Плотности теплового

Нормальная составляющая вектора электрической индукции на границе двух непроводящих сред претерпевает скачок, равный поверхностной плотности свободных заря-.дов, распределенных на границе.

Нормальная составляющая вектора электрической индукции на границе двух непроводящих сред претерпевает скачок, равный поверхностной плотности свободных зарядов, распределенных на границе.

В результате собственного поглощения в полупроводнике образуются пары подвижных электрических зарядов: дырка в валентной зоне и электрон в зоне проводимости. Вероятность межзонного перехода, т. е. образования такой пары зарядов, зависит от ^степени заполнения состояний вблизи потолка валентной зоны, а также от плотности свободных состояний вблизи дна зоны проводимости.

В результате собственного поглощения в полупроводнике образуются пары подвижных электрических зарядов: дырка в валентной зоне и электрон в зоне проводимости. Вероятность межзонного перехода, т. е. образования такой пары зарядов, зависит от ^степени заполнения состояний вблизи потолка валентной зоны, а также от плотности свободных состояний вблизи дна зоны проводимости.

т. е. исток линий D в данной точке поля определяется величиной плотности свободных зарядов в этой точке. Если объемная плотность зарядов в данной точке положительна (рсвоб > 0),то из бесконечно малого

т. е. при наличии на границе раздела двух сред свободных зарядов нормальная составляющая вектора D скачком изменяется на величину плотности свободных зарядов на границе раздела.

Если ротором вектора напряженности магнитного поля является вектор плотности свободных токов, то ротор вектора магнитной индукции определяется и свободными, и молекулярными токами:

Атом кремния имеет координационное число 4 и его структурная свобода мала. Поэтому в аморфном состоянии в определенных локальных участках должны возникать значительные деформации. Когда эти деформации превышают определенный предел, полная энергия стремится уменьшиться за счет разрыва сильно деформированной связи Si-Si. Оценки плотности свободных ("оборванных") связей, проводившиеся методом ЭПР, показали величину 10"-1020 см"3 в отсутствие Н или F в a-Si.

Свободные связи с плотностью 1019-1020 см"3 могут быть полностью заполнены, если содержание Н или F составляет около 0,1% (ат.). Эксперименты, однако, показывают, что для уменьшения плотности свободных связей необходимы значительно большие количества Н или F. Это свидетельствует о том, что Н и F не всегда наиболее эффективно заполняют свободные связи.

Известно также, что эффект уменьшения плотности свободных связей может быть различным, в зависимости от механизма растворения Н или F при одинаковом их количестве. Поэтому очень важно изучить взаимосвязь механизма растворения Н или F и плотности дефектов.

[~4% (ат.)] и предполагается, что она способствует уменьшению плотности свободных связей, поскольку ЛГ5«6-1017 см'3, что меньше Ns для a-Si, в котором нет ни Н, ни F. Однако способность фтора уменьшать Ns выражена слабее, чем у водорода.

Рис, 3.14. Применение способов конвективного охлаждения в зависимости от плотности теплового потока и перегрева: / — свободное воздушное; 2—свободное и принудительное воздушное; 3 — принудительное воздушное; 4 — принудительное воздушное и жидкостное; 5 — принудительное испарительное; б—принудительное жидкостное и свободное испарительное; 7 — принудительное жидкостное, принудительное и свободное испарительное; Я — принудительное жидкостное и свободное испарительное; 9—свободное и принудительное испарительное

Одной из основных проблем при конструировании модулей СВЧ является отвод теплоты. Обычно теплота от тепловыделяющих компонентов отводится за счет теплопроводности материалов герметичной конструкции. Иногда все элементы узла располагаются на мощном теплоотводе. Усилитель мощности ( 7.28) работает на частоте 2,25 ГГц, обеспечивая выходную мощность 7 Вт; его площадь 6,25 х 2,5 мм. В конструкции тепло-отвод осуществляется через медь и оксид бериллия. В случае менее теплонапряженного режима достаточно разместить подложки на теплоотводящих основаниях (см. 7.19). При увеличении плотности теплового потока могут быть использованы тепловые

Компоновка функциональных узлов, размещенных на керамическом основании, показана на 8.91 и 8.92, на 8.91 — компоновка аналого-цифрового преобразователя, в состав которого входят цифровые БИС и дискретные элементы, на 8.92 — цифрового функционального узла. Отвод теплоты от подложки в зависимости от плотности теплового потока может быть выполнен конвекцией (естественной или принудительной, воздушной, жидкостной), а также за счет теплопроводности.

где q — вектор плотности теплового потока, Вт/м2; grad t — градиент температуры; Л — коэффициент теплопроводности.

Если обе части уравнения (5-7) разделить на Ft, то получится выражение для плотности теплового потока при теплоотдаче:

Таким образом, термическое сопротивление при теплоотдаче есть I/a. Как видно, формула для плотности теплового потока и в этом случае записывается по тому же правилу, которое установлено в § 5-2; в числителе — разность температур, в знаменателе —термическое сопротивление.

Как видно, формула (5-12) для плотности теплового потока при теплопередаче аналогична формулам для плотности теплового потока, установленным ранее, т. е. в числителе стоит разность температур, а в знаменателе — сумма термических сопротивлений.

Если разделительная стенка состоит из нескольких слоев, как указано на 5-5, формула для плотности теплового потока, очевидно, может быть написана по общему правилу так:

(предлагается учащемуся получить точные значения коэффициента теплопередачи, плотности теплового потока и температур стенки по формулам, использованным в решении первого случая, и сравнить их и полученными здесь приближенными значениями).

Находим значение плотности теплового потока для случая без пробковой изоляции ( 9-18):

Вектор плотности теплового потока направлен по нормали к изотермической поверхности в сторону убывания температуры, поскольку теплота передается всегда от нагретых частей к холодным. Этим фактом объясняется наличие знака минус в законе Фурье, Вектор grad Т называется градиентом температур: