Позволяет пользоваться

6.5.2. Расширитель интерфейса. Расширитель интерфейса (РИФ), представляющий собой активный электронный блок, подключаемый к ОШ, забирает ресурс на подключение одного устройства у ОШ, но зато сам позволяет подключить к ОШ дополнительный сегмент длиной 15 м, нагруженный дополнительными 19-ю устройствами. Лучше сегмент подключать к ОШ параллельно, а РИФ включать в ОШ ближе к ЦП. Тогда общее время задержки будет минимальным.

При оснащении ВУ модулями АС каждое ВУ вышестоящего уровня позволяет подключить до 64 датчиков и до 16 ВУ нижестоящего смежного уровня.

Полевые транзисторы находят все более широкое применение благодаря высокому входному сопротивлению, что позволяет подключить к источнику сигналов большое число каскадов без шунтирования источника сигнала, повышенной радиационной стойкости и удовлетворительному быстродействию.

Полевые транзисторы находят все более широкое применение благодаря высокому входному сопротивлению, что позволяет подключить к источнику сигналов большое число каскадов без шунтирования источника сигнала, повышенной радиационной стойкости и высокому быстродействию.

На III.12 приведена однолинейная схема транзитной ТП с двумя трансформаторами, используемой в городских сетях. Характерной особенностью ТП является наличие секционного рубильника PC со стороны низкого напряжения, который позволяет подключить любую из секций шин низкого напряжения при выходе из строя или при ремонте одного из трансформаторов. Мощность трансформаторов выбирают с учетом допустимой их перегрузки. Выключатели нагрузки на отходящих линиях 6— 10 кВ позволяют без затруднений производить переключения в сети высокого напряжения.

мА, что позволяет подключить к каждому ныходу МП только одну ТТЛ-схему. Регистр К589ИР12 выполнен по технологии ТТЛ и его входной ток 0,25 мА, а выходной —- 15 мА. Для использования МБР в качестве буфера устанавлп! ляющих сигналов: ВР = О, ВК =

Большое Rax свидетельствует о том, что практически на входе ОУ не потребляется энергия от источника сигнала, что ко входу ОУ может быть подключен источник сигнала с любым внутренним сопротивлением. Очень малое сопротивление Нвых позволяет подключить к выходу ОУ низкоомную нагрузку, при этом потери мощности на выходном сопротивлении ОУ будут незначительны.

DSP56009. Высокопроизводительный процессор, предназначенный для разнообразных цифровых аудио-приложений, требующих больших объемов памяти и высокой производительности. На базе этого процессора можно создавать, например, цифровые театральные системы. Основные характеристики процессора: производительность — 40 MIPS на частоте 80 МГц; ПЗУ программ — 10240 х 24; ОЗУ программ — 512 х 24; ОЗУ данных X — 4608 х 24; ОЗУ данных Y — 4352 х 24; ПЗУ данных X — 3072 х 24; ПЗУ данных Y — 1792 х 24; загрузочное ПЗУ — 64 х 24. Оперативная память объемом 2304 х 24 в блоках X и Y может быть использована как память программ. Интерфейс SAI организован также, как в DSP56004, SHI позволяет реализовать режим ведущего и поддерживает 8-, 16- и 24-разрядные слова. Интерфейс EMI позволяет подключить память DRAM (один или два кристалла) с организацией: 64К х 4, 256К х 4, 4М х 4; SRAM (один или четыре кристалла); устанавливается ширина шины данных 4 или 8 бит; данные могут быть шириной 8-, 12-, 16-, 20- или 24-бита. Процессор по выводам совместим с процессорами DSP56004/DSP56007.

Меню, в частности, позволяет подключить требуемую внешнюю программу (команда ИНСТРУМЕНТЫ). При этом указываются ( 2.10) имя программы, путь к программе, рабочая папка программы и параметры командной строки. Кроме того, указывается семейство DSP, для которого будет использоваться данная программа.

Источник электропитания ИП выполнен на основе самовозбуждающегося преобразователя, переходящего в режим синхронизации от схемы управления (см. § 4.4). Выходная мощность БУ позволяет подключить к нему до пяти силовых модулей одновременно.

Пакет программ БТМД позволяет пользоваться специальными макрокомандами: Открыть и Закрыть, соответственно инициирующей и прекращающей сеанс связи через канал передачи данных; Читать, опрашивающей терминалы путем сканирования или по заданному адресу и в случае наличия подготовленного сообщения, принимающего его в ЭВМ; Писать, передающей сообщение адресуемому терминалу.

Во многих случаях можно пренебречь токами смещения и влиянием вихревых токов. Это позволяет пользоваться уравнениями:

Многообразие спуско-подъемных агрегатов определяется не только кинематическими особенностями, но и различными требованиями к основным параметрам агрегата в зависимости от класса и исполнения, регламентируемыми ГОСТ 16293—70 и ОСТ 26-02-807—73. В соответствии с изменением, внесенным в Государственный стандарт в 1976 г., за основу классификации буровых установок принята глубина скважины (допускается увеличение глубины на 10% по сравнению с расчетной). Для выбора и расчета электропривода решающее значение имеют максимальные систематические нагрузки, обусловленные наибольшей массой бурильной колонны, подвешенной на крюке, допустимой при нормальной длительной работе подъемной системы. В новом стандарте сохранено прямое соответствие между основным параметром (глубина) и систематической нагрузкой (определено, что средняя масса 1 м колонны составляет 30 кг), что позволяет пользоваться в книге понятием номинальная грузоподъемность установки, понимая под ней максимально возможную нагрузку на крюке от массы колонны1. К регламентируемым параметрам спуско-подъемного агрегата (табл. 1) относится максимальная грузоподъемность, соответствующая несистематической (нерегулярной) нагрузке, которая может возникнуть при работе установки, не нарушая ее прочности. Кратковременность приложения нагрузки составляет приблизительно 1 мин. Отношение максимальных несистематических и систематических нагрузок для установок различных классов составляет от 1,6 до 2,2, поэтому обычно максимальная грузоподъемность может быть обеспечена за счет перегрузочной способности электропривода.

Для определения коэффициента ? в (9-328) следует подставить ЬСт/Ьп2=0,9 и 7ал = 30 См/мкм (вместо уал=27 См/мкм), при этом числовой коэффициент получается равным 0,735, что позволяет пользоваться формулой (9-329).

Пренебрежение насыщением магнитной цепи и потерями в стали позволяет пользоваться линейной зависимостью между потоками и МДС. Результирующий поток нескольких контуров в этом случае можно определить как сложением МДС контуров и нахождением его по результирующей МДС, так и сложением потоков, созданных каждой МДС в отдельности. При отсутствии потерь в стали потоки совпадают по фазе с создающими их МДС и токами. Пренебрежение высшими гармоническими составляющими потока облегчает математическое исследование электрических машин.

Электростатическое поле в ди.--, электрике при отсутствии .свободных объемных зарядов .описывается уравнением Лапласа. Поэтому если две одинаково .ограниченные области — проводящая (без сторонних э. д. с.) и диэлектрическая (без свободных зарядов) имеют на граничной поверхности одинаковое распределение потенциала, то внутри каждой из этих областей распределение потенциала будет также одинаковым. с>то обстоятельство позволяет пользоваться формулами, полученными при: расчете электростатических полейь в случае поля постоянного тока. При этом емкость необходимо заменить проводимостью, абсолютную диэлектриче-

Для определения коэффициента в (9-328) следует подставить ЬСт/&п2=0,9 и •уал = 30 См/мкм (вместо 7ал=27 См/мкм), при этом числовой коэффициент получается равным 0,735, что позволяет пользоваться формулой (9-329) .

т. е. токи зарядки бесконечно малы и постоянны. Это позволяет пользоваться зависимостями, установленными для электростатического поля, и пренебречь потерями и энергией магнитного поля, так как энергия тепловых потерь и энергия магнитного поля, пропорциональные квадрату тока, будут бесконечно малыми второго порядка, а излучение при постоянном токе отсутствует.

Электростатическое поле в диэлектрике при отсутствии свободных объемных зарядоЕ описывается уравнением Лапласа. Поэтому если две одинаково ограниченные области: проводящая (без сторонних э. д. с) и диэлектрическая (без свободных зарядов) имеют па граничной поверхности одинаковое распределение потенциала, то внутри каждой из этих областей распределение потенциала будет также одинаковым. Это обстоятельство позволяет пользоваться формулами, полученными при расчете электростатических полей, в случае поля постоянного тока. При этом емкость необходимо заменит!) проводим эстью, абсолютную диэлектрическую проницаемость замен: ть удельной проводимостью.

Например, в краткосрочных расчетах необходимо учитывать явление неустановившегося режима в бьефах ГЭС, что не позволяет пользоваться кривыми 2Вб(Увб) и 2Нб(Снб), построенными для условий установившегося режима.

Введение понятия дифференциального сопротивления позволяет пользоваться выражением ;;ля закона Ома применительно к приращениям напряжений на НЭ и токов через нее в пределах, соответствующих линейному участку его вольт-амперной характеристики.



Похожие определения:
Полупроводника существует
Позволяет минимизировать
Позволяет обнаружить
Позволяет ограничиться
Позволяет передавать
Позволяет практически
Позволяет проанализировать

Яндекс.Метрика