Плоскостью проходящей

соединяемых активных элементов. Таковы делители напряжения, аттеньюаторы, линии задержки в пленочном исполнении и т. д.

Аналоговые микросхемы различного функционального назначения разрабатываются в полупроводниковом и в пленочном исполнении. Однако требования к точности элементов, шумовым параметрам, частотным и другим характеристикам аналоговых микросхем, как правило, выше, чем к логическим. Таким образом, гибридно-пленочная технология обладает более широкими возможностями для реализации аналоговых микросхем.

Ранние разработки усилителей для приемно-усили-тельной аппаратуры в известной степени копировали усилительные каскады аппаратуры на дискретных элементах, имеющие большое число конденсаторов, пассивные элементы в качестве нагрузки транзисторов и т. д. Эти элементы нередко требовали соблюдения жестких допусков. Такие микросхемы, осуществляющиеся преимущественно в гибридно-пленочном исполнении, стоили довольно дорого. При этом многие элементы выполнялись как навесные и монтировались вне корпуса микросхемы (например, усилители серии К218, К224, К228).

Гибридной интегральной микросхемой называют ИМС, содержащую диэлектрическое основание (подложку), все пассивные элементы на поверхности которой выполняются в виде однослойных или многослойных пленочных структур, соединенных неразрывными пленочными проводниками, а полупроводниковые приборы, в том числе ИМС и другие компоненты (миниатюрные керамические конденсаторы, индуктивности и др.), размещены на подложке в виде дискретных навесных деталей. Транзисторы и другие полупроводниковые приборы в пленочном исполнении не нашли применения, так как получение в производственных условиях монокристаллических тонких пленок полупроводника с удовлетворительной структурой является очень сложной задачей.

Первый (предварительный) этап проектирования включает в себя круг вопросов, связанных с анализом электрической схемы, схемотехнических данных, типовых технологических процессов и свойств материалов для пленочных элементов, базы данных по компонентам. Его выполняют с целью: выяснить возможность реализации заданной схемы в гибридно-пленочном исполнении при имеющихся технических возможностях; определить функциональную сложность ИМС; определить минимальную площадь платы, занимаемую гибридной ИМС; выбрать компоненты и типоразмер корпуса; определить степень интеграции ИМС.

Первый этап выполняют в такой последовательности: сначала про'водят анализ электрической схемы для выделения пленочных и дискретных (навесных) элементов. К навесным элементам (компонентам) кроме активных можно отнести часть пассивных, реализация которых затруднена технологически или если в пленочном исполнении они занимают большую площадь. Затем выбирают оптимальное значение удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки. При этом предполагают, что все резисторы будут изготовлены из одного материала. В качестве критерия оптимальности принимают минимальную необходимую площадь, которую займут все резисторы схемы и которой соответствует значение оптимума:

Для обеих задач было найдено общее решение в виде конструкции микросборок (МС) — функциональных гибридных узлов в микроэлектронном пленочном исполнении, создаваемых разработчиками и изготовителями РЭА применительно к конкретным конструкциям и электрическим схемам с целью улучшить показатели миниатюризации в условиях отсутствия аналогов в номенклатуре ИС.

I этап — анализ принципиальной электрической схемы и исследование возможностей ее реализации в виде пленочной гибридной микросхемы. На этом этапе определяют типы применяемых элементов, их номинальные параметры, выявляют, какие элементы будут выполнены в пленочном исполнении, а какие — в дискретном, а также число и расположение контактных площадок. С этой целью преобразуют принципиальную электрическую схему изделия в коммутационную. Пример такого преобразования приведен на 8.6. На коммутационной схеме навесные элементы «е изображают ;(их выводы показывают контактными площадками).

Первый (предварительный) этап проектирования включает в себя круг вопросов, связанных с анализом электрической схемы, схемотехнических данных, типовых технологических процессов и свойств материалов для пленочных элементов. Его выполняют с целью: выяснить возможность реализации заданной схемы в гибридно-пленочном исполнении при имеющихся технических возможностях; определить функциональную сложность ИМС; определить минимальную площадь подложки, занимаемую гибридной ИМС; выбрать типоразмер корпуса; определить степень интеграции ИМС.

Первый этап выполняют в такой последовательности. Сначала проводят анализ электрической схемы для выделения пленочных и навесных элементов. К навесным элементам кроме активных можно отнести часть пассивных, реализация которых затруднена технологически или если в пленочном исполнении они занимают большую площадь. Затем выбирают оптимальное значение удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки. При этом предполагают, что все резисторы будут изготовлены из одного материала. В качестве критерия оптимальности принимают минимальную необходимую площадь, которую займут все резисторы схемы и которой соответствует значение оптимума:

Все сказанное свидетельствует о необходимости рационального использования с технико-экономической точки зрения как пленочных и твердотельных элементов, так и обычных (по своей физической и конструктивной структуре) ФАУ. Причем в некоторых конструкциях РЭА может оказаться наиболее целесообразным применение узлов в твердотельном или пленочном исполнении, а в других — использование ФАУ. Во многих случаях неизбежно применение различных узлов в одной конструкции РЭА (твердотельных, пленочных и обычных ФАУ). '

Рассмотрим пример разработки топологии микросхемы. Допустим, что необходимо, создать микросхему избирательного двойного Т-образного режекторного фильтра, применяемого в аппаратуре связи. На 4.21а показана электрическая схема такого фильтра, который необходимо выполнить в пленочном исполнении. При этом выводы микросхемы должны располагаться -с одной стороны подложки. Дополнительно на той же стороне подложки должны быть выполнены два внешних разветвления для измерительных целей. С учетом этих условий схема принимает вид, показанный на 4.216. Пересечение в микросхеме можно использовать как конденсатор С2 ( 4.210). Определяя далее пропорции элементов, можно найти примерную топологию микросхемы ( 4.21г). Разрабатывая затем каждый элемент микросхемы, получим окончательный чертеж его топологии ( 4.21<3).

индукцию под серединой полюса, а — угол, образованный нейтральной плоскостью 00' и плоскостью, проходящей через ось якоря и произвольно выбранную

Индукция В магнитного поля, создаваемая токами в обмотках возбуждения 0В ( 7-9, а), нормальна к поверхности якоря ft. Форма полюсов N и S выбирается такой, чтобы индукция изменялась вдоль окружности якоря по закону синуса, т. е. от В = О на линии пересечения якоря с нейтральной плоскостью 00' до максимального значения В„ под серединой полюсов, как показано на диаграмме 7-9, б. На этом рисунке величина индукции изображена отрезками радиусов между окружностью и кривой В (пунктир). Если а — угол, образованный нейтральной плоскостью 00' и плоскостью, проходящей через ось якоря и произвольную точку его поверхности, то индукция в произвольной точке

гз, — угол рыскания — угол между плоскостью стрельбы и вертикальной плоскостью, проходящей через ось ракеты;

Ф — угол крена — угол между плоскостью симметрии ракеты и вертикальной плоскостью, проходящей через продольную ось ракеты. Этот угол обозначен на 1.6,6, где изображен вид ракеты со стороны хвостового оперения.

Диаграмму зависимости модуля Е или Я в дальней зоне от угла 8 принято называть диаграммой направленности. Она будет представлять собой объемную фигуру — тор, сечение которого плоскостью, проходящей через полярную ось, представляет собой две соприкасающиеся окружности ( 25.2, а).

а угол а между плоскостью поляризации (т. е. плоскостью, проходящей через направление вектора Е и направление распространения) и горизонтальной плоскостью определяется из соотношения

— Обычно фотометрическое тело симметрично относи-•vj" тельно оси источника и, следовательно, может быть принято за тело вращения. Для таких излучателей, называемых симметричными излучателями, распределение силы света может быть представлено продольной кривой распределения силы света, полученной как результат сечения фотометрического тела любой плоскостью, проходящей " через ось излучателя.

Для симметричных светильников, к которым относятся большинство светильников с лампами накаливания; фотометрическое тело представляет собой тело вращения и характеристикой светораспределения является продольная кривая распределения силы света, полученная в результате сечения фотометрического тела любой плоскостью, проходящей через его ось симметрии ( 1-7).

Яр — высота установки прожектора над условной горизонтальной плоскостью, проходящей через точку расчета освещенности на вертикальной плоскости.

а — угол между направлением к расчетной точке и осью симметрии светильника; Яр — высота подвеса светильника над горизонтальной плоскостью, проходящей через расчетную точку;

Ряд содержит только четные степени г по следующим соображениям. Если рассечь пространство плоскостью, проходящей через ось, то гиг на этой плоскости можно рассматривать как декартовы координаты ( 1.15).