Резистивно емкостной

В неразветвленной цепи ( 2.23) при действии источника синусоидальной ЭДС е - Emsin(ut + Фе) ток также синусоидален: / = - Jmsin(o;/ + ф.) и напряжения на резистивном, индуктивном и емкостном элементах

При известном комплексном токе в цепи комплексные напряжения на резистивном, индуктивном и емкостном элементах рассчитываются соответственно по (2.29), (2.32), (2.36).

2.13. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В РЕЗИСТИВНОМ, ИНДУКТИВНОМ И ЕМКОСТНОМ ЭЛЕМЕНТАХ

где учтено, что по закону Ома If = gU, IL = ~jb, U> 1„ -jb^, U — комплексы токов в резистивном, индуктивном и емкостном элементах;

2.! 3 Энергетические процессы в резистивном, индуктивном и емкостном

§ 2.3. Синусоидальный ток в резистивном, индуктивном и емкостном элементах

Рассмотрение синусоидальных токов и напряжений в резистивном, индуктивном и емкостном элементах (см. табл. 2.1) позволяет для линейных цепей синусоидального тока обобщить законы Ома и Кирхгофа и представить их в форме, приведенной в табл. 2.2, где Zk = Rk +

§ 2.3. Синусоидальный ток в резистивном, индуктивном и емкостном

В неразветвленной цепи ( 2.23) при действии источника синусоидальной ЭДС е =?'OTsin(cof + \j/g) ток также синусоидален: i = - ^OTsin(w/ + ф.) и напряжения на резистивном, индуктивном и емкостном элементах

При известном комплексном токе в цепи комплексные напряжения на резистивном, индуктивном и емкостном элементах рассчитываются соответственно по (2.29), (2.32), (2.36).

2.13. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В РЕЗИСТИВНОМ, ИНДУКТИВНОМ И ЕМКОСТНОМ ЭЛЕМЕНТАХ

2.13. Схема замещения усилите- 2.14. Амплитудно-частотная ха-ля на биполярном транзисторе с ре- рактеристика усилителя напряжения зистивно-емкостной связью с резистивно-емкостной связью

§ 6.1. Усилители напряжения с резистивно-емкостной связью

В гл. 5 были рассмотрены усилительные каскады с общим эмиттером и общим истоком, которые имеют коэффициент усиления по напряжению, как правило, равный нескольким десяткам. Однако для многих устройств промышленной электроники требуются усилители с более высокими коэффициентами усиления по напряжению. В этих случаях используют многокаскадные усилители, в том числе усилители с резистивно-емкостной связью. На 6.1 приведена схема двухкаскадного усилителя напряжения с резистивно-емкостной связью на биполярных транзисторах типа п-р-п. Усилитель состоит из двух усилительных каскадов с общим эмиттером, соединенных между собой через конденсатор связи Cci, включенный между коллектором транзистора 7\ и базой транзистора Т2. Конденсатор СС1 не пропускает постоянную составляющую коллекторного

§ 6.1. Усилители напряжения с резистивно-емкостной связью

В каждом усилительном каскаде применена эмиттерная темпера -, турная стабилизация, обеспечиваемая элементами R3 и Сэ. На 6.2 приведена схема замещения транзисторного Двух каскадного усилителя напряжения с резистивно-емкостной связью без нагрузочного устройства, поэтому на схеме не показан конденсатор связи СС2. Емкостный элемент С0 учитывает входную емкость Свх второго каскада (5.8а) и емкость монтажа См :

6.1. Схема двухкаскадного усилителя напряжения с резистивно-емкостной связью на биполярных транзисторах

6.2. Схема замещения транзисторного двухкаскадного усилителя напряжения с резистивно-емкостной связью ,

6.3. Эквивалентная схема усилительного каскада с резистивно-емкостной связью

Учитывая, что RBn—RBb!^ выражение для коэффициента усиления по напряжению каскада усилителя с резистивно-емкостной связью можно записать в виде

ными /Си=/(й>) и фазочастотными ф=/(о>) характеристиками. Эти характеристики для усилителя с резистивно-емкостной связью приведены на 6.4, а, б.

ристики усилителя напряжения с резистивно-емкостной связью ,^,