Становится пренебрежимо

При дальнейшем изменении входного напряжения, когда ивх < Eit выходное напряжение вновь становится практически равным ывх. В отрицательный полупериод, пока входное напряжение не окажется равным по величине ?2, будет выполняться условие мвых « ывх. При мвх = Е2 диод Д2 открывается, его сопротивление практически равно нулю и выходное напряжение ывых = ?2. Продолжая эти рассуждения, можно показать, что кривая изменения выходного напряжения имеет трапецеидальную форму. Если амплитуда входного напряжения много больше ?4 и ?2, то получаемое на выходе ограничителя периодическое несинусоидальное напряжение имеет форму кривой, близкую к прямоугольной.

В МДП-транзисторе с встроенным каналом при ?/зи = 0 канал присутствует и при 1/си>0 протекает ток стока ( 2.26, кривая 2). При увеличении положительного напряжения ?/зи ток стока /с возрастает. При увеличении же отрицательного напряжения на затворе канал обедняется электронами и соответственно 1С уменьшается. При дальнейшем увеличении отрицательного напряжения на затворе канал исчезает, а начиная с ?/зи = U0 ток стока становится практически равным нулю. В данном случае UQ является напряжением отсечки.

При достаточно большой индуктивности дросселя Др, включенного в цепь катодов вентилей, выпрямленный ток /0 становится практически постоянным, но токи через вентили остаются пульсирующими, и в уравнительном реакторе сохраняется уравнительная э. д. с. ек, необходимая для одновременной работы двух вентилей.

дает увеличение пускового момента. С разгоном убывает частота 'ротора, и 'эффект вытеснения тока с внутренних слоев обмотки уменьшается. По достижении двигателем номинальной скорости плотность тока по высоте стержней становится практически одинаковой ( 10.32, в). Для глубокопазного двигателя обычно

тока в схеме с общим эмиттером такого транзистора не превышает 1—3. Активные свойства паразитного транзистора можно уменьшить путем легирования золотом коллекторной области транзистора типа п-р-п или базовой области транзистора типа р-п-р. Этим достигается резкое уменьшение коэффициента переноса носителей заряда через базу паразитного транзистора, который становится практически равным нулю.

В ряде случаев между отдельными механизмами одного и того же агрегата, требующими согласованного движения и расположенными на значительном расстоянии, трудно осуществить механическую связь из-за необходимости увеличения диаметра и длины соединительных валов, возрастания числа опорных подшипников и т. д. При передаче значительных вращающих моментов и большой длине вала может возникнуть недопустимое скручивание вала. Иногда конструктивно производственный механизм такой, что механическая передача движения его рабочим органам становится практически невозможной.

При пуске двигателя, когда частота тока в роторе наибольшая, индуктивное сопротивление нижних слоев проводника настолько велико, что ток в проводнике вытесняется в верхнюю часть его сечения. Следовательно, используется только небольшая часть площади сечения проводника, что равноценно уменьшению сечения проводника и увеличению активного сопротивления ротора. По мере разгона двигателя частота тока в роторе уменьшается, и к концу пуска вытеснение тока в проводниках ротора становится практически незаметным. Пусковые характеристики глубокопазных двигателей примерно такие же, как и у двухклеточных двигателей.

Выходное сопротивление ZBbIX у фильтров ФЭ значительно ниже, чем у фильтров ФК- Оно имеет комплексный характер и его действительная часть существенно падает с ростом тока /вых.ср- При токах несколько десятых ампера ZBbIX становится практически реактивным, равным Хс6 (1 — а).

Следовательно, между изменением выходного напряжения и изменением значения выходного сопротивления преобразователя существует нелинейная зависимость. Если же сопротивление R будет значительно больше Z, то эта зависимость становится практически линейной:

"•"Метод резонансного поглощения применяют для измерения индукции от 0,005 Тл и выше. Основными составляющими погрешности измерения индукции методом ЯМР являются погрешности определения гиромагнитного отношения, измерения частоты и погрешность фиксации резонанса. Эти составляющие незначительны. Частоту в диапазоне используемого ЯМР (0,2... 20 МГц) можно измерять с погрешностью 0,001 %. Погрешность фиксации резонанса становится практически заметной лишь при значительной неравномерности исследуемого поля. Современные тесламетры с ЯМР-преобразователями позволяют измерять магнитные индукции с погрешностью 0,005...0,1 %. По рассмотренной выше схеме выполнен ядерно-прецессионный тесламетр Ш1-1 для измерений индукции в пределах от 0,025 до 2,5 Тл с погрешностью 0,01...0,1 %.

переменного тока» без всяких оговорок, так как указанная неопределенность в обычных цепях при низких частотах и не слишком больших токах практически незначительна, если, конечно, не выбирать путей интегрирования в местах, где переменные магнитные поля особенно сильны. Эта неопределенность становится практически ощутимой при очень высоких частотах и при весьма больших токах в цепи. В таких случаях можно говорить только о напряжении между двумя точками цепи вдоль определенного заданного пути.

При большой емкости конденсатора, когда выполняется условие т„ = CRH » —, время его зарядки становится пренебрежимо малым

В области средних частот сопротивление емкости Ср2 становится пренебрежимо малым и выходное напряжение определяется выражением

В режиме больших токов инжектора время перезарядки емкости (см. формулу (7.24)] становится пренебрежимо малым. На участке // средняя задержка достигает наименьшего значения и почти не зависит от тока инжектора. В этом режиме заряды неосновных неравновесных носителей, накапливаемых в областях переключательного транзистора, значительно превышают заряды в барьерных емкостях р-п переходов. Поэтому минимальная средняя задержка определяется временем рассасывания. С ростом тока инжектора пропорционально увеличивается заряд неосновных неравновесных носителей, но во столько же раз возрастает ток, рассасывающий этот заряд. Поэтому время рассасывания передняя задержка на участке // почти не зависят от тока инжектора.

При Д<7 -»- 0, когда Atft ->- 0 и АФЬ -> 0, площадь фигуры 123, имеющая второй порядок малости, становится пренебрежимо малой величиной по сравнению с площадями AWft или имеющими первый порядок малости ФьАгй, поэтому

влияния тока рекомбинации. Поскольку наиболее интенсивная рекомбинация наблюдается в областях эмиттерного перехода, граничащих с поверхностью, то качество обработки поверхности влияет на коэффициент передачи в микрорежиме. В области средних токов (участок 2) коэффициент передачи достигает максимального значения. Для этой области третье слагаемое в (4.17) становится пренебрежимо малым, а два остальных слабо зависят от тока эмиттера. Область больших токов (участок 3) соответствует высокому уровню инжекции, при котором проявляется несколько физических эффектов, не учтенных в (4.17): уменьшение удельного сопротивления базы, эффект оттеснения тока эмиттера, увеличение физической толщины базы (эффект Кирка) и увеличение эффективного коэффициента диффузии электронов в базе.

На средних частотах второй член знаменателя полученного выражения становится пренебрежимо мал по сравнению с единицей, а следовательно, выходное напряжение на средних частотах

(5.89) становится пренебрежимо мала по сравнению с его дей-

Из (3.12) видно, что частотная погрешность преобразователя, обладающего дифференцирующими свойствами, но используемого в качестве безынерционного, тем меньше, чем больше постоянная времени т; и при шт > 10 становится пренебрежимо малой. Очевидно, что с ростом частоты со измеряемого процесса погрешность уменьшается и при о) -»• оо стремится к нулю.

Сверхпроводимость— состояние некоторых проводников, когда их электрическое сопротивление становится пренебрежимо малым; сверхпроводник имеет удельное сопротивление р в 1014 раз меньше, чем медь, т. е. величину порядка 10~1в ом • мм^/м. Сверхпроводимость появляется ниже определенной, так называемой критической температуры Ткр. Наиболее высокая критическая температура 20,05°К зарегистрирована для твердого раствора ниобия, алюминия и германия, состав которого соответствует формуле Nb3 Al0j8i Ge0?2. Для остальных сверхпроводников эта температура ниже, около 4—10° К- Если сверхпроводник при Т <; Гкр поместить в поперечное магнитное поле, то состояние сверхпроводимости сохраняется лишь ниже определенной, так называемой, критической напряженности магнитного поля Якр. Когда по сверхпроводнику, находящемуся в поперечном-магнитном поле с Я < Якр при температуре Т < Ткр пропускают электрический ток, то состояние сверхпроводимости сохраняется только ниже определенной, так называемой, критической плотности тока /кр. Критические параметры Гкр, Якр, Укр и закономерности их изменения играют важную роль при исследованиях сверхпроводников. Обычно /кр относят к определенным значениям напряженности поля Я и температуры Т. В сверхпроводящем состоянии магнитное поле за счет экранирующих токов в поверхностном слое проводника почти полностью вытесняется из> всего сечения за исключением- этого слоя, где поле проникает на глубину, примерно, 5 • 10~2 мкм. Различают сверхпроводники первого и второго рода. Материалы первого рода теряют свойства сверхпроводимости уже при слабых магнитных полях и относительно небольших плотностях тока. Сверхпроводники второго рода сохраняют сверхпроводящее состояние вплоть до высоких значений напряженности магнитного поля. Что касается величины критической плотности тока, то она тесно связана с наличием неоднородностей в струк-. туре материала и примесей. Если таких искажений и примесей нет, то сверхпроводники второго рода относят к мягким (идеальным), при сильных магнитных полях они допускают небольшие плотности тока. Сверхпроводники второго рода с неоднородностями

На средних частотах второй член знаменателя полученного выражения становится пренебрежимо мал по сравнению с единицей, а следовательно, выходное напряжение на средних частотах

На средних частотах мнимая часть знаменателя выражения (5.89) становится пренебрежимо мала по сравнению с его действительной частью, а поэтому выходное напряжение схемы на средних частотах обращается в