Плотностью размещения

Данное выражение следует из того, что выходной параметр г, являющийся случайной величиной с плотностью распределения /вых(2), рассматривается как сумма входной величины х и некоторой величины у, отражающей влияние ТО.

Время т,- обслуживания элементов конструкции или объекта сборки в целом в общем случае является величиной случайной (нерегламентированной), что характерно для ручного труда, человеко-машинных систем, РТК, и детерминированной (регламентированной), что характерно для некоторых типов автоматизированных систем. Время обслуживания изделий определяет технологическое операционное время, необходимое для выполнения работ при проведении технологических операций. Классификация времени обслуживания на регламентированное и нерегламентированное вызвана характером функционирования технологических агрегатов. Для агрегатов с нерегламентированным временем обслуживания ЭК время ft является величиной случайной, описываемой непрерывной плотностью распределения Wi(т), заданной на интервале т=[0, оо]. Для технологических агрегатов с регламентированным временем обслуживания ЭК при tsS-T существует конечная вероятность того, что технологический агрегат выполнит Рт или не выполнит дт операцию за время Т.

Распределение наработки до отказа может быть описано вероятностью безотказной работы Р (?), плотностью распределения наработки до отказа/(f) и интенсивностью отказов \(t). Вероятностью безотказной работы P(t) называют вероятность того, что величина Т - наработка до отказа - будет не меньше заданной:

Наиболее простым примером является сигнал, значение которого описывается одной непрерывной случайной величиной Uc. Плотность такого распределения Р("с). В более сложных случаях сигнал описывается несколькими случайными величинами Uc\, Ucz,—,Ucn с плотностью распределения р(ис\, ucz, —, ucn)- Тогда его можно рассматривать как объединение (Uc\, Ucz, •••, ^сп) простых сигналов t/ci, ?Л;2, —, Uсп.

Простой сигнал характеризуется одной непрерывной случайной величиной Uc с плотностью распределения р(ис) (рис> 1.2). Установим предел точности измерений сигнала Uc. Для этого выберем некоторый отрезок Д«с (интервал квантования). Будем считать, что в его пределах значения сигнала Uc практически неразличимы. Таким образом непрерывное распределение сигнала Uc сводится к дискретному. Дискретизация равносильна замене плавной кривой р(«с) ступенчатой линией ( 1.3); при этом каждый участок отрезка Д«с заменяется одной точкой— представителем. Всего в пределах изменения Uc получим п участков. Площади прямоугольников p(uCj)Awc на 1.3 изображают вероятности попадания случайной величины Uc в соответствующие интервалы квантования.

Выражение (1.6) есть математическое ожидание функции — log[p(t/c) Д"о] от случайной величины Uc с плотностью распределения р(ис):

< флюхтуационной помехой. Импульсные помехи появляются из-за резких изменений тока и напряжения в индустриальных 3 становках, при работе транспортных агрегатов, в результате действия источников естественного происхождения. Амплитуда импульсных помех зависит от величины бросков тока или напряжения и не зависит от длительности импульса помехи. В общем случае можно рассматривать распределение импульсных помех F3K симметричное, с произвольной плотностью распределения t' (I), удовлетворяющей условиям плотности распределения.

уже отмечалось в п. 6,6.4, эти алгоритмы необходимо исследовать с помощью моделирования на ЭВМ. Для этого не-об водимо смоделировать ел уча иную последов а-тельность с плотностью распределения (7.20) для а = 0 и различных Б и сга. Полученную случайную последовательно;^ исследовать с помощью выражения (7.26) и но алгоритму выборочного среднего. Результаты этого моделирования представлены на 7.2 и 7.3. Графики

Законы распределения погрешностей. При вероятностно-статистическом подходе к погрешностям они трактуются как случайные величины и процессы, исчерпывающе описываемые законами распределения вероятностей их значений — функцией распределения Р (Д) либо плотностью распределения

Производная f(Q) функции распределения F(Q)' характеризует плотность, с которой распределяются значения случайной величины в данной точке, и называется плотностью распределения (плотностью вероятности):

Законы распределения погрешностей. При вероятностно-статистическом подходе к погрешностям они трактуются как случайные величины и процессы, исчерпывающе описываемые законами распределения вероятностей их значений — функцией распределения Р (Д) либо плотностью распределения

Основные достоинства полевых транзисторов - большое сопротивление входной цепи (1-10 МОм) и технологичность при производстве интегральных микросхем с большой плотностью размещения элементов. Основной недостаток — относительно невысокое быстродействие.

Рассмотрим в виде примера АЗУ 'на тонких магнитных пленках (ТМП), обладающих по сравнению с другими видами АЗУ следующими преимуществами: высокой плотностью размещения информации, быстродействием, малой потребляемой мощностью, низкой стоимостью.

Используя ЦМД, можно создавать самые разнообразные устройства для запоминания и обработки информации. От аналогичных устройств, выполненных на полупроводниковых или ферритовых элементах, они отличаются высокой функциональной гибкостью, обусловленной возможностью выполнения логических и запоминающих операций в одной магнитной среде, высокой плотностью размещения информации, низкой стоимостью. В основном ЦМД применяют пока в ЗУ, однако они весьма перспективны и для решения логических задач.

автоматизации процессов монтажа и сборки; 6) полного исключения ручных операций; 7) полной автоматизации на этапе проектирования устройств на базе типовых оптимизированных конструкций; 8) взаимозаменяемости отдельных функциональных узлов и блоков; 9) ремонта отдельных устройств, простого исправления отдельных дефектов проектирования на этапе изготовления первых серий изделий. Дополнительными требованиями являются: 1) максимальное исключение из конструктивных материалов драгоценных металлов и остродефицитных материалов; 2) максимальное сокращение числа паяных и сварных соединений, герметичных швов, клеевых соединений; 3) уменьшение потерь в СВЧ-трактах. Кроме того, создатели современных микроэлектронных устройств прежде всего должны обеспечить минимальное время прохождения сигнала (минимальные потери) от одного кристалла ИМС к другому. В недалеком прошлом это было существенно лишь для построения СВЧ-устройств. Однако усовершенствование конструкции и технологии изготовления микроэлектронных приборов и схем увеличило как число логических функций, которые можно разместить в одном кристалле, так и скорость выполнения арифметических операций современных ЭВМ и аппаратуры приема и обработки информации. В этом случае быстродействие центральных процессоров многих машин стало определяться временем прохождения между кристаллами. Для уменьшения времени задержки сигналов кристаллы следует располагать как можно ближе друг к другу, а длина соединительных проводников должна быть как можно меньше. Коммутационные платы при этом должны обладать значительно большей плотностью размещения соединительных шин, чем существующие. Кроме того, плотно упакованная матрица кристаллов выделяет значительное количество теплоты, которое нужно отвести: во многих случаях проблема теплоотвода оказывается наиболее сложной (например, для создания вторичных источников питания). Число сигнальных выводов соединений на любом заданном уровне сборочно-монтажной иерархии ( В. 1)

Основные достоинства полевых транзисторов — большое сопротивление входной цепи (1—10 МОм) и технологичность при производстве интегральных микросхем с большой плотностью размещения элементов. Основной недостаток — относительно невысокое быстродействие.

Основные достоинства полевых транзисторов - большое сопротивление входной цепи (1—10 МОм) и технологичность при производстве интегральных микросхем с большой плотностью размещения элементов. Основной недостаток — относительно невысокое быстродействие.

Комплексная микроминиатюризация МЭА идет по двум встречным направлениям: 1) миниатюризация элементной базы, когда в одной интегральной микросхеме удается разместить целые устройства, комплексы и даже системы; 2) миниатюризация ячеек и блоков, когда за счет освоения микроэлектронной тонкопленочной и толстопленочной технологий удается создать ячейки и блоки с высокой плотностью размещения полупроводниковых БИС и СБИС.

Для решения этой проблемы необходимо иметь технологические варианты производства коммутационных плат, содержащих несколько десятков уровней разводки с плотностью размещения проводников в одном уровне не менее 10 линий на 1 мм. Коммутационные платы должны содержать сотни переходных отверстий между уровнями, десятки контактных площадок для присоединения выводов СБИС на 1 см2 и допускать размещение проводников между ними. Возможность размещения одного или нескольких проводников между соседними контактными площадками и переходными отверстиями ( 2.2) позволяет повысить плотность монтажа, но одновременно усложняет технологию изготовления и требует автоматизации процесса конструирования коммутационной платы с многоуровневой разводкой. Конструктивные требования определяют оптимальную схему соединений для данной технологии монтажа. Максимальная длина соединений, приходящаяся на единицу площади поверхности многоуровневой коммутационной платы, равна числу сигнальных слоев, умноженному на число сигнальных проводников, которые можно расположить между двумя соседними отверстиями, и деленному на шаг выводов. Например, для двусторонней платы с шагом сетки 2,5 мм, двумя рядами проводников между отверстиями максимальная длина соединений равна 15,5 см на 1 см2 площади платы.

те этого ширина воздушного зазора оказывается равной ширине окна в маске. По окончании травления оставшиеся области защитного окисла удаляются, а на поверхность всей пластины наносятся последовательно три слоя: SiO — Si3N4 (нитрид кремния) — SiO2 ( 1.6,6). Последующие сгадии образования контактов к областям приборов и формирования областей n + -эмиттеров путем диффузии ничем не отличаются от рассмотренных ранее ( 1.6, в и г). Технология V-ATE за счет исключения значительной паразитной площади прибора и улучшения его электрических характеристик позволяет строить сложные ИМС с плотностью размещения элементов такой же, что и при использовании МДП-приборов. Это позволяет отнести ее к технологии БИС.

Общие сведения о матричных индикаторах. Стремление заменить ЭЛТ другим устройством отображения информации, которое отличалось бы от нее, прежде всего, компактностью, низкими напряжениями, задающими режим работы, а также низкими1 напряжениями управления, модуляции и развертки, долговечностью и меньшим энергопотреблением, привело к использованию в< осциллографах матричных индикаторных панелей. Существует ряд типов таких устройств, состоящих из большого количества^ светоизлучающих ячеек (светодиодные, газоразрядные, катодолю-минесцентные и т. п.), сгруппированные в виде плоской матричной панели с достаточно большой плотностью размещения. Матричная панель обеспечивает воспроизведение изображения с большой дискретностью разложения. Число элементов разложения равно М=ту.п, где п —число строк, т —число столбцов в матрице. Одноименные электроды ячеек соединены по строкам и столбцам, образуя сетку шин, общее число которых равно т-\-п. Включение1 (возбуждение) конкретной выбранной ячейки (точки) производят

Секционированные МП строятся в виде последовательного соединения одинаковых микропроцессорных секций (МПС). Оформленная в виде отдельной БИС, МПС способна выполнять полный набор операций, но только по отношению к части разрядов обрабатываемых данных. Возможность секционирования позволила изготовлять МП на базе таких технологий, которые хотя и не отличаются большой плотностью размещения элементов на кристалле, но обеспечивают высокое быстродействие элементов МП (серии К589, К584 и К.587). Особое положение занимает МП серии К588, который имеет разрядность п = 16 и может использоваться либо как однокристальный или многокристальный МП, поскольку в нем предусмотрена возможность дальнейшего увеличения разрядности аппаратным способом.