Состоянию поверхности

теля к исходному состоянию (размагниченному'состоянию или состоянию насыщения определенного знака).

закрытым транзистор VT2. Когда сердечник трансформатора приближается к состоянию насыщения, скорость нарастания магнитного- потока снижается. Уменьшается и ЭДС, наводимая в обмотках Шос и Шос. После насыщения сердечника трансформатора сопротивление его переменному току падает и все напряжение Ui'^E прикладывается к транзистору VT1 Его коллекторный ток возрастает и тем самым выводит транзистор из состояния насыщения (прямая 2 на 14.18, б). Действительно, построение нагрузочной прямой / (см. правила построения нагрузочной прямой в § 5.7) соответствует углу наклона
Этот метод характеризуется быстрым переходом носителя из состояния насыщения одного знака в состояние насыщения другого знака при записи одного из двоичных знаков. Метод является потенциальным, так как на записывающую головку подаются сигналы непосредственно с триггерных схем. По сравнению с рассмотренными импульсными методами записи, для которых характерно возвращение носителя к- исходному состоянию (размагниченному состоянию или состоянию насыщения определенного знака), метод записи с переключением потока позволяет сократить вдвое частоту переключения тока в записывающей головке и тем самым повысить плотность записи.

Этот метод характеризуется быстрым переходом носителя из состояния насыщения одного знака в состояние насыщения другого знака при записи одного из двоичных знаков. Метод является потенциальным, так как на записывающую головку подаются сигналы непосредственно с триггерных схем. По сравнению с рассмотренными импульсными методами записи, для которых характерно возвращение носителя к исходному состоянию (размагниченному состоянию или состоянию насыщения определенного знака), метод записи с переключением потока позволяет сократить вдвое частоту переключения тока в записывающей головке и тем самым повысить плотность записи.

Влагостойкостью называется способность изоляции к надежной эксплуатации при нахождении в атмосфере, близкой к состоянию насыщения водяным паром.

Влагопоглощаемость — способность изоляционного материала сорбировать воду при длительном нахождении -в атмосфере, близкой к состоянию- насыщения водяным паром.

Векторные диаграммы 33-1 — 33-4 справедливы для любого установившегося режима работы синхронного генератора, если в каждом случае пользоваться значениями параметров хаа, xaq или Ха, xq, соответствующими реальному состоянию насыщения магнитной цепи в рассматриваемом режиме работы. Однако при различных режимах работы насыщение магнитной цепи различно и определение точных насыщенных значений указанных параметров связано с определенными трудностями. Подробнее этот вопрос изложен в § 33-3,

Диаграмма неявнополюсного генератора 33-4 действительна во всех случаях, если при ее построении использованы насыщенные значения параметров хаа и ха, соответствующие 'реальному состоянию насыщения магнитной цепи в данном режиме работы. Рассмотрим этот вопрос на примере 33-14 и 33-15, на которых для этой цели штриховыми линиями произведены допрлнительные построения.

Кривые /', показанные на 12.9 в координатах рТ (давление — температура) и pV (давление—мольный объем), называются кривыми насыщения (см. гл. 5). Точкам этих трех кривых отвечают такие пары значений р, Т и р, V, при которых две фазы, изображенные слева и справа от каждой кривой, находятся в равновесии. По мере того как температура насыщенной смеси возрастает при постоянном давлении (на р, V-диаграмме эти точки будут двигаться по горизонтали вправо), смесь становится ненасыщенной и способна воспринять больше водяного пара и сопутствующей ему скрытой теплоты, чтобы вернуться к равновесному состоянию насыщения. Количество скры-

дующей конденсацией пара приводит к восстановлению равновесного потока насыщенной воды или двухфазного потока с малым паросодержанием —давление и температура соответствуют состоянию насыщения. При подходе к выходной кромке вновь начинается парообразование, о чем свидетельствует падение давления и температуры. В сечении выходной кромки канала устанавливается определенное давление (pz), которое зависит от начальных параметров и будет тем больше, чем они

тура и давление соответствуют состоянию насыщения. Устанавливается критическое отношение давлений, значение которого близко к значению аналогичного отношения для насыщенного пара. В выходном сечении происходит полное заполнение канала пароводяной эмульсией. Такой режим течения имеет место в каналах с l/d^8 и при степени недогрева до насыщения А^н от 0 до 20° С. На основании сказанного можно рассмотреть

Процесс изготовления спиральных моментных пружин состоит из следующих этапов: проверка исходной проволоки по диаметру, пределу прочности, коэффициенту удлинения при растяжении, состоянию поверхности и электрическому сопротивлению; волочение (протягивание) проволоки; вальцевание (прокатка ленты); резка заготовок; навивка пружин; термообработка; разрезка и разделение пружин; старение; контрольные испытания.

На электротехнические заводы листы поставляются в термически обработанном состоянии. По состоянию поверхности сталь выпускается с травленой (Т) и с нетравленой (НТ) поверхностью. Поверхность листов должна быть гладкой, без ржавчины, отслаивающей окалины, налета порошкообразных веществ, препятствующих нанесению изоляции.

Метод модуляции проводимости в точечном контакте имеет ряд преимуществ по сравнению с другими методами, например с методом подвижного светового зонда: 1) не требует использования коллекторного контакта, нелинейность которого осложняет измерения; 2^ менее чувствителен к состоянию поверхности и позволяет измерять локальное время жизни, характерное для небольшой прикон-тактной области как на специальных образцах, так и непосредственно на слитках; 3) позволяет просто измерить температурную зависимость времени жизни носителей заряда. Метод используется для измерения времени жизни носителей заряда на кремнии, германии и других материалах в интервале от единиц до сотен микросекунд на образцах с удельным сопротивлением от 10~' до 102 Ом-см.

Низкочастотные составляющие шума чувствительны к состоянию поверхности полупроводникового прибора. Поэтому шум на частотах ниже /i несет более полную информацию о надежности ПП, чем на частотах выше /i. Плохие контакты, трещины и нарушения у переходов могут обнаруживаться измерением напряжения

На электротехнические заводы листы поставляются в термически обработанном состоянии. По состоянию поверхности сталь выпускается с травленой (Т) и с нетравленой (НТ) поверхностями. Поверхность листов должна быть гладкой, без следов коррозии, отслаивающейся окалины, налета порошкообразных веществ, препятствующих нанесению изоляции.

Заводы-изготовители могут поставлять медь в отожженном и неотожженном состоянии. К состоянию поверхности медных лент предъявляют определенные требования, так как от качества их поверхности зависит надежность герметизации корпусов приборов. Поверхность лент должна быть гладкой, чистой, без трещин, пузырей, грубых царапин, вмятин, раковин и расслоений.

К преимуществам ультразвуковой сварки можно отнести: невысокую температуру в зоне контакта, возможность соединения трудносвариваемых разнородных материалов (и даже диэлектриков) и невысокие требования к состоянию поверхности.

На электротехнические заводы листы поставляются в термически обработанном состоянии. По состоянию поверхности сталь выпускается с травленой (Т) и с нетравленой (НТ) поверхностью. Поверхность листов должна быть гладкой, без ржавчины, отслаивающей окалины, налета порошкообразных веществ, препятствующих нанесению изоляции.

К преимуществам ультразвуковой сварки можно отнести: невысокую температуру в зоне контакта, возможность соединения трудносвариваемых разнородных материалов (и даже диэлектриков) и невысокие требования к состоянию поверхности.

Полупроводниковые структуры и микросхемы на их основе весьма чувствительны к состоянию поверхности. В результате взаи--модействия поверхности полупроводников с кислородом, парами воды, кислотами и другими компонентами окружающей среды образуются разнообразные окислы, гидраты и другие соединения. Кроме того, существующие методы механической, химической и электрохимической обработок поверхности полупроводников приводят к нарушению кристаллической структуры и различным включениям.

Скорость поверхностной рекомбинации весьма чувствительна к состоянию поверхности. Адсорбция 'на этой поверхности посторонних молекул может резко изменить потенциал поверхности Ф8 и тем самым скорость поверхностной рекомбинации. Механическая обработка поверхности (шлифовка, полировка и др.), нарушая кристаллическую структуру поверхностного слоя, приводит к возникновению большого числа поверхностных рекомбинационных центров, способных резко увеличить скорость поверхностной рекомбинации. При травлении такой поверхности нарушенный слой удаляется и скорость поверхностной рекомбинации, как правило, падает.