Сопротивление последнего

Рассматриваемый усилитель ( 3.28) имеет малое входное сопротивление (поскольку ООС параллельная), что делает его особо пригодным в качестве усилителя тока. Если принять, что Kt усилителя при разомкнутой цепи общей ООС велик и источник входного сигнала имеет большое Rr, то Kioc будет

Активное сопротивление. Поскольку напряжение и ток в ^-элементе пропорциональны друг другу, при действии напряжения в виде ступенчатой или импульсной функций токи также будут иметь ступенчатую или импульсную форму.

питания и нагрузка (колебательный контур) являются общими для обеих ламп, ток первой гармоники и полезная мощность в критическом режиме получаются вдвое больше, чем в схеме с одной лампой. Оптимальное эквивалентное сопротивление контура в соответствии с (8.1) в этой схеме должно быть вдвое меньше, чем в схеме с одной лампой. Это удобно при работе на коротких волнах, так как при малых емкостях и индуктивностях контуров трудно обеспечить большое эквивалентное сопротивление. Поскольку с уменьшением эквивалентного сопротивления пропорционально возрастает потребляемая мощность, к. п. д. такой схемы остается таким же, как и в схеме на одной лампе. Для схемы с параллельным включением ламп очень важно, чтобы не только сами лампы имели одинаковые параметры, но и весь монтаж был симметричным. В противном случае наличие фазовых сдвигов на входах ламп приведет к заметному уменьшению полезной мощности.

При этом генерация возникает, как правило, на низких частотах, так как на них источник питания имеет наибольшее сопротивление (поскольку на выходе источника питания включены емкостные фильтры, сопротивление которых растет с уменьшением частоты) .

Действительно, при положительном приращении напряжения ega ток igt убывает, падение напряжения на контуре снижается, а потенциал второй сетки (по отношению к катоду) растет. Промежуток вторая сетка — катод ведет себя при этом как отрицательное сопротивление, поскольку производная

Поскольку активное сопротивление линий электропередачи и трансформаторов намного меньше реактивного, то, если не требуется высокая точность, в расчет можно брать только индуктивные сопротивления энергосистемы и трансформаторов подстанции.

При определении вторичной нагрузки сопротивление проводов от трансформатора напряжения до приборов, установленных на щите управления, не учитывают, поскольку это сопротивление относительно мало и незначительно влияет на вторичный ток. Однако сопротивление проводов создает дополнительную потерю напряжения; напряжение у зажимов измерительных приборов уменьшается и погрешность измерения увеличивается. Согласно ПУЭ потеря напряжения в проводах к счетчикам не должна превышать 0,5 %, а в проводах к щитовым измерительным приборам — 3 %. Обычно потеря напряжения значительно меньше. При определении потерь напряжения в проводах учитывают только их активное сопротивление, поскольку индуктивное сопротивление относительно мало. Из условия механической прочности сечение проводов не должно быть меньше 1,5 мм2 для медных проводов и 2,5 мм2 — для алюминиевых.

Для микросхем ТТЛ коэффициент разветвления ограничен выходным током в состоянии ?/вых. Когда на выходе существует ?^Ь1Х, входы подключенных к нему микросхем представляют высокое сопротивление, поскольку эмиттер-ные переходы смещены в обратном направлении.

стью. При этом оказывается возможным значительное снижение сопротивления в открытом состоянии, несвойственное МДП -транзисторам. Схемотехнически структуру ячейки IGBT можно представить комбинацией двух главных составляющих: управляющего МДП-транзи-стора и биполярного р-п-р-транзистора ( 2.26), соединение которых очень напоминает внутреннюю структуру упоминавшихся в первой главе побистора и каскадного BIMOS-клю-ча. При этом прямое напряжение на открытом ключе складывается из двух компонентов: напряжения на прямосмещенном эмиттерном переходе р-л-р-транзистора (так называемая диодная составляющая) и падения на сопротивлении проводящего канала и модулируемой п-области (так называемая омическая составляющая). Таким образом, в отличие от МДП-ключа прямое падение напряжения в рассматриваемой структуре, с одной стороны, не может быть меньше, чем пороговое значение диодной составляющей, а с другой стороны, оно пропорционально выходному току, умноженному на значительно меньшее промодулированное омическое сопротивление. Поскольку омическая составляющая расположена в базовой цепи p-n-p-транзистора, величину модуляции можно рассматривать как уменьшенное в SN раз сопротивление эпитаксиального гГ-слоя, где SN — коэффициент передачи базового тока биполярного транзистора. Данное представление прямого напряжения определяет его температурную зависимость, которая складывается из двух противоположных составляющих: отрицательного температурного коэффициента у диодной компоненты и положительного у омической. Как правило, в области рабочих токов, на которые проектируется структура IGBT, результирующий температурный коэффициент является положительным, сохраняя в данном приборе преимущества полевого транзистора. Очевидно, что уменьшения прямых падений напряжения на открытом IGBT можно достигать двумя путями: уменьшением омического сопротивления эпи-таксиальных слоев и увеличением коэффициента передачи тока SN дляр-л-р-транзистора. Первый путь имеет ограничения, связанные с геометрическими размерами л^-области, определяющими предельно допустимые напряжения на закрытом ключе. Значительное увеличение Вн огра-

При создании преобразователей сильноконцентрированного солнечного излучения следует учитывать условия оптического согласования СЭ с концентратором, а также обеспечить минимальное внутреннее сопротивление. Поскольку концентраторы с высоким значением Кс формируют обычно круглое изображение Солнца, то в этом случае целесообразно использовать СЭ с круглой светочувствительной площадкой. Наиболее короткий путь собирания фототока с круглой площадки — это радиальные токоотводящие полоски. Вся площадка окружается токосъемной шиной, к которой припаивается медный лепесток — внешний вывод солнечного элемента. Чтобы радиальные полоски располагались примерно на одинаковом расстоянии друг от друга (оптимальном с точки зрения собирания фототока по слою полупроводника между ними), их выполняют в виде отрезков между несколькими концентрическими полосками, как это видно из фотографии на 2.14. Опыт показывает, что часто именно сопротивление сетки оказывается ограничивающим фактором при попытках увеличить единичную выходную мощность сильноточных СЭ. Рассмотрим вначале особенности эквивалентной схемы СЭ с радиально-кольцевой контактной сеткой, как это сделано в работе [29].

ции одной из фаз'. Чтобы уменьшить ток в теле человека в этом случае, применяют защитные заземления корпусов электрооборудования ( 18.1, а). Тело человека, прикоснувшегося к корпусу, и защитное заземление включены параллельно, но сопротивление последнего значительно меньше (4—40 Ом) .

4) пренебрежем сопротивлением ферромагнитных участков магнитопровода, считая, что сопротивление последнего определяется только воздушным зазором; вследствие этого допущения характеристика намагничивания машины становится линейной;

ции одной из фаз. Чтобы уменьшить ток в теле человека в этом случае, применяют защитные заземления корпусов электрооборудования. Тело человека, прикоснувшегося к корпусу, и защитное заземление включены параллельно, но сопротивление последнего значительно меньше (4 — 40 Ом).

ции одной из фаз. Чтобы уменьшить ток в теле человека в этом случае, применяют защитные заземления корпусов электрооборудования ( 18.1, а). Тело человека, прикоснувшегося к корпусу, и защитное заземление включены параллельно, но сопротивление последнего значительно меньше (4-40 Ом).

Рассмотрим участок индуктора большой длины, на котором расположен стык ферромагнитной и немагнитной заготовок ( 12-8). Если индуктор многовитковый с постоянным шагом намотки, то в областях, отстоящих от стыка на расстояние , большее D!, напряженности поля будут одинаковы и равны поверхностной плотности тока в индукторе: Нте г = Нте2 ~-w'Ia; здесь w' - число витков па единицу длины. При одной и той же напряженности магнитного поля в зазоре магнитный поток первого участка будет больше, чем второго, так как магнитное сопротивление последнего меньше. Чтобы соблюдался принцип непрерывности магнитного потока, следует предположить, что часть его в зоне стыка заготовок должна ответвляться и выходить за пределы индуктора, пересекая обмотку. Ответвляющийся поток создает напряженность ЯиарХЗ у наружной поверхности обмотки, что ejco-ответствии с законом полного тока приводит к уменьшению напря-

Как видно из таблицы, металлы для проводников можно разбить на Две основные группы: с хорошей проводимостью и плохой а'дгезией к подложке или с плохой проводимостью и хорошей адгезией. Так как качество адгезии является важнейшей характеристикой, от которой зависит надежность схемы, то выбор металла определяется в первую очередь этим его свойством. Компромисс достигается применением двухслойных нленок. Наиболее широко используется пленка, состоящая из слоя хрома (0,01 мкм) и слоя золота — 2,5 мкм. Следует иметь в виду, что при этом происходит диффузия хрома в золото. В результате увеличивается удельное сопротивление последнего. Медь не используют для проводящего покрытия из-за склонности к окислению. Кроме хрома и золота для соединения используют также алюминий, обладающий удов-

Полупроводники обладают рядом качественных особенностей. Во-первых, характер электрической проводимости полупроводни-ков можно изменять путем введения примесей. При добавлении примеси в чистый металл удельное сопротивление образующегося сплава (манганина, нихрома и т. п.) больше удельного сопротивления каждого из компонентов, тогда как при добавлении примеси в чистый полупроводник его удельное сопротивление значительно уменьшается: например, 10~5% мышьяка в германии снижает сопротивление последнего в 200 раз.

по второму ?7ВХ2 — инвертирующим полярность входного сигнала. В самом деле: если на первый вход действует импульс положительной полярности ?/uxi> то он создает почти такой же амплитуды положительный импульс на общем эмиттерном резисторе Ra (так как транзистор VT1 включен по схеме эмиттерного повторителя). Этот импульс (приложенный в полярности: плюс на эмиттер транзистора VT2, минус на его базу) приводит к уменьшению тока через транзистор VT2, вследствие чего его внутреннее сопротивление увеличивается и на выходе появляется импульс положительной полярности, усиленный примерно в /С0 = RJRa раз. Если импульс положительной полярности поступает на второй вход ?/вх2, то он вызывает увеличение тока через транзистор VT2, вследствие чего внутреннее сопротивление последнего снижается и напряжение на выходе уменьшается (т. е. появляется импульс отрицательной полярности с амплитудой примерно в К0 = — RK/RZ раз большей чем входной импульс t/BX2)- Если сигналы действуют одновременно на обоих входах, то на выходе появляется усиленный сигнал их разности: ?/Вых := ^о (f^uxi— ^вхг)-Таким образом, данный усилитель —• разностный (дифференциальный) и выдает на выход усиленный разностный сигнал (исключая тем самым одинаковые — синфазные — составляющие входных сигналов).

Одна из схем У?С-автогенераторов приведена на 12.4. Этот автогенератор также содержит усилитель на транзисторе и цепь положительной обратной связи, являющейся частотно-зависимой RC-цепъю. Входное и выходное напряжение сдвинуты по фазе 180°. Если выходное напряжение, снимаемое с коллектора, непосредственно подать на вход усилителя, то получится отрицательная обратная связь. Следовательно, для соблюдения условия баланса фаз, прежде чем подать напряжение с выхода на вход, необходимо сдвинуть его по фазе еще раз на 180°. Эту задачу выполняет #С-цепь, состоящая из трех одинаковых /?С-звеньев, причем каждое /?С-звено сдвигает напряжение по фазе на 60°. Сопротивление последнего звена является суммой сопротивлений резистора /?3 и входного сопротивления каскада

Погрешность, связанная с применением этого метода, вызывается допущением равенства между э.д.с. ?2 и показанием ЙЬльтметра. Поэтому сопротивление последнего должно быть большим, чтобы режим во вторичной цепи был ближе к режиму холостого хода.

В отличие от емкости, дроссель Z-ф почти не пропускает переменные составляющие тока, так как представляет для них большое сопротивление XL =2nfL. Прохождению постоянной составляющей тока дроссель Ьф сопротивления почти не оказывает. Та часть переменной составляющей тока, которая все же проходит через дроссель, на нагрузку не поступает, а замыкается через конденсатор С2$\ сопротивление последнего гораздо меньше сопротивления нагрузки /?н, параллельно которой он включен.