Поверхность ограниченную

Металлические подложки применяют в целях получения высокой теплопроводности и больших габаритов, на их поверхность наносится изоляционный слой глазурованием или окислением. Сложность изготовления такой конструкции состоит в том, что достаточно трудно получить изоляционный слой, сочетающийся по термическому коэффициенту линейного расширения с металлом самой подложки. В качестве материала подложки для полупроводниковых ИС служит кремний, германий, арсенид галлия и др. Свойства этих материалов приведены в табл. 10.1.

Электроны, эмиттируемые фотоэлектронным катодом при облучении его световым потоком, устремляются под воздействием электрического поля к первому диноду. На его поверхность наносится кислородно-цвзиевое, медно-серноцеаиевое или другое сложное покрытие, обеспечивающее коэффициент вторичной эмиссии а > 1 (обычно ст = 6 -f- 8).

Устройство и принцип действия транзистора с управляющим переходом металл — полупроводник. Рассмотрим устройство арсенид-галлиевого транзистора с управляющим переходом металл — полупроводник, поперечный разрез которого показан на 5.17, а. Транзистор создается на подложке / нелегированного арсенида галлия. Из-за большой ширины запрещенной зоны, равной 1,43 эВ, удельное сопротивление подложки велико (порядка 107—108 Ом-см), и практически подложка представляет собой диэлектрик. У поверхности методом ионного легирования создаются области 2 истока и 8 стока «+-типа, а также тонкий слой канала п-типа 6 толщиной d0 = 0,l-4-0,2 мкм. Концентрация примесей в слое канала jVK=1017 см~3. На поверхность наносится металлический электрод затвора 4 (например, композиция Ti/W), образующий выпрямляющий контакт со слоем 6. Металлические электроды 3 и 7 (например, композиция AuGe/Au) образуют омические контакты к областям истока 2 и стока 8. Проводящий канал формируется между обедненным слоем 5 контакта затвор — канал и подложкой 1. Его толщина равна d0—L0o, где L06 — толщина обедненного слоя 5. Типичное расстояние исток — сток LHc=2-v-3 мкм, а длина затвора L = 0,5-i-2 мкм.

Электроны, эмиттируемые фотоэлектронным катодом при облучении его световым потоком, устремляются под воздействием электрического поля к первому диноду. На его поверхность наносится кислородно-цвзиевое, медно-серноцеаиевое или другое сложное покрытие, обеспечивающее коэффициент вторичной эмиссии а > 1 (обычно ст = 6 -f- 8).

Химическое осаждение пленок. Этот метод широко применяется для металлизации плат, получения пленочных резисторов и других изделий РЭА. Перед металлизацией на плату сначала наносят раствор хлорного олова (SnCl2), ионы которого прочно адсорбируются на плате. После промывки на поверхность наносится раствор хлористого серебра (AgCl). В результате протекающей реакции ионы серебра замещают ионы олова. Плата с подготовленной таким образом поверхностью помещается в раствор соли того металла, которым собираются металлизировать поверхность. В раствор добавляют восстановитель, вытесняющий металл из раствора. Реакция ускоряется и катализируется под действием находящегося там серебра. Так можно получать пленки меди и никеля (в последнем случае предварительную обработку поверхности производят раствором хлористого палладия). Толщина пленок составляет обычно 1—2 мкм. Дальнейшее увеличение толщины производят гальваническим методом.

Вредное воздействие пыли при перевозке золы удается свести к минимуму благодаря использованию полностью герметизированных железнодорожных контейнеров, применения для транспортировки золы трубопроводов или значительного увлажнения, что предотвращает унос пыли. Складируемая зола покрывается слоем грунта до того, как она высыхает, или на ее поверхность наносится тонкий слой полимера, и таким образом связывают слой золы до образования постоянного почвенного покрова. Эти мероприятия сводят к минимуму вредное воздействие золы.

Работа выхода электронов в вакууме для вольфрамового покрытия с текстурой {100} равна 4,6 эВ, в то время как для вольфрамового покрытия с текстурой {110} она составляет 5—• 5,3 эВ [172]. Отсюда видно, насколько важно получить вольфрамовые покрытия именно с текстурой {НО}. Хорошая адгезия вольфрамового покрытия на молибденовом катоде достигается, когда покрытие осаждается на рекристаллизованной и травленой поверхности. На механически полированной поверхности адгезия покрытия недостаточна. С другой стороны, ориентированные покрытия вольфрама с текстурой {110} на молибденовом эмиттере получаются только на хорошо полированных поверхностях [8, 171]. В работах при создании реактора JTR [19] эти взаимоисключающие обстоятельства были устранены применением двуслойных -вольфрамовых покрытий, полученных по так называемой дуплекс-технологии. Первый подслой вольфрама на рекристаллизованную травленую поверхность наносится восстановлением паров WF6 водородом (фторидная технология), а второй (основной по толщине) слой вольфрама наносится восстановлением водородом паров WC14 (хлоридная технология).

Для улучшения этой ситуации, как показано на рисунке, прежде всего на поверхность наносится ровный и толстый сглаживающий слой (на рисунке это слой позитивного фоторезиста). В этот сглаживающий слой для поглощения отраженного и рассеиваемого света добавляется краситель; после нанесения слоя проводится его термообработка, в результате чего слой упрочняется и окрашивается. Поверх сглаживающего слоя наносится тонкий промежуточный слой, например Si02, Si3N4, Mo, A1 или другого материала, затем самый верхний слой резиста минимально возможной толщины, однако таким образом, чтобы не

На 6.6 представлен пример так называемой SAINT (self aligned implantation for n+-layer technology)-технологии самосовмещенной ионной имплантации при образовании п-типа слоя. Как показано на 6.6, а, на полуизолирующую подложку из GaAs наносится слой фоторезиста (AZ 1450J) толщиной 1,3 мкм с определенной конфигурацией окон, служащий в качестве маски, и проводится ионная имплантация Si с целью создания области канала. Далее методом химического газофазного осаждения в плазме на поверхность наносится слой SiN толщиной 0,15 мкм и затем, как показано на 6.6,6, последовательно наносятся слои FPM (polytetrafluoropropyl met-hacrylate — политетрафторпропил метакрилат) толщиной

Затем в процессе ВЧ магнетронного распыления на поверхность наносится второй слой Si02 (см. 6.6,г). Обработкой структуры в химическом травителе, содержащем NH4F и HF в соотношении 120 : 1, удаляется тонкий 2-й слой Si02 с боковых стенок структуры многослойного резиста (FPM-слой + + 1-й слой Si02). Последующая обработка в ацетоне приводит к удалению многослойного резиста обратным (взрывным) методом на участке затвора, так что в результате образуется структура, представленная на 6.6,5.

чение 30 с. Далее на участке затвора слой SiN удаляется плазменным травлением, затем производится травление в химическом травителе, содержащем NH4F и HF в соотношении 10: 1, после чего на поверхность наносится структура Ti/Pt/Au (100,0 нм/50,0 нм/150,0 нм), которая локально удаляется обратным (взрывным) методом, и в результате формируется затвор.

Свойства изменяющегося магнитного поля таких устройств рассмотрим на примере катушек индуктивности с различным направлением намотки и не будем учитывать сопротивление проводов обмотки. Если ток / h - i в катушке постоянный, то в окружающем витки пространстве постоянно и магнитное поле, которое можно характеризовать магнитным потоком Ф — совокупностью непрерывных магнитных линий, т. е. линий вектора индукции В через поверхность, ограниченную замкнутым контуром. Направление магнитных линий зависит от направления намотки витков и направления тока. Внутри катушки оно совпадает с направлением поступательного движения буравчика, если его рукоятку вращать в направлении тока ( 2.1, а и б, где магнитные линии — только по две в катушке — изображены штриховыми линиями). В общем случае конфигурация магнитного поля вокруг витков имеет сложную форму. Но для характеристики катушки индуктивности как элемента электрической цепи часто не требуется знать распределение магнитного поля внутри катушки и в окружающем катушку пространстве. Достаточно вычислить потокосцепление Ф магнитного потока со всеми w витками: ч

Под полнымтоком понимают алгебраическую сумму токов, проходящих сквозь поверхность, ограниченную контуром интегрирования, при этом со знаком «плюс» берут токи, связанные правилом правоходового винта с выбранным направлением обхода контура интегрирования.

Закон электромагнитной индукции. В любом замкнутом контуре при изменении потока магнитной индукции через поверхность, ограниченную этим контуром, индуцируется э. д. с. (в направлении правовинтовой системы относительно магнитной индукции В), равная взятой со знаком минус скорости изменения этого потока:

Свойства изменяющегося магнитного поля таких устройств рассмотрим на примере катушек индуктивности с различным направлением намотки и не будем учитывать сопротивление проводов обмотки. Если ток i b = i' в катушке постоянный, то в окружающем витки пространстве постоянно и магнитное поле, которое можно характеризовать магнитным потоком Ф — совокупностью непрерывных магнитных линий, т. е. линий вектора индукции В через поверхность, ограниченную замкнутым контуром. Направление магнитных линий зависит от направления намотки витков и направления тока. Внутри катушки оно совпадает с направлением поступательного движения буравчика, если его рукоятку вращать в направлении тока ( 2.1, а и б, где магнитные линии - только по две в катушке - изображены штриховыми линиями). В общем случае конфигурация магнитного поля вокруг витков имеет сложную форму. Но для характеристики катушки индуктивности как элемента- электрической цепи часто не требуется знать распределение магнитного поля внутри катушки и в окружающем катушку пространстве. Достаточно вычислить потокосцепление Ф магнитного потока со всеми w витками:

Свойства изменяющегося магнитного поля таких устройств рассмотрим на примере катушек индуктивности с различным направлением намотки и не будем учитывать сопротивление проводов обмотки. Если ток / , = /. в катушке постоянный, то в окружающем витки пространстве постоянно и магнитное поле, которое можно характеризовать магнитным потоком Ф — совокупностью непрерывных магнитных линий, т. е. Линий вектора индукции В через поверхность, ограниченную замкнутым контуром. Направление магнитных линий зависит от направления намотки витков и направления тока. Внутри катушки оно совпадает с направлением поступательного движения буравчика, если его рукоятку вращать в направлении тока ( 2.1, в и б, где магнитные линии — только по две в катушке — изображены штриховыми линиями). В общем случае конфигурация магнитного поля вокруг витков имеет сложную форму. Но для характеристики катушки индуктивности как элемента электрической цепи часто не требуется знать распределение магнитного поля внутри катушки и в окружающем катушку пространстве. Достаточно вычислить потокосцепление Ф магнитного потока со всеми w витками:

3. Закон полного тока. Закон полного тока является одним из основных законов, устанавливающих связь между током и создаваемым им магнитным полем. На 18 показан проводник с током, пронизывающий поверхность, ограниченную замкнутым контуром в виде окружности с центром на оси проводника. Так как отдельные точки контура находятся на равных расстояниях от проводника, то напряженность поля в каждой точке контура будет также одинаковой. Направление вектора напряженности совпадает с касательной к направлению магнитных силовых линий. Экспериментально доказано, что произведение напряженности поля Я в точках контура на длину этого контура / равно току /, пронизывающему поверхность, ограниченную данным контуром, т. е.

Рассмотрим опыт, когда петля из провода, концы которой присоединены к баллистическому гальванометру G, из положения / вне поля вводится в магнитное поле — положение 2; в этом положении поверхность, ограниченную петлей, пронизывают две линии ( 6-2). Заметим, что подвижная система гальванометра повернется на некоторый угол. Это отклонение будет пропорционально электрическому заряду AQ, прошедшему в цепи за время перемещения петли. Условимся считать положительным направление нормали к поверхности петли, совпадающее с направлением магнитных линий и соответствующее вращению правого винта, движущегося поступательно в положительном направлении нормали. Тогда направление тока в петле будет противоположным положительному направлению обхода, т. е. отрицательным — против вращения винта.

Это — выражение закона электромагнитной индукции в формулировке Максвелла (вторая формулировка): э. д. с., индуктируемая в цепи при изменении магнитного потока, проходящего через поверхность, ограниченную контуром цепи, равна скорости изменения магнитного потока, взятой с отрицательным знаком.

Алгебраическую сумму токов, пронизывающих поверхность, ограниченную замкнутым контуром, называют полным то к ом и обозначают ? /.

Намагничивающая сила вдоль контура равна полному току, проходящему сквозь поверхность, ограниченную этим контуром В этом заключается смысл закона полного тока.

При симметричной намотке катушки напряженность Н во всех точках, равноудаленных от центра, будет одинакова. Рассмотрим контур, совпадающий с магнитной линией радиусом г. Поверхность, ограниченную этим контуром, пересекает полный ток ?/ = /ЬУ, где w — число витков катушки.



Похожие определения:
Поведения материалов
Полученную зависимость
Поверхность охлаждения
Поверхность соприкосновения
Поверхностей теплообмена
Поверхности гарнисажа
Поверхности контактных

Яндекс.Метрика