Показывает распределение

Построенное распределение намагниченности ротора наглядно показывает положение его северного

Расчеты обмоточных коэффициентов гармонических обмоток, особенно с qi
В этом случае подмагничивающее поле постоянного магнита изменяется за счет поворота его вокруг поперечной оси (изменения зазора). Стрелка., закрепленная на этой же оси, показывает положение постоянного магнита либо при соответствующей градуировке шкалы величину измеряе* мого тока или напряжения.

электронный. Точка плавления соединения, так же как и на диаграмме-Т—х системы РЬ—S (см. 1.12), не совпадает с точкой пересечения линии 6 = 0 с линией трехфазндго равновесия РЬ5(Т) + Ж + Г (показана пунктиром на 1.12). Линия pmin показывает положение точек, где общее давление P=Ppb~bPs, минимально. Эти данные представляют интерес для определения равновесного состава кристалла при медленном изотермическом его испарении. На диаграмме приведены также изоконцентоаты, показывающие отклонение состава кристалла сульфида свинца от стехиометрического или, что то же самое, концентрацию в нем акцепторов или доноров (цифры в скобках).

Сигнализация положения показывает положение выключателей и разъединителей. Сигнализация положения выключателей выполняется с использованием сигнальных ламп (см. 10-3). Горение красной лампы показывает,

Сигнализация положения показывает положение выключателей и разъединителей и выполняется с использованием сигнальных ламп (см. 10.4). Горение красной лампы показывает, что выключатель включен, зеленой лампы — что он отключен.

величины v ( 3.2). Этот вращающийся вектор записывается в виде Vme' '(а>' + а)- уГОл а показывает положение вектора Vm в начальный момент / = О \Vm = Vme ). Числовая величина мнимой части выражения Vmef (mt + a) дает мгновенное значение синусоидально изменяющейся величины

Одновременно с проверкой наклона определяют положение оси цилиндра относительно середины мотылевой шейки и совпадение ее с осью коленчатого вала. Расстояние от щек колена до струны показывает положение оси цилиндра относительно середины мотылевой шейки. Здесь допускается разница размеров до +1 мм в сторону упорного подшипника. Совпадение осей вала и цилиндра проверяют при в. м. т. +90° и н. м. т. +90°.

Сигнализация положения показывает положение выключателей и разъединителей и выполняется с использованием сигнальных ламп (см. 10.4). Горение красной лампы показывает, что выключатель включен, зеленой лампы — что он отключен.

Отсчетное устройство обеспечивает пятизначную цифровую индикацию измеряемого напряжения с помощью знаковых индикаторов и показывает положение десятичного знака и полярность измеряемого напряжения. Выход на цифрорегистрацию содержит сигналы начала печати, полярности и положения единичного знака в единичном позиционном коде и сигналы числа в коде 8-4-2-1. Передача состояния «1» осуществляется напряжением постоянного тока +3 В±20%, а состояние «О» — напряжением от О до 0,33 В при токе нагрузки 0,2 мА.

Отсчетное устройство прибора обеспечивает четырехзначную индикацию измеряемого напряжения, показывает положение десятичного знака и полярность поданного на вход напряжения. В приборе предусмотрен выход на цифропечатающее устройство по ГОСТ 12814—67, осуществленный в параллельном двоично-десятичном коде 8-4-2-1.

Мост самобалансирующийся. Его измерительная часть выполнена в виде неравноплечевого уравновешенного моста сопротивлений. Прибор имеет два режима работы: разовый — с запуском вручную или от внешнего контакта и периодический —с плавным регулированием длительности индикации от 1 до 10 с. Определение знака отклонения сопротивления от номинального значения автоматическое. Отсчетное устройство прибора обеспечивает четырехзначную цифровую индикацию результата измерения, показывает положение десятичного знака и

Механизм электропроводности полупроводников можно объяснить на основе зонной теории твердого тела. Энергетическая диаграмма полупроводника ( 1.1, б), иллюстрирующая эту теорию, показывает распределение электронов по энергетическим уровням и состоит из трех зон: валентной, запрещенной и зоны проводимости. Лишь те валентные электроны полупроводника, которые обладают энергией зоны проводимости, освобождаются от ковалентной связи с атомами и могут свободно перемещаться в кристалле. При отсутствии же в кристалле примесей атомов других элементов и при температуре абсолютного нуля все валентные электроны участвуют в межатомных связях, иначе говоря находятся на энергетических уровнях валентной зоны и не могут принимать участия в процессе электропроводности.

На 3-5 представлена номограмма решения задачи линейной теплопроводности с фиксированными разными температурами на границах. Как видно из рисунка, при заданных значениях тепловыделения (критерий Померанцева Ро =——--------J установившаяся температура достигается при определенных значениях критерия Фурье. Кривые построены для сечений пластины, имеющих максимальную температуру. На 3-6 показан характер прогрева пластины при фиксированном значении тепловыделения. 3-7 показывает распределение температуры в установившемся режиме при различных значениях тепловыделения. Как видно, с ростом тепловыделения максимум температуры смещается к середине пластины. При симметричных граничных условиях максимум температуры всегда находится в центре пластины ( 3-8).

Причины искрения могут быть связаны как с коммутацией, так и с неравномерным распределением напряжения между коллекторными пластинами. На основании выражения (1.2, а) можно считать, что распределение напряжения по коллекторным пластинам соответствует в определенном масштабе распределению индукции В в воздушном зазоре. Кривая 1 ( XIП.8, а) показывает распределение индукции В при холостом ходе и при нагрузке ( XIII.8, б). Кривая 2 распределения напряжения между коллекторными пластинами имеет ступенчатый характер, средняя линия которой пропорциональна кривой / индукции В. Ординаты ступенчатой кривой 2 определяют разность напряжения между соседними коллекторными пластинами. Сравнивая рисунки, видим, что разность напряжения между различными пластинами неодинакова И становится особенно неравномерной при нагрузке вследствие поперечной реакции якоря. Коммутация проходит благоприятно в случае, если наибольшая величина разности напряжения I/нб (см. XIII.8, б) не превышает некоторого значения, состав-

Потенциальная диаграмма контура электрической цепи показывает распределение электрического потенциала вдоль его обхода, если по оси абсцисс отложены в принятом масштабе величины сопротивлений между отдельными точками контура электрической цепи, а по оси ординат — соответствующие величины электрического потенциала.

При нагрузке поперечная реакция якоря искажает поле в воздушном зазоре (см. 5.29) и напряжение на коллекторе распределяется неравномерно ( 5.39). Потенциальные характеристики на коллекторе снимаются с помощью вольтметра, когда один измерительный конец вольтметра присоединен к щетке, а второй — скользит по коллектору. На 5.39 штриховая кривая показывает распределение напряжения при холостом ходе, а сплошная — при нагрузке При этом Д?/'>Д?/.

Из написанного выражения следует, ч"о в этот момент времени напряжение «ф распределяется вдоль линии по синусоидальному закону, причем множитель е~ах показывает, что амплитуда напряжения уменьшается от начала к концу линии по экспоненциальному закону. На 15-4 сплошная кривая показывает распределение напряжения вдоль линии в момент времени t — 0.

асюду равно нулю. Пунктирная кривая показывает распределение тока в следующий момент времени t=-At:

Нагреваемую деталь / помещают в индуктор 2, через который проходит ток высокой частоты. Часть детали, обозначенная черной краской, показывает распределение тока в нагреваемой детали. Вследствие «поверхностного эффекта» переменный ток сосредоточивается на наружной поверхности стального проводника. «Поверхностный эффект» переменного тока в стали усиливается с увеличением частоты.

В транзисторе два /о-п-перехода и соответственно два потенциальных барьера. Величина каждого зависит от величины и полярности э.д.с. в схеме. Кривая / 2.7,в показывает распределение потенциала вдоль транзистора, когда э.д.с. Еи и Еу отсутствуют, кривая 2—при наличии ?„ и ?у. На переходе эмиттер—база при включении э.д.с. Еу потенциальный барьер уменьшается, на переходе база — коллектор при включении Е„ потенциальный барьер становится больше, чем в отсутствие Ен. Объясняется это тем, что результирующая напряженность поля на переходе коллектор—база при наличии э.д.с. Ен равна сумме напряженностей от объемных зарядов и от э.д.с. Е„, тогда как на переходе эмиттер—база при наличии э.д.с. ?у она равна разности напряженностей поля от объемных зарядов и от э.д.с.

Уравнение (3.7) представляет собой функцию распределения Гаусса и показывает распределение примеси в 'зависимости от глубины и 'времени ( 3.76).

Код Голея. Код Голея - это двоичный линейный код (23, 12) с dmm =7. Расширенный двоичный линейный код Голея (24, 12) с ^mw=8 получается из кода Голея путём добавления ко всем кодовым комбинациям проверочного символа. Таблица (8.1.1) показывает распределение весов кодовых слов кода Голея (23, 12) и расширенного кода Голея (24, 12). Мы обсудим процедуру синтеза кода Голея в разделе 8.1.3.