке возбуждения менее 3%, а пульсация потока возбуждения еще меньше. Потери от вихревых токов в массивных частях магнитопровода, которые были бы очень велики при пульсациях тока возбуждения и магнитного потока, минимальны.

После включения вольтметра, имеющего собственное сопротивление Rv, параллельно сопротивлению R напряжение U, измеренное вольтметром, составит:

Коллекторный и эмиттерный р-п-переходы транзистора обладают емкостными свойствами. Эквивалентная емкость р-п-пере-хода включает в себя барьерную и диффузионную составляющие и подключена параллельно сопротивлению р-п-перехода. Диффузионная емкость преобладает при прямом смещении, а барьерная — при обратном. Диффузионная емкость эмиттера

а после включения вольтметра с сопротивлением Rv параллельно сопротивлению R

а также влияние малой емкости коллектора Ск (порядка 10 пф), которая на эквивалентной схеме включена параллельно сопротивлению коллектора гк.

Параллельно сопротивлению изоляции рассмотренного выше провода подключено тело человека с сопротивлением 2600 Ом. Какая часть найденного тока утечки проходит через тело человека? 20 мА 17