Распределения потенциала

Если известен дифференциальный закон распределения погрешности А, т. е. плотность вероятности /(А), то

где для общности принято Х0 --= Xmln, Х„ — Х,„ах, а ~ 1/12 или I/O в зависимости от плотности распределения погрешности квантования (равномерный закон или аакон Симпсона).

где (14 — оценка четвертого центрального момента распределения погрешности:

Если это неравенство выполняется, то закон распределения погрешности считают отличным от нормального.

Пусть требуется установить, что АП I ^s Ап. д, где Ап. д — предел допускаемого значения погрешности поверяемого прибора. Будем считать, что если Z \ ^ ^ Ап. д, то прибор годен, если Z\ у> АИ. д, то негоден. Очевидно, что такая методика дает правильный результат, если 'образцовый прибор абсолютно точен. Его неточность и приводит к браку поверки. При известных плотностях распределения погрешности поверяемого и образцового приборов в работе 166] получены соотношения для вероятностей брака поверки. Вероятность брака поверки первого рода

— X + А, при X = const имеет распределение, отличающееся от распределения погрешности только математическим ожиданием.

где /Сэ — энтропийный коэффициент, значение которого однозначно определяется видом закона распределения погрешности А, а о — ее среднее квадратическое отклонение.

где Д (X) и а (X) — соответственно оценка систематической составляющей и среднего квадратического отклонения центрированной составляющей результирующей многочленной погрешности; k (P) — коэффициент, зависящий от доверительной вероятности и закона распределения погрешности.

Результат измерения х, который на основании (1.1) равен сумме истинного значения X измеряемой величины и погрешности А, т.е. х = = X + А, »ри X = const имеет распределение, отличающееся от распределения погрешности только математическим ожиданием.

где Лэ — энтропийный коэффициент, значение которого однозначно определяется видом закона распределения погрешности А, а а — ее среднее квадратическое отклонение.

где А (X) и 0 (X) — соответственно оценка систематической составляющей и среднего квадратического отклонения центрированной составляющей результирующей многочленной погрешности; k (P) — коэффициент, зависящий от доверительной вероятности и закона распределения погрешности.

Добавочные полюсы компенсируют поток реакции якоря только в междуполюсном пространстве. Зне этого пространства реакция якоря продолжает искажать основное поле. Это приводит к резкой ра"знице между э.ц.о., наведенными в соседних секциях обмотки якоря, что может вызвать искрение коллектора из-за неравномерного распределения потенциала на его поверхности.

вает большие значения токов в проводящем направлении и ничтожно малые — в обратном. Такой диод обладает выпрямительными свойствами. Диэлектрические триоды в отличие от диодов .имеют третий электрод, аналогичный сетке в электровакуумном Tpf оде. Этот электрод помещают вне диэлектрика, что обеспечивает изменение распределения потенциала в последнем.

Для получения аналитической зависимости удельного сопротивления слоя от тока и напряжения рассмотрим бесконечный тонкий слой, толщина которого много меньше расстояния между зондами: u><0,4s. При соблюдении этого соотношения можно считать, что распределение тока и потенциала в слое двумерное. Тогда, учитывая цилиндрическую симметрию распределения потенциала, получаем решение двумерного уравнения Лапласа

3.17. В плоскопараллельном диоде, электроды которого удалены друг от друга на расстояние d, существует постоянное распределение плотности объемного заряда р. Пусть потенциал анода относительно катода положительный. Используя уравнение Пуассона, получите выражение для распределения потенциала между электродами.

4.1. Изобразить примерную кривую распределения потенциала между катодом и анодом в триоде для разных напряжений управляющей сетки и при постоянном положительном напряжении анода в направлениях «через виток» и «между витками» (в отсутствие и при наличии объемного заряда).

4.2. Изобразить примерную кривую распределения потенциала между катодом и анодом в триоде для разных анодных напряжений и постоянного отрицательного напря-

В другом типе диэлектрического транзистора ( 9.29) затвор находится вне диэлектрика CdS; его роль сводится к изменению распределения потенциала в диэлектрике, что существенно влияет на значение тока. Распространение получили транзисторы с изолированным затвором структуры МОП (металл — окисел — полупроводник) или МДП (металл--диэлектрик — полупроводник) .

Рассмотрим простейший случай решения задачи распределения потенциала электрического поля внутри замкнутой области S, ограниченной кривой С ( 1.20, а), если на границе области С потенциал и0 известен. Подобная задача относится к задаче Дирихле для уравнения Лапласа (1.31).

При моделировании поля иногда возникает необходимость более детального изучения распределения потенциала в отдельных частях пространства. В этом случае строится сетка с переменным шагом, причем шаг выбирается меньшим в тех участках, где требуется произвести более точный анализ поля (например, в местах ожидаемого резкого изменения потенциала). При использовании сеток с крупным и мелким шагами большие и малые области рассматриваются отдельно и соединяются вместе специальными переходными участками в узловых точках. Общее требование к переходным участкам состоит в том, чтобы каждый участок отображал возможно большую площадь или объем с наименьшим числом компонентов при наибольшей детализации пространства, покрытого мелкой сеткой.

Блок-схема ЭЭМ, позволяющего наблюдать картину распределения потенциала на поверхности образца при наличии микрополей, показана на 3.14. С помощью такого ЭЭМ можно получить разрешение по толщине 0,5 мк при увеличении в несколько сотен раз.

тока /2 вызывает увеличение потенциала на величину /2г2, вследствие чего потенциал точки В возрастает и по отношению к земле определится отрезком ЬВ. Переход через источник электрической энергии Ак2 в направлении, противоположном действию э. д. с. Ez, сопровождается снижением потенциала на ее величину и одновременным повышением на величину /2ro, так как ток /2 направлен противоположно принятому направлению обхода электрической цепи. Последний переход через источник электрической энергии Ак1 с учетом направлений э. д. с. EJ и тока /j приводит к одновременному повышению потенциала на величину EJ и уменьшению его на величину I^TQ, вследствие чего график распределения потенциала вновь возвращается к исходному нулевому потенциалу то<::ки А.