Распространенных вариантов

дифференцирования и итегри-рования. Ограничимся рассмотрением общих принципов построения наиболее распространенных элементов счетно-решающих устройств на ПТ, предназначенных для выполнения операций с векторами.

Пленочные конденсаторы. Такие конденсаторы относятся к числу наиболее распространенных элементов ГИС. Конструктивно пленочные конденсаторы представляют собой трехслойную структуру металл — диэлектрик — металл (МДМ) и состоят из нижней и верхней обкладок, разделенных слоем диэлектрического материала.

Кабельные линии. Кабели являются одним из самых распространенных элементов в цеховых электрических сетях. Внутри зданий и сооружений промышленных предприятий применяются следующие виды кабельной прокладки: 1) открытая — по стенам и поверхностям строительных конструкций; 2) открытая и скрытая — в метал-

Условные обозначения наиболее распространенных элементов электрических

Условные обозначения наиболее распространенных элементов электрических

Одним из наиболее распространенных элементов УПТ является генератор тока ( 4.20, а). Как видно из рисунка, транзистор VI, включен диодом, а напряжение между базой и эмит-

Одним из наиболее распространенных элементов современных автоматов является реле, которое обеспечивает скачкообразное изменение выходного сигнала при подаче на вход управляющего сигнала.

Кремний — один из наиболее распространенных элементов на земле: содержание его в земной коре составляет 27,7 % (по массе). Недефицитность кремния обеспечивает неограниченную возможность расширения его производства по сравнению с другими полупроводниками, относящимися к рассеянным элементам (германий) или содержащими их в своем составе (полупроводниковые соединения AUIBV). По этим причинам технология монокристаллического кремния наиболее разработана и можно надеяться, что и в обозримом будущем он сохранит свое ведущее положение среди полупроводниковых материалов.

Кремний. В противоположность германию кремний является одним из самых распространенных элементов в земной коре; его содержание в ней около 29 %. Однако в свободном состоянии в природе он не встречается, а имеется только в соединениях в виде окис-

Транзистор явля:тся одним из наиболее распространенных элементов бескон- 7.19. Ключевая схе- тактных переключающих устройств. Режим на на транзисторе работы транзистора в переключающем

Условные обозначения наиболее распространенных элементов электрических машин и аппаратов при отсутствии напряжения во всех цепях и внешних механических воздействий на аппараты приведены в табл. 16-1. В этом «нормальном» положении элементы должны изображаться в схемах автоматического управления.

Один из широко распространенных вариантов конструкции — бескорпусные транзисторы с шариковыми или столбиковыми выводами. При изготовлении транзисторов на контактных площадках, расположенных в четырех углах на поверхности кристалла, формируются выступы шаровидной или цилиндрической формы ( 1.14, в). Диаметр этих выступов порядка 150 мкм, допустимая разновысотность не больше =t 5 мкм. Присоединение таких бескорпусных приборов производится методом обращенного кристалла; кристалл опускается на поверхность подложки пленочной микросхемы так, чтобы каждый из контактных выступов располагался в середине соответствующей ему контактной площадки. Шариковые контакты сделаны из припоя, поэтому прогрев кристалла до расплавления припоя (около 210° С) позволяет получить механическое и электрическое соединение бескорпусного прибора со структурой пленочной микросхемы. Метод шариковых (столбиковых) контактов в принципе позволяет осуществить автоматизацию наиболее трудоемкой операции в процессе' изготовления гибридно-пленочных микросхем.

Один из наиболее распространенных вариантов потенциало-скопа — запоминающая трубка с барьерной сеткой — показан на 7-25.

Близкое к идеальному времязадающее напряжение на базе транзистора можно получить, если использовать вместо /?С-цепи импульсный мостовой элемент (ИМЭ), один из наиболее распространенных вариантов которого приведен на 6.15. Работа моста основывается на том, что после отпирания диода резко уменьшается постоянная времени заряда конденсаторов ИМЭ и напряжение на выходе моста

и тот же ток. Существуют разнообразные способы соединения транзисторов, каждый из которых может быть включен по той или иной схеме (ОБ, ОЭ, ОК). Один из широко распространенных вариантов каскодной схемы (ОЭ — ОБ) приведен на 17.7. В данной схеме входное напряжение подается на участок база — эмиттер транзистора VT1, включенного по схеме с ОЭ. Выход-" ное напряжение снимается с участка коллектор — база транзистора.VT2, включенного по схеме с ОБ. Такое соединение можно рассматривать как одно целое, т. е. как 17.7. Каскодная вариант составного транзистора. Очевидно, схема усилителя что в данной схеме ток эмиттера транзистора VT2 равен току коллектора транзистора VT1. Поэтому

Существуют различные конструкции запоминающих трубок. ОДИН ИЗ Наиболее распространенных вариантов показан на 21.16. В трубке имеются катод 9, обычный электронный прожектор 8 и отклоняющие пластины 7. В широкой части баллона находится металлическая пластина 1 — сигнальный электрод, на который нанесен слой диэлектрика 2, образующий так называемую

Один из наиболее распространенных вариантов потенциало-скопа — запоминающая трубка с барьерной сеткой — показан на 7-25.

Одним из наиболее распространенных вариантов такого преобразователя является АЦП двухтактного интегрирования ( 3.9,а).

Защита от потери возбуждения на основе измерения сопротивления на выводах генератора уже применяется на станциях [17]. Существующие защиты имеют характеристику срабатывания реле в виде окружности, смещенной в область отрицательных X. Разными авторами рекомендуются различные радиусы окружности и ее смещение по оси X. На 8.16 указан один из наиболее распространенных вариантов с окружностью, проходящей через точки Ха и Xd". (На рисунке представлена только одна половина этой окружности.) Защита сработает, если сопротивление, измеренное на выводах генератора, попадает внутрь этой окружности. При такой настройке возможны неверные действия защиты. Это следует из диаграммы 8.15. Эксплуатация защиты и ее экспериментальные исследования подтверждают это заключение [17]. Именно этим обстоятельством и объясняется стремление многих авторов отстроиться от ложного действия защиты путем разных рекомендаций относительно радиуса окружности и ее смещения по оси X.

Высокочастотные полевые транзисторы находят применение в данной области, как правило, для управления электродвигателями постоянного тока, работающими от источников постоянного напряжения ( 6.5). Одним из наиболее распространенных вариантов применения здесь является автомобильная электроника, ориентированная на работу от постоянного напряжения 12 В, обеспечиваемого аккумуляторной батареей. Эффективно используются высокочастотные МДП-транзисторы также в схемах управления шаговыми двигателями и безщеточными двигателями постоянного тока.

Для повышения наглядности поведения автоматов большинство современных САПР поддерживает задание этого поведения в графической форме. Описание в виде схемы переходов (диаграммы состояний) становится одним из самых распространенных вариантов задания автоматов (в английской терминологии State Machins). Графические редакторы для создания автоматов включаются в состав средств задания исходных проектов современных САПР (например, в САПР Foundation фирмы Xilinx разработки фирмы Aldec). Фирма Mentor Graphics для создания текстов на языках VHDL или Verilog предлагает использовать специальный набор графических редакторов под названием Renoir (с 2001 года HDL Designer Series). Редактор позволяет создавать в графической форме описания не только автоматов, но и других форм задания поведения проектов.

В целях регулирования скорости асинхронных электроприводов применяются также дроссели насыщения. Как и в приведенной ранее схеме ( 3-11), где в качестве регулирующего аппарата использовался магнитный усилитель, в схеме асинхронного электропривода ( 3-20,а) изменение напряжения на двигателе осуществляется путем изменения подмагничивания дросселя насыщения в цепи статора двигателя. На указанном рисунке приведен один из наиболее распространенных вариантов асинхронного электропривода. Здесь трехфазный дроссель насыщения ДН включен в цепь статора. В цепь ротора введено дополнительное активное сопро-130