Распределены равномерно

Поскольку энергия от статора к ротору передается индуктивно через статорную перегородку, в ней возникают необратимые потери, достигающие 17 % мощности привода. Довольно большие потери расходуются на трение ротора о воду. В связи с этим суммарный КПД электронасоса не велик — менее 69%. В ГЦН-3101 суммарные потери составляют около 560 кВт и распределяются следующим образом: в статорной перегородке — 317 кВт; при трении о воду — 90 кВт; в обмотке статора, активном железе и роторе— 153 кВт.

мотки отказы распределяются следующим образом (%): межвйт-ковые замыкания — 93, корпусная изоляция — 2, межфазная изоляция — 5. Ознакомимся с математическими моделями для межвитковой изоляции.

мотки отказы распределяются следующим образом (%): межвит-ковые замыкания — 93, корпусная изоляция — 2, межфазная изоляция — 5. Ознакомимся с математическими моделями для межвитковои изоляции.

На 7-14 представлен примерный энергетический баланс печи для плавки в гарниссаже [Л. 41]. Статьи баланса распределяются следующим образом: Рк.изл —поте-ри расходуемого электрода излучением, воспринимаемые стенками камеры печи; Яа.изл — потери ванны жидкого металла излучением, также воспринимаемые стенками камеры; Ра.конв — конвективные потери ванны жидкого металла через гар-ниссаж, отводимые водяным охлаждением ТИГЛЯ. МОЩНОСТИ РК.ШОЛ,

ч. По данным американских специалистов Адамса и Киркби, доложенным на 9-м Мировом нефтяном конгрессе, доказанные извлекаемые запасы природного газа в мире оценены в 65 трлн. м3. Между отдельными регионами они распределяются следующим образом х:

В 1973 г. специалисты США произвели оценку запасов «сланцевого масла». Они учитывали лишь сланцы, залегающие на глубине до 1000 м, так как разработка сланцев и извлечение из них «масла» на большей глубине считаются нерентабельными. По их оценке запасы «сланцевого масла» (при рентабельности извлечения) распределяются следующим образом (в млрд. т): в Африке — 15,5, в Азии — 14,0, в Западной Европе — 10,9, в Северной Америке — 60,6 и в Южной Америке — 124.

Достоверные запасы урина капиталистических стран в рудах, рентабельных для разработки при цене 22 долл/кг U308, к началу 1976 г. оценивались в 2420 тыс. т Ч Эти запасы распределяются следующим образом (в тыс. т): США— 600; Австралия — 480; Швеция — 400; ЮАР — 340; Канада — 220; Франция — 80; Нигер — 70; Алжир — 35; Габон — 25; Аргентина — 20; Испания — 10; прочие страны — 1402. Предполагается, что этих запасов урана для капиталистических стран хватит до середины 80-х годов. Видимо, будет начата разработка месторождений, рентабельных при цене 20—30 долл/кг U308. В резерве есть запасы урана на месторождениях, разработка которых будет рентабельна при цене от 30 до 60 долл/кг U308.

Косвенные расходы распределяются следующим образом:

Шесть попаданий в интервал (-5, +10) образуются попаданием +6 (1 раз), + 7 (1 раз), +8 (1 раз), +9 (2 раза), —10 (2 раза по 1,2 случая). В общем случае вероятности распределяются следующим образом:

Представляют интерес эксплуатационные показатели работы АЭС в такой индустриально развитой капиталистической стране, как ФРГ. В ФРГ затраты на производство электроэнергии на АЭС распределяются следующим образом: 47% — капитальная составляющая; 30% — затраты на топливо; 23% — эксплуатационные

Представляют интерес эксплуатационные показатели работы АЭС в такой индустриально развитой капиталистической стране, как ФРГ. В ФРГ затраты на производство электроэнергии на АЭС распределяются следующим образом: 47% — капитальная составляющая; 30% — затраты на топливо; 23% — эксплуатационные

При отсутствии напряжения (U = 0) основные и неосновные носители распределены равномерно в объеме полупроводника ( 10.5). При указанной на 10.6 полярности напряжения (U > 0) в слое полупроводника на его границе с вакуумом под действием электрического поля концентрация электронов возрастает. Одновременно снижается концентрация дырок за счет усиления рекомбинации. Остальная часть полупроводника остается электрически нейтральной. Пограничный слой с избытком основных носителей называется обогащенным слоем. Его удельная проводимость велика.

Тепловыделение, теплопередача и теплоотдача в конденсаторах определяют распределение температуры внутри конденсаторов, превышение температуры их внутренних частей над температурой окружающей среды, что влияет на безотказность и долговечность конденсаторов. Большинство конденсаторов ЕН имеют форму прямоугольного параллелепипеда, а большую долю внутреннего объема занимает пакет секций [3.5], как показано на 3.13, а, б. При решении задачи распределения температур приближенно принимают допущение о том, что пакет секций представляет собой сплошную среду с границей Г1 (заштрихованная область на 3.13, в). Полагают также, что в активном объеме внутренние источники тепла распределены равномерно. Коэффициенты теплопроводности

Рассмотрим схематически образование p-n-перехода при соприкосновении двух полупроводников с различными типами электропроводности ( 1.1). До соприкосновения в обоих полупроводниках электроны, дырки и неподвижные ионы были распределены равномерно ( 1.1, а).

Автоматическое регулирование температуры в термостате осуществляется либо отключением части нагревательных элементов, когда температура достигает заданного верхнего предела, либо включением этих элементов когда температура достигает заданного нижнего предела регулирования. Отключаемые элементы (обычно не более трети общего числа элементов в термостате) должны быть распределены равномерно по термостату.

При отсутствии напряжения (U = 0) основные и неосновные носители распределены равномерно в объеме полупроводника ( 10.5). При указанной на 10.6 полярности напряжения (U > 0) в слое полупроводника на его границе с вакуумом под действием электрического поля концентрация электронов возрастает. Одновременно снижается концентрация дырок за счет усиления рекомбинации. Остальная часть полупроводника остается электрически нейтральной. Пограничный слой с избытком основных носителей называется обогащенным слоем. Его удельная проводимость велика.

При отсутствии напряжения (U = 0) основные и неосновные носители распределены равномерно в объеме полупроводника ( 10.5). При указанной на 10.6 полярности напряжения (U > 0) в слое полупроводника на его границе с вакуумом под действием электрического поля концентрация электронов возрастает. Одновременно снижается концентрация дырок за счет усиления рекомбинации. Остальная часть полупроводника остается электрически нейтральной. Пограничный слой с избытком основных носителей называется обогащенным слоем. Его удельная проводимость велика.

Коэффициент магнитной проводимости пазового рассеяния. Предположим, что в пазу с высотой ftn расположено /Vn проводников однослойной обмотки ( 5.2). Примем следующие допущения: проводники с током распределены равномерно по всей площади поперечного се-

Рассмотрим влияние пространственного распределения стержней демпферной обмотки на токи в стержнях и на ток обмотки статора при В КЗ. Схема полной демпферной обмотки приведена на 7.10. На полюсном делении стержни распределены равномерно. Полагаем, что В КЗ произошло при у = 0. Кривая 1 тока статора первого периода показана на 7.11. Кривые изменения токов в стержнях демпферной обмотки приведены на 7.12. Нумерация кривых соответствует нумерации стержней на 7. 10. Расчеты показывают, что амплитуды токов в отдельных стержнях демпферной обмотки примерно равны.

Пока между полупроводниками нет контакта, подвижные носители заряда в них — электроны в полупроводнике л-типа и дырки в полупроводнике р-типа распределены равномерно по всему объему полупроводника. Также равномерно распределены и неподвижные ионы доноров и акцепторов ( 13, а). Расположение уровней донорных и акцепторных примесей приведено на 13, б.

Если магнитные линии распределены равномерно по всей поверхности s, элементы которой перпендикулярны линиям вектора магнитной индукции, получим

Если исток заземлен ((/и = 0) и считается, что заряды Qn и Q/>o распределены равномерно, то выражение (3.59) упрощается: